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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 弹性波器件
    弹性波器件_上海馨欧集成微电有限公司_202311582874.8
    本发明提供一种弹性波器件，设置具有叉指沟槽和/或窗口沟槽的图案化的功能调控层，能够有效调整弹性波的速度轮廓曲线和能量积分，从而减弱或抑制横向杂散模式的激发，有利于谐振器和/或滤波器实现平坦的通带，降低插入损耗，提高矩形度和边带陡峭度，简化叉...
    2025-06-25
  • 一种滤波器件制备方法及滤波器件
    一种滤波器件制备方法及滤波器件_天通瑞宏科技有限公司_202510687387.0
    本发明实施例提出一种滤波器件制备方法及滤波器件，涉及半导体技术领域，该滤波器件制备方法包括：制备一复合晶圆；获取并判断复合晶圆表面衬底层的厚度分布是否符合预设标准；当不符合预设标准时，则依据厚度分布，于复合晶圆表面制备一滤波器件金属电极叉指...
    2025-06-25
  • 弹性波器件及使用该弹性波器件的模块
    弹性波器件及使用该弹性波器件的模块_三安日本科技株式会社_202411814534.8
    本发明公开一种弹性波器件及包含该弹性波器件的模块，包括：压电基板，在所述压电基板的主面上形成的用于激发弹性表面波的谐振器；在所述压电基板的另一主面上形成的杂散吸收层，还包括设置温度特性改善层或高音速层。杂散吸收层由正方晶系晶体基板构成，其声...
    2025-06-25
  • 一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备
    一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备_浙江星曜半导体有限公司_202510325384.2
    本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备，涉及射频技术领域，考虑到高阶体波杂散的位移容易集中在衬底和压电层之间的介质层内，该声表面波谐振器将介质层设置为包括至少两层低声速的第一子介质层，在相邻两层低声速的第一子介质层之间插入一层高声...
    2025-06-25
  • 具有共同反射器的谐振器
    具有共同反射器的谐振器_天津威盛电子有限公司_202411884197.X
    本发明涉及一种具有共同反射器的谐振器，更加详细地涉及一种具有共同反射器的谐振器，其在具有多个谐振器的表面声波装置中形成将一个谐振器的反射器与另一个谐振器的反射器共享的共同反射器，从而减少了在基板上形成谐振器所需的面积。为了解决上述技术课题，...
    2025-06-25
  • 一种基于LTCC技术的多层低通滤波器
    一种基于LTCC技术的多层低通滤波器_中电科思仪科技股份有限公司_202210564764.8
    本发明涉及低通滤波器技术领域，具体地说，涉及一种基于LTCC技术的多层低通滤波器。该滤波器应用LTCC基板工艺制作成扇形低通滤波器结构，其包含多层生瓷片介质、金属导带、金属通孔；其中，多层生瓷片叠层烧结生成扇形低通滤波器基板，生瓷片上根据电...
    2025-06-25
  • 形成去除了多余压电材料的XBAR装置
    形成去除了多余压电材料的XBAR装置_株式会社村田制作所_202510290734.6
    一种形成滤波器装置的方法，在基板上形成粘合层，基板具有在单个管芯上的用于第一空腔的至少一个位置和用于第二空腔的至少一个位置。压电板粘合到粘合层并跨越第一空腔和第二空腔。压电板的超出第一空腔和第二空腔的周边延伸一定长度的多余部分被去除。多余部...
    2025-06-25
  • 一种短波治疗仪射频信号源装置
    一种短波治疗仪射频信号源装置_江西谷德医疗设备有限公司_202510266008.0
    本发明公开了一种短波治疗仪射频信号源装置，属于射频信号处理技术领域，包括晶体振荡器、电控开关缓冲器、电平转换器、射频窄带滤波器、电控衰减器和信号切换开关，通过设置晶体振荡器、电控开关缓冲器、电平转换器、射频窄带滤波器、电控衰减器和信号切换开...
    2025-06-25
  • 电声滤波器部件及制造方法以减少碎片的影响
    电声滤波器部件及制造方法以减少碎片的影响_RF360欧洲有限责任公司_202080053216.8
    提供了一种具有改进的声学和/或电声性能的电声滤波器部件。该部件包括压电材料(PM)，其各侧面为平面，优选地，没有碎片缺陷。压电材料可以被布置在载体基板(CS)上方。具有平面侧面的功能层(FL)可以被布置在电极结构(ES)之上，作为修整层、T...
    2025-06-25
  • 一种基于宽频带振动信号的前级处理电路
    一种基于宽频带振动信号的前级处理电路_哈尔滨工业大学_202510208728.1
    本发明提出一种基于宽频带振动信号的前级处理电路，属于宽频带振动信号的采集与处理技术领域，解决传统固定增益放大与单一频段滤波设计带来的动态范围受限、抗干扰能力不足以及适应性单一的问题，包括：依次连接的动态调整增益环节、第一多模式信号路由环节、...
