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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种多物理场耦合高Q值磁声谐振器
    一种多物理场耦合高Q值磁声谐振器_西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)_202510468309.1
    本发明公开了一种多物理场耦合高Q值磁声谐振器，属于微波通信领域，所述磁声谐振器包括YIG薄膜、GGG薄膜基片、接地电极、微带线；YIG薄膜在外加磁场的作用下产生铁磁共振，通过YIG材料的磁弹效应与YIG‑GGG异质结构中的驻波厚度声学模耦合...
    2025-08-02
  • 一种抑制直流偏置电压和噪声的低频测量放大电路
    一种抑制直流偏置电压和噪声的低频测量放大电路_陕西西工大科技园有限公司_202510365825.1
    本发明提供了一种抑制直流偏置电压和噪声的低频测量放大电路，主要为了降低直流偏置电压和抑制电路低频和高频噪声的干扰问题。本发明的方案包括低通滤波模块、电荷转换模块、多档增益调节模块、输出信号保护模块。其中压电传感器产生的微弱电荷信号通过低通滤...
    2025-08-02
  • 一种应用于栅极驱动器的通道复用编解码电路
    一种应用于栅极驱动器的通道复用编解码电路_电子科技大学_202510440297.1
    本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种应用于栅极驱动器的通道复用编解码电路。本发明的电路包括编码器、多路复用器、隔离传输通路和解码器；所述编码器将两种错误状态指示信号转换为多路复用器的位选信号和使能信号，控制多路复用器输出一路包含两种错误...
    2025-08-02
  • 一种跨阻放大器
    一种跨阻放大器_西安电子科技大学芜湖研究院_202111671538.1
    本发明公开了一种跨阻放大器，包括：放大器以及与放大器相连接的压控电阻；增益控制电路，与压控电阻相连接，用于控制压控电阻两端的电压随着时间延长逐渐减小，放大器的放大增益随着时间延长逐渐增加。本发明中的装置，能够产生对近距离目标(回波时间短)的...
    2025-08-02
  • 一种低插入损耗电调滤波器的电路结构
    一种低插入损耗电调滤波器的电路结构_贵阳信络电子有限公司_202421470072.8
    本实用新型公开了一种低插入损耗电调滤波器的电路结构，包括第一路滤波器电路、第二路滤波器电路、第三路滤波器电路、射频开关U1和射频开关U2，第一路滤波器电路、第二路滤波器电路和第三路滤波器电路的两端分别连接到射频开关U1和射频开关U2，第一路...
    2025-08-02
  • 一种声表面波器件抑制横向模式的结构
    一种声表面波器件抑制横向模式的结构_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202310522640.8
    本发明公开了一种声表面波器件抑制横向模式的结构，包括压电层和位于压电层上的电极层，电极层包括汇流条、叉指电极和假指；汇流条包括平行设置的两汇流条，假指和叉指电极设置在两汇流条之间形成IDT图形。同一汇流条上的假指和叉指电极依次交叉设置，每一...
    2025-08-02
  • 使用经调制信号修整电阻器
    使用经调制信号修整电阻器_德州仪器公司_202510040510.X
    本申请涉及使用经调制信号修整电阻器。在一个实例中，一种设备(100)包括：第一功率级(PS1)，其具有第一功率级输入和第一功率级输出；第二功率级(PS2)，其具有第二功率级输入和第二功率级输出；驱动器电路(204)，其具有第一驱动器输入(3...
    2025-08-02
  • 一种基于类巴伦环形谐振结构的射频功率放大器及其设计方法
    一种基于类巴伦环形谐振结构的射频功率放大器及其设计方法_中铁十局集团电务工程有限公司_202510311767.4
    本发明提供了一种基于类巴伦环形谐振结构的射频功率放大器及其设计方法，包括输入匹配网络、晶体管电路、偏置电路和输出匹配网络，其中，所述偏置电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路；所述输出匹配网络包括谐波控制网络和基波匹配网络，所述谐波控制网络采用...
    2025-08-02
  • 射频功率放大器的供电电压的确定方法及装置、介质、通信装置
    射频功率放大器的供电电压的确定方法及装置、介质、通信装置_展讯通信(上海)有限公司_202510445049.6
    一种射频功率放大器的供电电压的确定方法及装置、介质、通信装置，所述方法包括：确定当前环境，所述当前环境选自备选集合，所述备选集合包括第一环境和第二环境，所述第一环境的噪声小于所述第二环境的噪声；至少基于所述当前环境，确定所述射频功率放大器在...
    2025-08-02
  • 低噪声模拟锁相放大电路
    低噪声模拟锁相放大电路_道芯半导体(上海)有限公司_202510433246.6
    本发明涉及一种低噪声模拟锁相放大电路，包括第一级增益单元、解调器及低通滤波电路，所述第一级增益单元用于将传感器的差分输入信号放大后输出至所述解调器，所述解调器用于对所述放大后的差分输入信号进行解调得到低频信号并输出至所述低通滤波电路，所述低...
