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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 晶体振荡器及其制作方法
    晶体振荡器及其制作方法_财团法人交大思源基金会_202211008778.8
    本发明涉及一种晶体振荡器及其制作方法，该晶体振荡器包含振荡基板、中空框架、第一电极及第二电极。所述振荡基板包括彼此反向的第一表面、第二表面及振荡部。所述中空框架设置于所述第二表面并框围出所述振荡部，且所述振荡部由主振荡区及厚度小于所述主振荡...
    2025-08-24
  • 一种使用金属键合层实现高性能声表面波谐振器的方法
    一种使用金属键合层实现高性能声表面波谐振器的方法_厦门大学_202510576174.0
    本发明公开了一种使用金属键合层实现高性能声表面波谐振器的方法，利用MOCVD在外延衬底上依次生长单晶缓冲层和牺牲层；利用PVD在牺牲层上生长压电层，再在压电层上继续溅射第一金属层；将支撑衬底表面处理后通过PECVD沉积温度补偿层，再在温度补...
    2025-08-24
  • 弹性波谐振装置及其形成方法、滤波器
    弹性波谐振装置及其形成方法、滤波器_常州承芯半导体有限公司_202510574840.7
    一种弹性波谐振装置及其形成方法、滤波器，其中谐振装置包括压电层；电极结构，电极结构与压电层接触，电极结构包括第一端口和第二端口；温感电阻层，温感电阻层与第一端口和第二端口电连接，温感电阻层用于当温度高于阈值时直接导通第一端口和第二端口。当器...
    2025-08-24
  • 体声波器件及其制作方法
    体声波器件及其制作方法_绍兴中芯集成电路制造股份有限公司_202111676881.5
    本发明涉及一种体声波器件及其制作方法，其中体声波器件的制作方法包括：提供基底，基底具有发射器件区与接收器件区；于基底上形成第一功能层，第一功能层至少覆盖发射器件区与接收器件区；于第一功能层上形成刻蚀停止层；于刻蚀停止层上形成第二功能材料层；...
    2025-08-24
  • 基于耦合滤波结构的GaN工艺拓展连续F类功率放大器
    基于耦合滤波结构的GaN工艺拓展连续F类功率放大器_重庆邮电大学_202510545541.0
    本发明涉及一种基于耦合滤波结构的GaN工艺拓展连续F类功率放大器，属于微波电路技术领域，包括依次连接的输入端口、输入匹配模块、稳定模块、GaN功放晶体管、输出匹配模块以及输出端耦合滤波模块和输出端口；在稳定性模块和GaN功放晶体管之间连接有...
    2025-08-24
  • 一种低噪声超宽带有源巴伦
    一种低噪声超宽带有源巴伦_西安电子科技大学芜湖研究院_202210356098.9
    本发明公开了一种低噪声超宽带有源巴伦，采用电流复用结构的放大器和差分对有源巴伦串联构成。本发明的低噪声超宽带有源巴伦通过电流复用结构提高电压增益，减小功耗和噪声系数，通过宽带匹配结构来实现超宽频带内50Ω的输入阻抗匹配；差分对有源巴伦引入相...
    2025-08-24
  • 一种新型欠采样最小二乘数字预失真方法与系统
    一种新型欠采样最小二乘数字预失真方法与系统_四川启鸣芯半导体科技有限公司_202510650193.3
    本发明公开了一种新型欠采样最小二乘数字预失真方法与系统，属于移动通信领域，本方法通过在接收的模拟侧添加一个带通滤波器，然后将得到的反馈信号分段，并构造最小二乘系数更新方程，再按照不同的反馈信号进行分组，然后使用3次项基底和5次项基底构造基底...
    2025-08-24
  • 一种基于CMOS工艺的低噪声低功耗有源矢量合成移相器
    一种基于CMOS工艺的低噪声低功耗有源矢量合成移相器_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202510575142.9
    本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种基于CMOS工艺的低噪声低功耗有源矢量合成移相器，包括单端转差分电路、第一正交网络、第二正交网络和矢量调制电路；单端转差分电路的1端作为输入端，单端转差分电路的2端、3端分别连接第一正交网络的1...
    2025-08-24
  • 陷波滤波器和信号调制器
    陷波滤波器和信号调制器_深圳市微合科技有限公司_202510573024.4
    本申请实施例提供了一种陷波滤波器和信号调制器。该陷波滤波器包括第一电路和第二电路。第一电路的第一端子用于从混频器接收第一输入信号。第一电路的第二端子与第二电路的第一端子连接，并用于将第一输出信号发送至前置放大器。第二电路的第二端子接地或者连...
    2025-08-24
  • 一种Ka频段2000W连续波功率放大器
    一种Ka频段2000W连续波功率放大器_中原电子技术研究所(中国电子科技集团公司第二十七研究所)_202411070858.5
    本发明公开了一种Ka频段2000W连续波功率放大器，包括驱动控制模块、功率分配器、八路功放模块、功率合成器和监控模块；驱动控制模块用于对输入的小功率信号进行驱动放大和电平调节，输出初级功率信号；功率分配器用于将初级功率信号分成八路等幅初级功...