    2025-06-25
  • 一种声发射传感器放大电路
    一种声发射传感器放大电路_江西鑫源传感器有限责任公司_202422242641.X
    本实用新型提供一种声发射传感器放大电路，包括低通滤波电路，及依次设于低通滤波电路的输出端的电荷放大电路及运算放大电路，电荷放大电路的输出端设有第一π滤波电路，运算放大电路的输出端设有第二π滤波电路，声发射传感器放大电路还包括交流耦合电路，交...
    2025-06-25
  • 一种提高宽带功放输出功率的滤波结构
    一种提高宽带功放输出功率的滤波结构_成都凯腾四方数字广播电视设备有限公司_202422048835.6
    本实用新型涉及广播发射机技术领域，提供了一种提高宽带功放输出功率的滤波结构，包括：射频输入模块，用于接收来自信号源的射频信号；宽带功放模块，用于将射频信号进行功率放大；功放匹配模块，功放匹配模块的输出端与滤波模块的输入端连接，用于优化宽带功...
    2025-06-25
  • 用于高速发射器的基于DFE的峰值技术
    用于高速发射器的基于DFE的峰值技术_安华高科技股份有限公司_202411757404.5
    本公开提供用于高速发射器的基于DFE的峰值技术。一种用于驱动数/模转换器DAC的电路，其包括串行器，所述串行器经配置以将多个信号组合成一个输入信号以驱动耦合到具有串联配置中的第一阻抗及分流配置中的第一电容的第一节点的前向反相器。所述电路包含...
    2025-06-25
  • 晶振抗干扰整形电路
    晶振抗干扰整形电路_华大半导体(成都)有限公司_202311785802.3
    本发明公开了一种晶振抗干扰整形电路，其包括参考电流源、第四NMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管、第二电容及比较器；第四NMOS管栅端、漏端及第五NMOS管栅端短接到参考电流源；第四NMOS管源端、第五PMOS管源端、第...
    2025-06-25
  • 一种减状态最大似然序列检测装置及方法
    一种减状态最大似然序列检测装置及方法_南京仁芯科技有限公司_202510302747.0
    本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种减状态最大似然序列检测装置及方法，该装置包括第一前向均衡器、第二前向均衡器、判决器和减状态最大似然序列检测器，第一前向均衡器的输出端连接所述减状态最大似然序列检测器的输入端，第二前向均衡器的输出端连接所述...
    2025-06-25
  • 一种兼容多封装的通讯射频RF的SAW滤波器电路
    一种兼容多封装的通讯射频RF的SAW滤波器电路_武汉智原科技有限责任公司_202421944328.4
    本实用新型涉及无线通信射频信号传输及滤波技术领域，提供了一种兼容多封装的通讯射频RF的SAW滤波器电路，包括输入匹配π衰电路、输入兼容电路、可切换封装、输出兼容电路和输出匹配π衰电路，输入匹配π衰电路用于对输入信号进行匹配和衰减；输入兼容电...
    2025-06-25
  • 高频超宽带的带通滤波器及高频超宽带滤波系统
    高频超宽带的带通滤波器及高频超宽带滤波系统_思致微电子科技(常州)有限公司_202422226963.5
    本实用新型属于滤波器技术领域，具体涉及一种高频超宽带的带通滤波器，本带通滤波器包括：输入匹配模块、LC电学模块、声学谐振模块和输出匹配模块；输入匹配模块在与输入端匹配成功后接收信号，以使该信号经过LC电学模块、声学谐振模块进行处理，直至输出...
    2025-06-25
  • 滤波器和射频通信设备
    滤波器和射频通信设备_安徽安努奇科技有限公司_202010780053.5
    本申请提供的滤波器和射频通信设备，涉及无线通信技术领域。在本申请中，滤波器包括：电感结构，该电感结构包括至少一个电感元件；电容结构，该电容结构包括至少一个集成电容芯片；声波谐振结构，该声波谐振结构包括至少一个集成声波谐振芯片；衬底结构，该衬...
    2025-06-25
  • 一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端
    一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端_成都通量科技有限公司_202210542947.X
    本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏...
    2025-06-25
  • 一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构
    一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构_杭州道铭微电子有限公司_202421966370.6
    本实用新型公开了一种避免滤波器芯片IDT区域污染的基板结构，包括表面涂覆有阻焊油墨层的基板以及贴装于基板正面的滤波器芯片，其中，滤波器芯片底部设有IDT区域，围绕IDT区域四周设有若干凸点；基板正面设有若干与凸点对应的焊盘和一阻焊开窗，阻焊...
    2025-06-25
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