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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种上下组合结构的EMC多级滤波器
    一种上下组合结构的EMC多级滤波器_深圳汇北川科技股份有限公司_202512018060.7
    本发明公开了一种上下组合结构的EMC多级滤波器，属于滤波器技术领域。一种上下组合结构的EMC多级滤波器，包括第一滤波器模块和第二滤波器模块，第一滤波器模块包括有上盖体、下壳体和第一电容器组，第一电容器组呈“品”字形和“F”形组合排布；本发明...
    2026-01-28
  • 一种直流离子推力器自适应光学聚焦系统及其控制方法
    一种直流离子推力器自适应光学聚焦系统及其控制方法_北京控制工程研究所_202511475315.6
    本发明涉及离子推力器技术领域，特别涉及一种直流离子推力器自适应光学聚焦系统及其控制方法。方法包括建立屏栅和加速栅之间的加速电压和离子有效加速长度之间的第一关系式；其中，屏栅包括多个用于提取正离子以形成离子束的屏栅孔，加速栅用于连接负压以为离...
    2026-01-28
  • 一种用于弹片电容开关的定位装置
    一种用于弹片电容开关的定位装置_东莞市许峰电子科技有限公司_202520234626.2
    本实用新型公开了一种用于弹片电容开关的定位装置，属于开关技术领域，其技术方案要点包括引导轨道、调节机构和定位机构，通过设置引导轨道和调节机构，引导轨道可以对调节机构进行限位，并且可以对定位机构的移动进行引导，引导框架可以与定位磁铁配合，对定...
    2026-01-28
  • 一种高边驱动电路、电子设备、车辆及控制方法
    一种高边驱动电路、电子设备、车辆及控制方法_北京罗克维尔斯科技有限公司_202411001251.1
    本申请公开了一种高边驱动电路、电子设备、车辆及控制方法，避免了误触发短路保护机制。该高边驱动电路包括：配电电路、采样电路和故障保护电路；配电电路包括PMOS管和第一电阻电路；PMOS管的栅极经第一电阻电路接地，PMOS管的漏极接负载，PMO...
    2026-01-28
  • 局部空腔封装结构和封装方法
    局部空腔封装结构和封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202210282023.0
    本发明的实施例提供了一种局部空腔封装结构和封装方法，涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，第一芯片和第二芯片间隔设于基板上，保护膜设有预切痕，第二芯片的外围设有穿刺件，保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片...
    2026-01-28
  • 一种基于LTCC基材单独可控传输零点的有耗滤波器
    一种基于LTCC基材单独可控传输零点的有耗滤波器_西安空间无线电技术研究所_202511983513.3
    本发明属于无线通信技术领域，公开了一种基于LTCC基材单独可控传输零点的有耗滤波器，包括LTCC基材、金属结构以及与金属结构相连的厚膜电阻；LTCC基材为一体多层陶瓷结构，共10层，从上到下依次为陶瓷L1层~L10层；金属结构包括位于陶瓷L...
    2026-01-28
  • 图形化转移头、巨量转移系统和巨量转移方法
    图形化转移头、巨量转移系统和巨量转移方法_成都辰显光电有限公司_202410988356.4
    本申请涉及一种图形化转移头、巨量转移系统和巨量转移方法。该图形化转移头的转移主体包括转移端面，转移端面覆有粘性材料，转移主体通过转移端面拾取芯片；在转移端面上沿转移端面周向设置有固定层，该固定层用于在转移主体拾取芯片的过程中，以及在图形化转...
    2026-01-28
  • 基线电容消除电路和设备终端
    基线电容消除电路和设备终端_杭州微纳核芯电子科技有限公司_202310672119.2
    本申请涉及基线电容消除电路和设备终端，基线电容消除电路包括基线电容、第一开关单元、第二开关单元、运算放大单元、第三开关单元、第四开关单元、信号转换及存储单元和可调节放大器，当第四开关单元的另一端电性连接时，信号转换及存储单元还用于将初始数字...
    2026-01-28
  • 一种基于螺旋锥光束轨道角动量多维度全息技术的信息加密与重建方法
    一种基于螺旋锥光束轨道角动量多维度全息技术的信息加密与重建方法_南开大学_202511857054.4
    本申请公开了一种基于螺旋锥光束轨道角动量多维度全息技术的信息加密与重建方法，涉及光学信息处理与信息加密技术领域，通过在全息加密流程中统一采用螺旋锥光束作为载体与密钥，将目标图像离散化后经相位恢复生成初始全息图，再在该全息图中嵌入由拓扑荷数l...
    2026-01-28
  • 一种高边驱动电路、电子设备及车辆
    一种高边驱动电路、电子设备及车辆_北京罗克维尔斯科技有限公司_202411000731.6
    本申请公开了一种高边驱动电路、电子设备及车辆，涉及电力电子技术领域，提高了高边驱动电路的过电流保护的响应速度。该高边驱动电路包括：配电电路和限流保护电路；配电电路包括PMOS管和第一电阻电路；PMOS管的栅极经第一电阻电路接地，PMOS管的...
