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最新专利技术
  • 具有电极结构的半导体器件
    具有电极结构的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511272203.0
    本公开内容涉及具有电极结构的半导体器件。所述半导体器件包括：单元区域；在第一方向上与单元区域的第一侧相邻的第一外围电路区域；以及在第二方向上与单元区域的第二侧相邻的第二外围电路区域。第一方向与第二方向彼此垂直。单元区域包括：第一子区域，其包...
    2026-03-20
  • 用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构
    用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构_威比特纳米有限公司_202511246058.9
    用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构。一种用于电阻式随机存取存储器单元的电阻式堆叠体(Stck)包括：第一电极(El1)；第二电极(El2)；介电层(Diel)，该介电层...
    2026-03-20
  • 半导体器件及制造半导体器件的方法
    半导体器件及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510749220.2
    本申请涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括：包括交替堆叠的电极板和绝缘层的堆叠；延伸穿过堆叠的电极柱；环绕电极柱侧壁的可变电阻层；以及分别位于电极板与可变电阻层之间的第一电极，每个第一电极包含金属氧化物。
    2026-03-20
  • 磁性存储器装置
    磁性存储器装置_铠侠股份有限公司_202511030630.8
    实施例提供一种缩短写入时间的磁性存储器装置。根据实施例，一种磁性存储器装置包含：导电层；磁阻效应元件，其设置在所述导电层上并包含接触所述导电层的第一端部分及与所述第一端部分相对的第二端部分；及控制电路，其被配置成执行写入操作以将数据写入到所...
    2026-03-20
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510276368.9
    本公开提供提高了可靠性的存储器件。实施方式的存储器件具备：存储单元阵列，包括沿第1方向延伸的第1局部布线、沿与第1方向交叉的第2方向延伸的第2局部布线、沿第2方向延伸的第3局部布线、设置于第1局部布线与第2局部布线之间的第1存储单元、及设置...
    2026-03-20
  • 存储器装置以及其制作方法
    存储器装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411284236.2
    本发明公开一种存储器装置以及其制作方法，其中存储器装置包括磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)结构、上电极以及第一盖层。MTJ结构设置在基底之上且包括第一倾斜侧壁。上电极在垂直方向上设置在MTJ结构上...
    2026-03-20
  • SOT-MRAM器件及其制备方法
    SOT-MRAM器件及其制备方法_中电海康集团有限公司_202411121092.9
    本发明提供一种SOT‑MRAM器件及其制备方法，其中方法包括：在衬底上自下而上依次形成自旋轨道层、磁隧道结堆叠层和硬掩膜层，磁隧道结堆叠层包括自下而上依次堆叠的自由层、势垒层、参考层、钉扎层；图案化硬掩膜层；根据图案化后的硬掩膜层刻蚀磁隧道...
    2026-03-20
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202511250514.7
    一种半导体设备包括：单元区域，包括连接到多个字线、多个板线和多个位线的多个存储器单元；以及外围电路区域，被配置为控制单元区域，并且外围电路区域将具有不同极性的第一编程电压和第二编程电压输入到多个存储器单元当中的至少一个目标单元一次，并且通过...
    2026-03-20
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511207082.1
    一种半导体存储器件，包括：在基板上在第一方向上延伸的位线；在位线上并在第一方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间并在第二方向上延伸的至少一条导电栅极线；栅极屏蔽图案，在至少一条导电栅极线和位线之间并包...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511110887.4
    半导体存储器装置包括：写入位线和读取字线，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；写入字线、读取位线和源极线，在写入位线与读取字线之间，并且在竖直方向上延伸，并且在第一水平方向上彼此间隔开；电容器电极，具有第一部分和第二部分；电...
    2026-03-20
  • 一种芯片及存储器、电子设备
    一种芯片及存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411248005.6
    本申请提供一种芯片及存储器、电子设备，属于存储领域。该芯片包括，衬底；形成在所述衬底上的多个存储单元，多个存储单元包括铁电电容，铁电电容包括：第一电极、第二电极、铁电层；填充结构，填充结构的材料具有负热膨胀系数；填充结构设置在铁电电容的一侧...
    2026-03-20
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510874858.9
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种方法包含形成支柱，支柱从衬底向上突出且包括导电掺杂单晶半导电材料。支柱包括正在形成的存储器电路系统的个别存储器单元的晶体管的一个源极/漏极区抑或另一源极/漏极区。从支柱的顶部及侧壁...
    2026-03-20
  • 铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法
    铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法_中国科学院微电子研究所_202411213506.0
    本申请提出一种铁电场效应晶体管、三维铁电存储器及其制备方法和操作方法，该铁电场效应晶体管和三维铁电存储器的结构，均包括叠层上界面层、铁电层以及下界面层，叠层上界面层均包括隧穿层、电荷俘获层以及阻挡层。施加外加电压后，由于铁电层存在铁电强化，...
    2026-03-20
  • 一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法
    一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法_洪启集成电路(珠海)有限公司_202511550184.3
    本申请涉及一种芯片中高深宽比结构ALD盖层的制备方法、预处理及分析方法，该方法对刻蚀后的具有高深宽比结构的芯片进行真空低温加热处理；对经真空低温加热处理的芯片进行原子层沉积，在芯片的高深宽比结构外包覆ALD盖层。有效解决现有采用湿法清洗和/...
    2026-03-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510281483.5
    提供一种能够更恰当地进行构造的测量的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备构造体和遮光部。遮光部在用于被照射测量光而测量构造体的构造的测量部位处，设置在比构造体更靠被照射的测量光的行进方向侧的位置，遮挡测量光。遮光部具有2层以上...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510275010.4
    本发明提供一种半导体存储装置，其能提高良率。一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；积层体，配置在第1方向上的衬底的上方；第1导电体层，配置在衬底与积层体之间；存储器柱，包含半导体膜，在第1方向上延伸，贯通第1导电体层；及第1部件，在与第1方...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510273677.0
    本发明提高半导体存储装置的成品率。实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层及多个第1绝缘膜，在第1方向交替积层；存储器柱，在第1方向延伸，通过多个配线层及多个第1绝缘膜，这里，存储器柱具有在第1方向延伸的半导体、设置在半导体与多个配线层及多...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510215060.3
    本发明提供一种半导体装置。第1绝缘体及第2绝缘体在第1方向上具有间隔地排列。存储柱在第1方向上延伸并贯穿第1绝缘体及第2绝缘体。第3绝缘体在第1绝缘体的面上、第2绝缘体的面上以及存储柱的面中的第1绝缘体与第2绝缘体之间的第1部分上遍及。第3...
    2026-03-20
  • 存储器结构及其形成方法
    存储器结构及其形成方法_上海复旦微电子集团股份有限公司_202411259997.2
    一种存储器结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干隔离层和若干字线栅层，所述隔离层和所述字线栅层依次交替堆叠，所述字线栅层位于相邻的所述隔离层之间；位于所述隔离层和所述字线栅层侧壁的电荷俘获层；位于所述电荷俘获层侧壁的沟道...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511019017.6
    一种半导体装置包括：栅电极结构，包括在与基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开的栅电极；绝缘图案，设置在栅电极之间；第一电容器电极，在第一方向上延伸穿过栅电极结构和绝缘图案，第一电容器电极包括金属；介电图案，在第一电容器电极的侧壁上；以及第...
    2026-03-20
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