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最新专利技术
  • 一种磁共振三维温度监测装置、系统
    一种磁共振三维温度监测装置、系统_华科精准(北京)医疗设备股份有限公司_202311831458.7
    本发明提供一种磁共振三维温度监测装置、系统，该装置包括：主机及显示设备；所述主机存储有可执行指令，所述可执行指令被所述主机执行时实现通过快速磁共振成像，得到覆盖靶区的连续的磁共振图像；根据所述连续的磁共振图像，生成三维温度图；将所述三维温度...
    2025-08-05
  • 一种信号检测方法、装置、设备及存储介质
    一种信号检测方法、装置、设备及存储介质_荣耀终端股份有限公司_202311850046.8
    本发明公开了一种信号检测方法、装置、设备及存储介质，用于提高呼吸信号和心跳信号检测的准确性。在本申请中对回波信号进行预处理，得到目标相位信号；基于目标相位信号与获取到的预先构建的整体字典矩阵，得到呼吸信号与心跳信号；整体字典矩阵是根据呼吸信...
    2025-08-05
  • 一种流体汇合件及动物行为训练系统
    一种流体汇合件及动物行为训练系统_深圳市瑞沃德生命科技股份有限公司_202311837880.3
    本发明实施例提供一种流体汇合件，包括多路气味通道、空气通道和出气通道；每路气味通道的第二端口开设于第一平面的不同位置，空气通道与第一平面平行，空气通道的第四端口和出气通道的第六端口均与第一平面连通；气味从气味通道的第一端口流入，从气味通道的...
    2025-08-05
  • 一种移栽机的喂盘设备及移栽机
    一种移栽机的喂盘设备及移栽机_秦皇岛烟草机械有限责任公司_202311841222.1
    本发明公开了一种移栽机的喂盘设备及移栽机，喂盘设备包括：输送通道，用于输送苗盘；移盘装置，设置在输送通道出料口端，移盘装置具有用于承接输送通道出料口端苗盘的托盘；喂盘设备包括若干所述输送通道，所述托盘可在若干所述输送通道的各输送通道出料口端...
    2025-08-05
  • 一种发光器件及其制备方法、显示面板
    一种发光器件及其制备方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202311873202.2
    本申请提供一种发光器件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，发光器件包括：衬底，以及设置于衬底一侧的发光层；第一偏光层，第一偏光层设置于发光层靠近衬底的一侧，其中，第一偏光层包括多个第一偏光单元，每个第一偏光单元包括远离发光层的一侧的第...
    2025-08-05
  • 一种光电芯片制作方法
    一种光电芯片制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202311864956.1
    本发明提供一种光电芯片制作方法，包括：提供光电芯片，所述光电芯片包括外部连接区域与光口预埋区域，所述光口预埋区域中设置有光口，所述光口上方设置有钝化层覆盖所述光口；于所述外部连接区域上方形成导电连接部，所述导电连接部与所述光电芯片电连接；于...
    2025-08-05
  • 光伏电池片的制备方法
    光伏电池片的制备方法_宿迁阿特斯阳光电力科技有限公司_202311855598.8
    本发明揭示了一种光伏电池片的制备方法，所述制备方法包括：在硅片的背面制备一隧穿氧化层及一掺杂多晶层；对硅片进行去绕镀处理，去除硅片正面及侧面的多晶硅层；对硅片进行后清洗处理及烘干处理，硅片在后清洗处理中仅经历一次碱洗。本发明通过优化光伏电池...
    2025-08-05
  • 一种电池串返修方法及电池串返修机
    一种电池串返修方法及电池串返修机_无锡奥特维科技股份有限公司_202311855584.6
    本申请提供了一种电池串返修方法及返修机，包括：将电池串放置至返修台，使得第1个缺陷电池片承载于中间承载台，其余电池片承载于第一侧承载台或第二侧承载台；将第1个缺陷电池片从电池串中剪除后将第1个替换电池片放置至中间承载台，并在确定第1个替换电...
    2025-08-05
  • 一种红外热敏探测器及其制备方法
    一种红外热敏探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202311854025.3
    本申请提供了一种红外热敏探测器及其制备方法，该红外热敏探测器包括衬底、第一金属层、第一锰钴镍氧层、第二金属层、第二锰钴镍氧层和第三金属层。其中，第一金属层层叠设置于衬底的一表面；第一镍钴锰氧层设置于第一金属层远离衬底的一侧；第二金属层层叠设...
