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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种显示集成单元、显示阵列及制备方法
    一种显示集成单元、显示阵列及制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202512003845.7
    本发明公开了一种显示集成单元、显示阵列及制备方法，应用于集成光电子器件领域，包括位于衬底一侧的本征材料层；位于本征材料层背向衬底一侧表面的Mg掺材料层；第二Mg掺材料层与第二本征材料层之间形成有二维空穴气；位于第一Mg掺材料层背向衬底一侧表...
    2026-04-01
  • 电弧故障的主动检测
    电弧故障的主动检测_西门子工业公司_202480052308.2
    一种用于电弧故障的主动检测的断路器(100)包括控制器(116)和致动器(118, 120)。控制器(116)监测连接到断路器(100)的一个或多个装置的负载电流。控制器(116)检测负载电流中的电弧状信号，并响应于检测到负载电流中的电弧状...
    2026-04-01
  • 一种重合闸断路器
    一种重合闸断路器_浙江德菱科技股份有限公司_202520649411.7
    本申请公开了一种重合闸断路器，其包括电操机构以及操作机构，所述电操机构具有输出齿轮以及连杆，连杆的一端与输出齿轮相连，相连位置偏离输出齿轮的转动中心；其中，操作机构包括手柄，手柄的材质工程塑料；手柄上一体注塑成型有驱动柱以及限位部；连杆的另...
    2026-04-01
  • 显示面板与显示装置
    显示面板与显示装置_上海天马微电子有限公司_202512040922.6
    本申请涉及一种显示面板与显示装置，显示面板包括：基板；多个发光器件设于所述基板的一侧，且沿第一方向排布成多个器件行，沿第二方向排布成多个器件列；所述第一方向、所述第二方向和所述基板的厚度方向两两相交；第一阻挡层设于所述基板的一侧；所述第一阻...
    2026-04-01
  • 射线发生器、射线产生方法及辐射设备
    射线发生器、射线产生方法及辐射设备_同方威视技术股份有限公司_202511913078.7
    本公开提供了一种射线发生器，包括：磁控管，用于在磁脉冲序列的作用下产生微波能量；电子枪，用于在电子脉冲序列的作用下产生电子束；加速管，用于引入微波能量和电子束，并根据微波能量对电子束进行加速；以及控制器，用于获取目标时间内的目标累积剂量数据...
    2026-04-01
  • 电流保护装置及供电系统
    电流保护装置及供电系统_浙江正泰电器股份有限公司_202520420751.2
    本发明提供一种电流保护装置及供电系统，电流保护装置包括主控开关、电流检测单元、控制单元、第一开关单元，主控开关包括磁力配合的主控触头和驱动线圈；主控触头用于串联在待保护的主回路中，驱动线圈和第一开关单元串联在驱动回路中；电流检测单元与控制单...
    2026-04-01
  • 变压器双分支接线方式下的故障保护方法及装置
    变压器双分支接线方式下的故障保护方法及装置_广东电网有限责任公司_202211151237.0
    本发明公开了一种变压器双分支接线方式下的故障保护方法及装置。故障保护方法包括：在至少一个分支结构中出现故障时，根据预设跳闸矩阵控制各间隔设备、各后备保护设备和运行中的接地变压器的动作状态；若存在失压母线，根据后备保护设备的动作信息对后备保护...
    2026-04-01
  • 一种一二次融合的电路断路器
    一种一二次融合的电路断路器_河北广济数据电气股份有限公司_202520357814.4
    本实用新型涉及一种一二次融合的电路断路器，包括底座、设置在底座上的罩体以及设置在底座上并且位于罩体内部的断路器本体，在罩体的左右侧壁上设有结构相同的通风装置，通风装置包括设置在罩体侧壁上的通风口、设置在侧壁内的挡板、设置在挡板上并且与通风口...
    2026-04-01
  • 一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器
    一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器_浙江和诚智能电气有限公司_202610073185.1
    本发明涉及电路保护的技术领域，具体为一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器，包括：主壳体，在主壳体的内部设置有活塞活动腔，活塞活动腔的下方连接有内腔室，在内腔室的下方设置有灭弧腔。本发明提出的一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器，当发生电路故障时，信...
    2026-04-01
  • 一种真空断路器的储能结构及方法
    一种真空断路器的储能结构及方法_苏州科陆东自电气有限公司_202511666428.4
    本发明公开了一种真空断路器的储能结构及方法，涉及真空断路器技术领域，包括断路器壳体，断路器壳体上表面等距固定安装有陶瓷绝缘子，还包括设置于断路器壳体内部的储能组件，储能组件包括固定连接于断路器壳体一侧外表面的定位件；通过储能主轴、储能弹簧、...