    2025-08-02
  • 一种基于单极性薄膜晶体管的放大器、芯片及电子设备
    一种基于单极性薄膜晶体管的放大器、芯片及电子设备_华南理工大学_202510374769.8
    本发明公开了一种基于单极性薄膜晶体管的放大器、芯片及电子设备，其中放大器包括：电容自举模块，由电容和TFT组成，用于提高负载的等效阻抗；辅助放大器模块，由二极管连接的TFT负载反相器实现，用于提高共源共栅级的等效阻抗，以优化放大器的增益特性...
    2025-08-02
  • 一种接触器控制触发电路、基板及接触器
    一种接触器控制触发电路、基板及接触器_德力西电气有限公司_202421952863.4
    本申请提供一种接触器控制触发电路、基板及接触器，接触器控制触发电路包括：分压电路、基准电路、电平转换电路以及滞回控制开关电路，分压电路包括第二电阻；分压电路对输入电压进行分压，输出第一电压；基准电路接收第一电压，并根据第一电压输出第二电压；...
    2025-08-02
  • 占空比调节电路
    占空比调节电路_集益威半导体(上海)有限公司_202211058848.0
    本申请公开了一种占空比调节电路，包括：第一和第二时钟传输通道，各自包括若干级反相器，第一级反相器各自接收一路时钟信号；电流调节电路，其包括第一调节支路和第二调节支路，各自包括：第一至第四PMOS晶体管，第一至第三NMOS晶体管，第一至第四P...
    2025-08-02
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202411722575.4
    本公开涉及半导体装置，其目的在于提供能实现节省成本和节省空间的半导体装置。本公开的半导体装置包括：第一开关元件，该第一开关元件具有高压端子、低压端子和控制端子；第二开关元件，该第二开关元件与第一开关元件并联连接，具有高压端子、低压端子和控制...
    2025-08-02
  • 能量回收绝热触发器及基于谐振器的班内特时钟产生器
    能量回收绝热触发器及基于谐振器的班内特时钟产生器_印第安纳集成电路有限责任公司_202380048428.0
    一种方法，包括：在时间段A期间，在具有由晶体管阵列分开的第一及第二功率输入的计算机储存元件中，所述计算机储存元件经配置为储存计算机数据位，将晶体管阵列的输入，逻辑值“1”或“0”，移动至主锁存器；在时间段B期间，利用第一时钟回收包含输入的至...
    2025-08-02
  • 一种超宽带功率放大电路及其控制方法
    一种超宽带功率放大电路及其控制方法_贵州航天计量测试技术研究所_202510332284.2
    本发明公开了一种超宽带功率放大电路及其控制方法，所述电路包括输入传输线变压器电路、输入LC无源匹配电路、GaN功放晶体管、输出LC无源匹配电路、输出传输线变压器电路、L‑R‑C负反馈稳定电路、栅极偏置电路和漏极偏置电路，所述输入传输线变压器...
    2025-08-02
  • 一种基于变压器的紧凑型Doherty功率放大器
    一种基于变压器的紧凑型Doherty功率放大器_复旦大学_202510253690.X
    本发明属于无线通信技术领域，具体为一种基于变压器的紧凑型Doherty功率放大器。本发明功率放大器包括晶体管级有源部分和无源网络部分；有源部分均采用差分带中和电容结构，其输出级采用多管堆叠结构的功率放大器实现；无源网络部分利用两组三线圈变压...
    2025-08-02
  • 倍频器、芯片及电子设备
    倍频器、芯片及电子设备_深圳市汇顶科技股份有限公司_202510353059.7
    本申请实施例提供了一种倍频器、芯片及电子设备，倍频器部分包括：分频电路，用于调整输入信号的占空比并产生输入信号的分频信号，该分频信号具有50％占空比；注入锁定振荡器，用于产生分频信号的多个相移信号，该多个相移信号之间依次具有预定相位差；逻辑...
    2025-08-02
  • 一种低成本高性能射频放大器
    一种低成本高性能射频放大器_翱捷科技股份有限公司_202411025206.X
    本申请公开了一种低成本高性能射频放大器，包括输入级电路、共栅级电路和输出负载电路。所述输入级电路实现单端信号到差分信号的转换，并实现输入阻抗匹配，同时把输入的射频电压信号转化为射频电流信号；所述输入级电路包括三线圈变压器一，由主线圈、次级线...
    2025-08-02
  • 一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片
    一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片_苏州纯芯半导体有限公司_202310378741.2
    本发明揭示了一种基于砷化镓材料的控制电路及其应用的射频前端芯片，其中控制电路通过接收作为控制信号的电压VEN，面向功率放大器输出控制工作状态切换的电压Vout。作为创新，该控制电路由电阻、砷化镓材料的HEMT晶体管和二极管构成并由VDD提供...
    2025-08-02
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