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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511994715.8
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上形成图案化的硬掩模层，硬掩模层中形成有露出第一外延层的表面的第一开口；以硬掩模层为掩膜，对第一外延层进行第一离子注入，以在第一外延层中形成沟道区，第...
    2026-04-09
  • JFET器件
    JFET器件_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511941266.0
    本发明公开了一种JFET器件，包括：在第一半导体材料组成的第一外延层中形成有栅极沟槽。JFET栅极区由形成于栅极沟槽内侧表面处的离子注入区组成。由JFET栅极区之间的第一外延层组成JFET沟道区。在JFET沟道区的表面区域中形成JFET源区...
    2026-04-09
  • 半导体装置及存储装置
    半导体装置及存储装置_株式会社半导体能源研究所_202511971242.X
    提供一种半导体装置及存储装置。该半导体装置包括配置于衬底上的第一导电体、以与第一导电体的顶面接触的方式配置的氧化物、配置于氧化物上的第二导电体、第三导电体及第四导电体、配置于第二导电体至第四导电体上且形成有第一开口及第二开口的第一绝缘体、配...
    2026-04-09
  • 一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_江苏慧易芯科技有限公司_202511973456.0
    本发明涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括外延层和形成于外延层内部上端的沟槽，所述沟槽的内部形成上下绝缘隔离的第三多晶硅和第二多晶硅，分别作为栅极和屏蔽栅；所述第二多晶硅包括上段和下段，上段与外延层之间设置第一绝缘层...
    2026-04-09
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511911611.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：衬底；外延层，设置于衬底上且具有第一掺杂类型；电流调节层，设置于外延层内，具有第一掺杂类型且掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，电流调节层包括沿平行于衬底的方向间隔设置的...
    2026-04-09
  • 一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法_江苏应能微电子股份有限公司_202511876860.6
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法，包括：第一外延层、若干沟槽结构、第一掺杂区、第二外延层、第二掺杂区、介电层、金属层和至少两个第三掺杂区，其中，沟槽结构排列分布在第一外延层内；第一掺杂区位于相邻沟槽结构之间的第一外延层...
    2026-04-09
  • 一种高压抗辐射横向器件及其制造方法
    一种高压抗辐射横向器件及其制造方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610167523.8
    本发明提供一种高压抗辐射横向器件及其制造方法。包括第一介质层、第二介质层、第三介质层、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三P型掺杂区、第四P型掺杂区、第五P型掺杂区、第六P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区、多晶硅栅电...
    2026-04-09
  • 一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法
    一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法_中国航天标准化研究所_202511711175.8
    本发明提出一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及制备方法，三维元胞结构上选取八边形元胞结构，将八边形元胞结构与传统的条状与方形元胞结构进行对比，选取栅覆盖面积用于对比不同元胞结构的开关速度，由于器件的栅漏电荷直接取决于器件的栅极与JF...
    2026-04-09
  • 沟槽型MOS器件及其制造方法
    沟槽型MOS器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411334588.4
    本发明涉及一种沟槽型MOS器件及其制造方法，所述器件包括：若干沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括位于第一沟槽中的栅极，以及位于第一沟槽中且将栅极包覆的栅介电层；源极区，位于各第一沟槽的两侧；沟槽场板结构，包括位于第二沟槽内表面的场板介电层，以及...
    2026-04-09
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202411275245.5
    本申请提供一种半导体装置，包括具有第一导电类型的一基底、位于基底上且具有第一导电类型的一外延层、自外延层的顶表面延伸至外延层中的一沟槽结构和具有第二导电类型的一阱、具有第一导电类型的第一重掺杂部和具有第二导电类型的第二重掺杂部形成于阱中。沟...
    2026-04-09
  • 一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法
    一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202610221767.X
    本发明公开了一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法，所述器件包括：在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、GaN沟道层和氮化物势垒层；形成在氮化物势垒层上方的源极、漏极、栅极和钝化层；以及形成在钝化层上方的梯度孔径超表面；所述梯度孔...
    2026-04-09
  • 一种高电子迁移率晶体管及制作方法
    一种高电子迁移率晶体管及制作方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511906526.0
    本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种高电子迁移率晶体管及制作方法，其中高电子迁移率晶体管包括：基底结构；源极以及漏极设置于基底结构上；P型氮化镓层，设置于基底结构上；N型氮化镓层，设置于P型氮化镓层上，N型氮化镓层设置有位于边缘部的第一开...
    2026-04-09
  • 光响应HEMT器件及其制备方法
    光响应HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511889878.X
    本发明提供一种光响应HEMT器件及其制备方法，通过在势垒层上形成P型掺杂h‑BN阵列，形成p‑hBN/n‑AlGaN异质结，在黑暗条件下，该p‑hBN/n‑AlGaN异质结产生的内建电场使p‑hBN层下方的导带抬升，导致AlGaN/GaN异...
    2026-04-09
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511594351.4
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括依次层叠的衬底、单晶态的成核层与缓冲层、非晶态的介质掩模层和GaN沟道层；所述介质掩模层中具有贯穿所述介质掩模层的多个掩模窗口，所述GaN沟道层覆盖所述介质掩模层且填充所...
    2026-04-09
  • 一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法
    一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法_贵州辰矽电子科技有限公司_202610222251.7
    本发明提供一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法，涉及功率半导体技术领域；制作方法如下，生长第一氧化层，并刻蚀形成沟槽；将离子注入到沟槽中的外延层上形成场限环，并在场限环上沉积第二氧化层；通过刻蚀形成有源区；在有源区上通过掩膜沉积形成多晶硅栅...
    2026-04-09
  • 一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511995306.X
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法，涉及半导体技术领域。在外延片上刻蚀出沟槽后，再填光刻胶，曝光到沟槽顶部；然后湿法刻蚀侧壁氧化层到指定深度；去除光刻胶；再生长100Å~400Å的热氧化层；淀积100Å~400Å的Nitr...
    2026-04-09
  • 分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法
    分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法_上海毅笃功率半导体科技有限公司_202511874066.8
    本发明提供一种分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法。所述方法包括在第一沟槽内填充浮空电极与绝缘介质层交替设置的多层分段浮空电极结构，相同深度的浮空电极彼此电学互联，不同深度的浮空电极彼此电学隔离。本发明通过三维沟槽结构创新与电荷调...
    2026-04-09
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411311914.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括衬底、位于衬底上的鳍片、位于衬底上且与鳍片相交的伪栅结构、以及覆盖衬底和鳍片的介质层，介质层的上表面与伪栅结构的顶表面齐平；去除伪栅结构，以形成位...
    2026-04-09
  • 改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化
    改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化_英特尔公司_202511174502.0
    本发明名称是“改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化”。在(例如，纳米带、纳米线等的)平行沟道结构之间具有电介质间隔物的集成电路(IC)装置。一种晶体管结构可具有在源主体与漏主体之间的第一沟道层和第二沟道层、在沟道层之间具有栅金属和栅电介质...
    2026-04-09
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510194499.2
    提供一种半导体装置，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够降低损耗。实施方式的半导体装置具备晶体管区域、二极管区域以及将晶体管区域及二极管区域包围的末端区域。晶体管区域包含第一沟槽和第一沟槽中的第一导电层。二极管区域包含第二沟槽和...
    2026-04-09
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