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最新专利技术
  • 10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片
    10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片_安徽大学_202610129028.8
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种10T‑SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片。10T‑SRAM单元由5个PMOS管P1~P5和5个NMOS管N1~N5构成。P1、P2、N1～N4构成包含NMOS管型数据传输通道的6T‑SRA...
    2026-05-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510187931.5
    本申请涉及一种半导体存储装置。多个存储单元与多个字线及多个位线的交叉位置对应，使用氧化物半导体构成。字线控制电路使依照第1地址选择的第1字线的电压变化而使第1字线激活或失活。感测放大器电路检测并锁存连接于第1字线的多个第1存储单元的数据。读...
    2026-05-11
  • 存储器装置及存储器系统
    存储器装置及存储器系统_旺宏电子股份有限公司_202411922374.9
    本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串用以储存一储存数据，并比较一输入数据与该储存数据以产生一字串电流信号。存储器字串包含多个存储器单元。存储器单元包含串联耦接的多个开关元件。当该输入数据的一量化值等于该...
    2026-05-11
  • 能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置
    能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置_三星电子株式会社_202511159236.4
    示例实施例涉及一种能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置。该存储器装置包括电源线、接地源线、功率门控开关电路和具有多个字线驱动器电路的行译码器。字线驱动器电路基于译码后的行地址当中的第一最高有效位(MSB)信号被分为第一组和第二...
    2026-05-11
  • 具有选择元件的半导体器件
    具有选择元件的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511273578.9
    本申请涉及具有选择元件的半导体器件。半导体器件包括：包括第一子单元区域和第二子单元区域的单元区域；在第一方向上与单元区域的一侧相邻的第一外围电路区域；以及在与第一方向垂直的第二方向上与单元区域的另一侧相邻的第二外围电路区域。第一子单元区域包...
    2026-05-11
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511167989.X
    提供了一种存储器设备，其被配置为从外部主机设备接收处理命令。该存储器设备包括存储器内处理器和错误报告电路，存储器内处理器被配置为响应于处理命令执行存储器内处理操作，错误报告电路被配置为响应于处理命令向外部主机设备提供指示在存储器内处理操作期...
    2026-05-11
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511108367.X
    一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括与对应于多个行的多个字线耦合的正常单元和每行激活计数(PRAC)单元；刷新控制电路，被配置为基于刷新命令来刷新对应于多个行的多个字线；以及激活生成电路，被配置为基于激活命令来生成行激活信号。行激活信号...
    2026-05-11
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_铠侠股份有限公司_202510234237.4
    实施方式提供能够抑制存储特性的劣化、或者能够使存储特性恢复的半导体存储装置及其控制方法。本实施方式的半导体存储装置具备存储器件，其包含由晶体管构成且能够保持数据的多个存储单元。控制器使用从第一电压到最高阈值电压为止的第一范围将数据写入多个存...
    2026-05-11
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202510275151.6
    本发明提供能够提高动作性能的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备存储单元(MC)、恒流源(CS)、开关(S1、S2以及S3)、峰值检测电路(51)、以及感测放大器(SA)。存储单元包括可变电阻元件(VR)以及选择器元件(SE)。恒流源(CS...
    2026-05-11
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510223368.2
    实施方式提供能够高精度地存储数据的存储装置。一实施方式的存储装置包含第一存储单元、第一布线、第二布线、第一开关、第三布线、第二开关、第四布线、第一晶体管、第三开关及读出放大器电路。第一存储单元包括第一磁阻效应元件和与第一磁阻效应元件连接的第...
    2026-05-11
  • 一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法
    一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法_浙江驰拓科技有限公司_202411206568.9
    本发明涉及存储器制造领域，特别是涉及一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法，包括位线、源线及存储单元；所述存储单元包括串接的单极性选择器与磁性隧道结；多个所述存储单元在所述一次性可编程存储器的存储区阵列排布；在所述一次性可编程存储器的...