    2025-08-24
  • 一种射频功率放大器、射频功率放大芯片及射频前端模组
    一种射频功率放大器、射频功率放大芯片及射频前端模组_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202510384987.X
    本申请提供一种射频功率放大器，包括第一放大晶体管、第二放大晶体管、电容网络电路和功率合成电路，电容网络电路包括第一电容、第二电容和电容单元，第一放大晶体管的输出端通过第一电容连接至功率合成电路的第一输入端，第二放大晶体管的输出端通过第二电容...
    2025-08-24
  • 一种低电磁干扰的高精度扩频时钟电路
    一种低电磁干扰的高精度扩频时钟电路_无锡中微爱芯电子有限公司_202510994693.9
    本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种低电磁干扰的高精度扩频时钟电路。包括：偏置电路，所述偏置电路为振荡电路提供基准电流源I1；扩频校正电路，所述扩频校正电路为振荡电路提供频率校正电流源I2和扩频电流源I3；所述频率校正电流源I2和所扩频...
    2025-08-24
  • 超低功率、实时时钟发生器和抖动补偿方法
    超低功率、实时时钟发生器和抖动补偿方法_意法半导体股份有限公司_201911165075.4
    本公开涉及超低功率、实时时钟发生器和抖动补偿方法。在一个实施例中，时钟发生器具有可变模量分频器，该可变模量分频器接收高频时钟信号，并且输出分频时钟信号，该分频时钟信号具有由温度补偿电路所生成的模量控制信号控制的频率。抖动滤波器耦合到可变模量...
    2025-08-24
  • 高基频MESA晶片
    高基频MESA晶片_泰晶科技股份有限公司_202422308079.6
    本申请涉及MESA晶片的技术领域，具体涉及一种高基频MESA晶片，包括片体，其外周呈矩形，所述片体包括两侧面刻蚀凹陷形成的振动部、与所述振动部一体设置的固定部，其中，定义所述振动部距离所述固定部自由端的距离为L1，所述振动部距离所述固定部点...
    2025-08-24
  • 恒温式声表面波滤波器及其制备方法
    恒温式声表面波滤波器及其制备方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202510952533.8
    本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种恒温式声表面波滤波器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：选择压电衬底，并在压电衬底的上表面形成第一沟槽和第二沟槽；由压电衬底的上表面沉积多晶硅以完全填充沟槽；对多晶硅进行研磨，直至暴露出压电衬底；对多晶...
    2025-08-24
  • 一种空间非谐振节点谐振器、滤波器及射频通信设备
    一种空间非谐振节点谐振器、滤波器及射频通信设备_华南理工大学_202510453430.7
    本发明公开了一种空间非谐振节点谐振器、滤波器及射频通信设备，由周期性的电容型或者电感型器件加载谐振器构成电容型空间非谐振节点单元或者电感型空间非谐振节点单元；电容或者电感型空间非谐振节点单元通过排布组合，由同一种或两种空间非谐振节点单元混合...
    2025-08-24
  • 弹性波滤波器
    弹性波滤波器_株式会社村田制作所_202080051665.9
    弹性波滤波器(1)具备：串联臂谐振器(s1以及s2)，由具有IDT电极的弹性波谐振器构成；以及并联臂谐振器(p1以及p2)，IDT电极具有一对包含多个电极指和汇流条电极的梳形电极，将上述多个电极指之中与构成一对梳形电极的任一汇流条电极都不连...
    2025-08-24
  • 弹性波滤波器和通信装置
    弹性波滤波器和通信装置_京瓷株式会社_202480007033.0
    提高弹性波滤波器的性能。弹性波滤波器中的弹性波元件具有：压电体层；位于所述压电体层上的IDT电极；声速比所述压电体层低的低声速膜；以及声速比所述压电体层高的支撑基板。将由所述IDT电极激发的弹性波的波长表示为λ时，所述压电体层的厚度为λ以下...
    2025-08-24
  • 快速锁定双环时钟和数据恢复电路
    快速锁定双环时钟和数据恢复电路_高通股份有限公司_202380091726.8
    一种时钟恢复电路包括频率跟踪环路和相位跟踪环路，该频率跟踪环路包括第一电荷泵，该相位跟踪环路包括第二电荷泵。电压控制振荡器在第一操作模式中响应于该频率跟踪环路，并且在第二操作模式中响应于该相位跟踪环路。锁定检测器输出指示该时钟恢复电路是否已...
    2025-08-24
  • 一种带TL-C并联型嵌入式网络的放大器结构
    一种带TL-C并联型嵌入式网络的放大器结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202510580232.7
    本发明公开了一种带TL‑C并联型嵌入式网络的放大器结构，包括放大器嵌入式核心；输入匹配网络和输出匹配网络；输入串联型嵌入式网络，其输入端与所述输入匹配网络的输出端电气连接；输出串联型嵌入式网络，其输出端与所述输出匹配网络的输入端电气连接；并...
    2025-08-24
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