    2026-01-28
  • 一种光伏太阳能接线盒的导电结构及光伏太阳能接线盒
    一种光伏太阳能接线盒的导电结构及光伏太阳能接线盒_江苏环鑫半导体有限公司_202520397905.0
    本实用新型提供了一种光伏太阳能接线盒的导电结构及光伏太阳能接线盒，涉及光伏技术领域，以解决现有技术中存在的现光伏行业使用的接线盒内部的导电结构普遍采用紫铜结构，在接线盒过大电流二极管发热的情况下，紫铜吸热但散热效果不好，致使二极管温度过高，...
    2026-01-28
  • 控制开关和清洁设备
    控制开关和清洁设备_星迈创新科技(苏州)有限公司_202522681525.2
    本申请实施例提供一种控制开关和清洁设备。第一磁感应件和第二磁感应件为无源磁性开关元件；移动组件上设置有磁体部件，移动组件能够带动磁体部件在不同位置之间移动或者转动；第一磁感应件至少对应第一位置，第二磁感应件至少对应第二位置；当移动组件将磁体...
    2026-01-28
  • 一种频率准独立可控双频电小整流电路
    一种频率准独立可控双频电小整流电路_华东交通大学_202511477137.0
    本发明公开了一种频率准独立可控双频电小整流电路，属于射频能量收集领域。整流电路包括一个双频匹配网络、一个隔直电容、两个肖特基二极管、一个滤波电容和一个电阻负载。所述双频匹配网络由一个电容、一个电感和一段微带线构成，用于实现对两个工作频点的阻...
    2026-01-28
  • 一种防水仪表盘结构
    一种防水仪表盘结构_常州佳恒新能源科技有限公司_202520124720.2
    本实用新型涉及仪表技术领域，尤其涉及一种防水仪表盘结构，包括：底壳包括底板与围边，底板上开设有若干通孔，围边分为外板与内板，双层围边中间具为密封槽，底壳内部具有容纳腔室；顶盖包括面板与密封条，密封条伸入进密封槽内；电气元件设置在容纳腔室内部...
    2026-01-28
  • 一种宽频率三相锁相环方法
    一种宽频率三相锁相环方法_南京邮电大学_202511991497.2
    本发明公开了一种宽频率三相锁相环方法，涉及三相锁相环技术领域，包括交流信号获取与坐标变换单元、双降阶广义积分器、锁频环频率估计单元、双二阶广义积分器、并联延时信号对消滤波模块、锁相环相位估计单元；三相电网电压信号输入交流信号获取与坐标变换单...
    2026-01-28
  • 一种制作半导体元件的方法
    一种制作半导体元件的方法_联华电子股份有限公司_202110987039.7
    本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先提供一基底包含第一区域、第二区域以及第三区域，然后形成一第一栅极氧化层于该第一区域、该第二区域以及该第三区域，再同时进行一蚀刻制作工艺以及一红外线处理制作工艺去除第二区域上的第一栅极氧化层并暴露出...
    2026-01-28
  • 采用外部控制来减少突发模式光接收机稳定时间的跨阻放大器
    采用外部控制来减少突发模式光接收机稳定时间的跨阻放大器_东南大学_202210187956.1
    本发明公开了一种采用外部控制的方法来减少突发模式光接收机稳定时间的跨阻放大器，包括外部控制引脚VC，增益控制信号产生单元, 跨阻放大器和可变增益放大器。突发模式跨阻放大器需要处理宽动态范围的电流，需要针对不同的输入电流自适应的调整自身增益以...
    2026-01-28
  • 一种谐振器点胶结构
    一种谐振器点胶结构_东莞创群石英晶体有限公司_202520038334.1
    本实用新型涉及一种组装有晶片的晶片基座，具体涉及一种固定晶片的点胶位置呈对角线分布的晶片基座。一种谐振器点胶结构，所述晶片基座包括晶片搭载平台，其特征在于，所述晶片搭载平台包括第一晶片搭载平台、第二晶片搭载平台，所述第一晶片搭载平台、第二晶...
    2026-01-28
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202411514533.1
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；执行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上形成第一栅极层；在第二有源区的衬底上形成第二栅极层；执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；同一光罩下执行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺...
    2026-01-28
  • 高速线路用覆铜板
    高速线路用覆铜板_金安国纪科技(珠海)有限公司_202520311398.4
    高速线路用覆铜板，该高速线路用覆铜板包括：绝缘层和设置于所述绝缘层单侧或双侧表面的铜箔；所述绝缘层由PI薄膜半固化片和玻璃纤维布交替叠配而成，所述绝缘层的最外层为所述PI薄膜半固化片；所述PI薄膜半固化片由PI薄膜浸渍树脂胶液后形成。本实用...
    2026-01-28
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