    2026-05-11
  • 一种存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411266221.3
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备，存储器包括：至少一个存储阵列，存储阵列包括沿垂直堆叠的多层存储单元阵列，多条垂直延伸的局域位线；存储单元阵列包括：多条沿第二方向延伸的局域字线；同一存储单元阵列的多条局域字线分成多个字线组，每个字线组包...
    2026-05-11
  • 时钟传输电路、相位校准方法及存储器
    时钟传输电路、相位校准方法及存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202411206661.X
    本公开提供一种时钟传输电路、相位校准方法和存储器。时钟传输电路包括：第一时钟分布网络和第二时钟分布网络，分别接收第一输入时钟信号和第二输入时钟信号，传输至输出端口区域，输出第一目标时钟信号和第二目标时钟信号；当正常工作模式下，第二输入时钟信...
    2026-05-11
  • 数据处理装置和数据处理系统
    数据处理装置和数据处理系统_爱思开海力士有限公司_202510575962.8
    本申请涉及一种数据处理装置和数据处理系统。输入/输出单元与位于数据处理装置外部的存储器通信，以提供子处理功能，从而使用位于数据处理装置内部的存储器和位于数据处理装置外部的存储器执行数据处理。可以减少由于数据处理装置的处理单元访问位于数据处理...
    2026-05-11
  • 存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法
    存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510246310.X
    本公开提供一种存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法。该存储器系统包括：至少一个存储器装置；以及控制器。控制器联接到至少一个存储器装置。控制器被配置为基于预设的内部资源是否被分配用于处理多个数据输入/输出(I/O)请求，改变在多个数据...
    2026-05-11
  • 增强数据写入功能的系统
    增强数据写入功能的系统_联华电子股份有限公司_202411331049.5
    增强数据写入功能的系统包含磁阻式随机存取存储器阵列、第一驱动电路、第二驱动电路及增强电路。第一驱动电路耦接在磁阻式随机存取存储器阵列，用以提供多个字线电压至磁阻式随机存取存储器阵列。第二驱动电路，耦接在磁阻式随机存取存储器阵列的一侧，用以提...
    2026-05-11
  • 具有用于阈值选择器开关的尖峰衰减的用于非易失性存储器的双极解码器
    具有用于阈值选择器开关的尖峰衰减的用于非易失性存储器的双极解码器_桑迪士克科技股份有限公司_202510485424.X
    对于使用阈值选择器开关(诸如双向阈值开关)的MRAM和其他存储器单元技术，当存取所选择的存储器单元(诸如用于读取)时，跨越该存储器单元的电压需要足以接通该阈值选择器开关。这会导致电流尖峰，该电流尖峰可损坏该存储器单元并且干扰写入其中的数据值...
    2026-05-11
  • 用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略
    用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略_桑迪士克科技股份有限公司_202510482825.X
    要对MRAM存储器单元进行编程，电流必须从该存储器单元对应的位线流动到其对应的字线，或者从该字线流动到该位线。为了实现这一点，位线解码器和字线解码器必须能够提供电流(当将线路驱动为正时)和吸收电流(当将该线路拉低为负时)以考虑该存储器单元的...
    2026-05-11
  • 灵敏放大电路及存储器
    灵敏放大电路及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411233528.3
    本申请公开了一种灵敏放大电路及存储器，该灵敏放大电路包括灵敏放大模块及第一开关单元，灵敏放大模块连接在目标位线与参考位线之间，并连接灵敏放大电压线，在电荷分享阶段，目标位线分享对应开启的存储单元存储的存储电荷；在感应阶段，灵敏放大电压线被驱...
    2026-05-11
  • 灵敏放大电路及存储器
    灵敏放大电路及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411230740.4
    本申请公开了一种灵敏放大电路及存储器，该灵敏放大电路包括灵敏放大模块及第一开关单元，灵敏放大电压线包括第一组灵敏放大电压线和第二组灵敏放大电压线；灵敏放大模块包括第一反相单元及第二反相单元，第一反相单元连接在目标位线与参考位线之间，并连接第...
    2026-05-11
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