    2025-08-05
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法
    一种N型TOPCon电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202311873880.9
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法，其中，本发明提供的N型TOPCon电池，通过设置N型硅片正面的绒面结构为柱状孔结构，能够增强陷光效应、降低反射率，从而提高光电转换效率；另外，柱状孔绒面结构可改善原硅片切割导致的色差问...
    2025-08-05
  • 半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法
    半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法_华为技术有限公司_202311871834.5
    本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种可以对晶体管栅极过压保护的半导体器件。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的晶体管和防护器件；防护器件包括：沟道层、势垒层、第一电极和第二电极，沟道层...
    2025-08-05
  • 一种显示面板、制备方法及电子设备
    一种显示面板、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202311868181.5
    本申请公开了一种显示面板、制备方法及电子设备，显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一源漏极、低温多晶硅有源层、栅绝缘层、栅极、平坦化层以及第二源漏极。低温多晶硅有源层具有朝向衬底的第一表面和背向衬底的第二表面，栅极环...
    2025-08-05
  • 一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件
    一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件_中芯集成电路(宁波)有限公司_202311869438.9
    本申请提供了一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件，其中，制造方法包括提供衬底和MIM电容，MIM电容位于衬底的一侧；在衬底上设置电阻，电阻与MIM电容位于衬底同一侧；在衬底上设置第一介质层，第一介质层覆盖电阻和MIM电容；对第一介质层进...
    2025-08-05
  • 空气栅场板结构及其制备方法
    空气栅场板结构及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311862640.9
    本申请提供了一种空气栅场板结构及其制备方法，涉及半导体技术领域；空气栅场板结构包括：从下到上依次设置的基底、栅极和第一介质层；第一介质层一体成型，罩设在栅极的外周侧，且覆盖于基底上，以使第一介质层、栅极和基底围成空气层；第一介质层的厚度大于...
    2025-08-05
  • 一种芯片、其制作方法及电子设备
    一种芯片、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202311862090.0
    本申请提供一种芯片、其制作方法及电子设备，芯片包括：半导体衬底、栅极、覆盖部和第一侧墙，半导体衬底包括第一半导体材料，半导体衬底在源漏电极区设有沟槽，沟槽内填充有第二半导体材料，第二半导体材料的晶格常数大于第一半导体材料的晶格常数。覆盖部覆...
    2025-08-05
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311867696.3
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立排布的鳍部，鳍部包括第一牺牲层以及位于第一牺牲层表面的若干层重叠的复合层，复合层包括第二牺牲层以及位于第二牺牲层表面的沟道层；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构包括第一伪栅...
    2025-08-05
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311854818.5
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底中和衬底上形成MOS结构，并在MOS结构上形成互连结构层，互连结构层与MOS结构电性连接；通过互连结构层测量获得MOS结构的测量阈值电压，根据测量阈值电压和一目标阈值电压的差值调整...
    2025-08-05
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311850962.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上生长第一半导体层，在第一半导体层远离衬底的一侧刻蚀沟槽，沟槽部分贯穿第一半导体层，在第一半导体层上生长牺牲层后刻蚀牺牲层，重复多次牺牲层的生长和刻蚀，直至沟槽暴露的第一半导体层表面的离子浓度低于...
    2025-08-05
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311850137.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上依次生长沟道层、势垒层以及n型半导体层；在n型半导体层上刻蚀凹槽，凹槽贯穿n型半导体层；在n型半导体层上和凹槽中生长牺牲层；刻蚀牺牲层；在n型半导体层上和凹槽中生长p型半导体层；重复多次牺牲层的...
    2025-08-05
  • 锗硅刻蚀液的应用
    锗硅刻蚀液的应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202311847692.9
    本发明公开一种锗硅刻蚀液的应用。本发明的刻蚀液在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中硅的应用；所述刻蚀液包含如下质量分数的组分：1‑10％有机碱、0.001‑0.1％非离子表面活性剂、5‑30％有机溶剂及水，各组分质量分数之和为100％。本...
    2025-08-05
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