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低静电聚丙烯腈碳纤维原丝的制备装置和方法
本发明公开了一种低静电聚丙烯腈碳纤维原丝的制备装置和方法。本发明将干燥设备、静电消除器和超声波上油装置依次集成,先将PAN湿丝干燥至含湿率0.8%~1.5%,再经200W~400W的静电消除器初步消电,最后使用超声波上油装置施加抗静电油剂,...
一种抗菌ES纤维纺丝生产装置及方法
本发明公开了一种抗菌ES纤维纺丝生产装置及方法,包括底板,所述底板的顶部固定安装有门架,所述门架的一端设置有第一输送对辊,所述门架的另一端设置有第二输送对辊,所述门架的两侧内壁之间转动连接有转轴,所述转轴的外侧壁上固定安装有清理穗,所述底板...
具有高致密度和力学强度的聚丙烯腈原丝的制备方法
本发明公开了一种具有高致密度和力学强度的聚丙烯腈原丝的制备方法。所述方法采用水平喷丝结合“水平挤出‑气相过渡‑液相终凝固”的精确多相凝固路径,使初生纤维依次经历两次90°转向,再经过多级牵伸、水洗、上油、一级干燥致密化、在热辊上进行的二次深...
一种腈纶长丝纺丝头旋转装置
本申请涉及一种腈纶长丝纺丝头旋转装置,涉及纺丝设备技术领域,包括:纺丝箱;纺丝喷头,所述Z型连通管段远离喷头段一端一体式连接有旋转套筒,旋转套筒定轴旋转式安装在固定设置的换向套上;换向套,所述换向套两端通过开设的螺纹分别与泵胶管道和清洁管道...
一种适用于流体管道输送均温换热的混合器
本发明公开了一种适用于流体管道输送均温换热的混合器,包括:筒体;均温混合芯体,设置在筒体内,包括多根调温盘管,单根调温盘管弯折排列成“中国结”结构,多根调温盘管整体形成圆柱形结构,且圆柱形结构的直径小于筒体的内部直径;管道夹套,设置在筒体的...
机采籽棉杂质分级清理装备及清理工艺
本发明公开了一种机采籽棉杂质分级清理装备及清理工艺,涉及机采棉加工机械领域,包括倾斜式籽棉清理机、提净式籽棉清理机、双层式籽棉清理机和回收式籽棉清理机,倾斜式籽棉清理机的出料口能够与提净式籽棉清理机的入料口连通,提净式籽棉清理机的出料口能够...
用于羽绒加工的羽绒清洗装置及方法
本发明公开了一种羽绒加工用清洗装置及方法。装置包括清洗桶、第一搅拌单元和第二搅拌单元。两个搅拌单元上均设置有可竖直伸缩的伸缩杆结构,每个伸缩杆结构上设有多根搅拌杆。驱动机构通过连接盘驱动全部伸缩杆结构同步伸缩,使搅拌杆在伸长时分散搅拌,在收...
甲基转移酶突变文库构建与筛选方法及其在生物合成中的应用
本发明提供了一种甲基转移酶突变文库构建与筛选方法及其在生物合成中的应用。3, 4‑二羟基苯甲醇(3, 4‑DHBA)是利用微生物进行植物天然产物香草醇生物合成的直接前体。通过分子对接分析,比较待设计的酶与咖啡酸、3, 4‑DHBA在催化口袋...
增强FIX和FIXa活性的纳米抗体
本发明涉及增强FIX和FIXa活性的结合分子。具体提供一种FIX和/或FIXa纳米抗体或其突变文库,所述结合分子包含抗FIX和/或FIXa单域抗体(VHH),所述单域抗体的互补决定区CDR包含CDR1、CDR2和CDR3。本发明的纳米抗体能...
芯片、形成测序文库簇的方法及测序方法
本申请提出了一种测序芯片及测序方法,该芯片包括:基底;以及固定于基底表面的引物组,引物组包括:第一引物,其具有第一可切割位点,第一可切割位点为使第一引物在第一切割条件下被切割的位点;第二引物,其具有第二可切割位点,第二可切割位点为使第二引物...
一种碲化镉晶体退火装置
本发明公开了一种碲化镉晶体退火装置,属于晶体热处理设备技术领域,包括用于提供稳定安装空间的基座,所述基座的顶部安装有用于提供碲化镉晶体退火空间的退火炉,所述退火炉的内部转动设置有两个用于提供支撑的转动盘,两个所述转动盘的内部均设置有用于提供...
一种有机无机杂化硫氰酸钙非线性光学晶体材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种有机无机杂化硫氰酸钙非线性光学晶体材料及其制备方法和应用,属于光学晶体材料技术领域。该非线性光学晶体材料的化学式为Ca(SCN)(L‑C5H8NO4),属于正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数a=5.0910(4) Å...
宏观尺寸非对称结构的过渡金属硫化物单晶及其制备方法和应用
本发明公开一种宏观尺寸非对称结构的过渡金属硫化物单晶及其制备方法和应用,制备方法包括:提供宏观尺寸的单层过渡金属硫化物作为前驱体;将承载前驱体的基底以非水平取向置于反应腔室中,使前驱体的表面与反应腔室内反应物流的主导传输方向呈非零夹角;向反...
一种激光用低位错密度的晶体生长方法
本发明公开了一种激光用低位错密度的晶体生长方法,涉及激光晶体制备技术领域,将铟和磷加热保温后,加入功能助剂,继续升温并保温,冷却,转移至直拉炉内加热保温后,降温引晶,同时提拉生长,最后进行退火得到。本发明使用的功能助剂通过促进熔体成分均匀混...
基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法
本发明公开了基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法,涉及半导体材料制备与人工智能控制技术领域;本发明通过构建多温区热场数字孪生模型,采集磷化铟单晶生长炉内的多通道温度数据、加热功率数据及晶体生长图像数据,并进行炉内热场分布的实时...
用于晶体生长的搅拌结构以及液相生长装置
一种用于晶体生长的搅拌结构以及液相生长装置,其中用于晶体生长的搅拌结构包括:坩埚盖;搅拌杆,搅拌杆设置于坩埚盖朝向坩埚的一侧并且搅拌杆与坩埚盖相连接;第一旋转电机,第一旋转电机设置于坩埚盖的另一侧,第一旋转电机适于驱动坩埚盖绕预设的转轴转动...
一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法
本申请提供一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法,该制备装置包括坩埚和位于坩埚上方的籽晶托;坩埚包括由下至上分布的原料区、升华区和生长区,原料区用于放置碳化硅原料;籽晶托位于生长区的上方,籽晶托用于粘接籽晶,籽晶位于籽晶托和生长区之间;在籽晶托...
一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶及其制备方法
本发明属于无铅压电晶体材料技术领域,具体涉及一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶,其化学通式为:(1‑x)[(1‑y)(K0.5Na0.5Nb)O3‑yBiFeO3]‑xBaMnO2。本发明还公开了BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶的制备方法,具...
系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途
本发明涉及系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的分子式分别为NaC3H2O4BFCH3,NaC3H2O4BFCF3,分子量分别为169.88, 223.86,属于单斜晶系,空间群Cc,晶胞参数NaC3H2O4BFCH...
一种铵法制备单晶磷酸铁的方法
本发明属于化工工艺领域,尤其涉及一种铵法制备单晶磷酸铁的方法,包括以下步骤:a)将磷酸一铵溶液加入到硫酸亚铁溶液中,然后用硫酸调节体系pH值至1.75~2,得到混合料浆;步骤a)中,所述磷酸一铵溶液中的P与硫酸亚铁溶液中的Fe的摩尔比为(1...
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