    2026-04-01
  • 具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法
    具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511602680.9
    本公开提供了一种具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该制备方法包括：制备N型GaN层；在N型GaN层的一面制备有源层；在有源层的一面制备P型GaN层；在P型GaN层的一面制备P型接触层，P型接触层包括依次制备的第一...
    2026-04-01
  • 一种微动组合按钮开关
    一种微动组合按钮开关_贵州振华华联电子有限公司_202520671923.3
    本实用新型提供了一种微动组合按钮开关，包括按钮、截面图呈类凹字形结构的基座；还包括设置于基座中部并通过定位销与基座固连的微动开关，位于导向孔A中的导向杆，与基座的底部固定连接的后盖板，位于导向杆与后盖板之间的复位弹簧，设置于微动开关正上方且...
    2026-04-01
  • 一种柔性发光膜及制备方法
    一种柔性发光膜及制备方法_江西易晖光电科技有限公司_202511875186.X
    本发明提供一种柔性发光膜及制备方法，涉及发光膜技术领域，包括第一主体层、导通结构、LED芯片和第二主体层，第一主体层具有一第一界面层；导通结构粘贴于第一界面层上，导通结构由若干经线组成，经线为金属线；LED芯片的正极与负极分别与导通结构相导...
    2026-04-01
  • 一种发光二极管外延片及其制备方法
    一种发光二极管外延片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202210191723.9
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该发光二极管外延片包括衬底；在衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、缺陷阻挡层、N型GaN层、发光层、电子阻挡层、P型GaN层及接触层；其中，缺陷阻挡层依次包括第一缺陷阻...
    2026-04-01
  • 一种发光二极管外延结构及其制备方法
    一种发光二极管外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511904868.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延结构，包括衬底，在所述衬底上依次层叠石墨烯复合纳米层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述石墨烯复合纳米层包括依次层叠的改性石墨烯层和ZnO子层，所述改性石墨烯层设于所述衬底上...
    2026-04-01
  • 用于粉末球化处理的设备和方法
    用于粉末球化处理的设备和方法_欧罗卡特基金会_202480052303.X
    一种用于粉末球化处理的设备，所述设备包括微波腔(20)、等离子体腔室(35)、约束管(3)、容器和分流器(110)，所述等离子体腔室(35)具有内壁并位于微波腔中，所述约束管(3)连接到等离子体腔室，所述容器用于工艺气体和粉末前体的混合物，...
    2026-04-01
  • 激励式分断系统和激励式集成接触器
    激励式分断系统和激励式集成接触器_东莞市中汇瑞德电子股份有限公司_202610082579.3
    本发明涉及电气元件技术领域，并公开一种激励式分断系统和激励式集成接触器，其中，激励式分断系统包括熔断体支路、激励组件以及止回组件，熔断体支路呈常开设置，并用于与触点系统并联，激励组件用于连接并设于灭弧罩的外侧，激励组件在激发时能够带动熔断体...
    2026-04-01
  • 一种灭弧室及断路器
    一种灭弧室及断路器_上海良信电器股份有限公司_202610211200.4
    本申请公开一种灭弧室及断路器，涉及低压电器技术领域。该灭弧室，包括栅片组，栅片组包括沿第一方向依次交替设置的第一栅片和第二栅片，第二栅片沿第二方向的一端为绝缘部，第一栅片为金属栅片，第一方向与第二方向垂直，其中，第二方向为电弧运动方向。该灭...
    2026-04-01
  • 发光元件和用于制造发光元件的方法
    发光元件和用于制造发光元件的方法_乐金显示有限公司_202511082084.2
    提供了发光元件和用于制造发光元件的方法。根据本公开内容的一方面，用于制造发光元件的方法包括：在晶片上形成具有多个凹槽的外延层的步骤；在外延层上形成多条组装线的步骤；通过向多条组装线施加电压来使多个光提取颗粒在多个凹槽中的每一个中自组装的步骤...
    2026-04-01
  • 半导体元件
    半导体元件_晶元光电股份有限公司_202211280604.7
    本发明公开一种半导体元件，其包含：一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层，其包含具有第一导电类型的一第一掺杂物和具有第二导电类型的一第二掺杂物，其中第一掺杂物具有一掺杂浓度，且第一导电类型与第二导电类型不同；位于第二半导体层上的...
    2026-04-01
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