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最新专利技术
  • 一种微流散热结构
    一种微流散热结构_中国科学院微电子研究所_202411147960.0
    本发明公开一种微流散热结构，涉及芯片散热技术领域，包括：微通道基板，包括有用于导流的微通道，且微通道基板开设有安放孔；微流基板，微流基板的第一面设置用于冷却介质流动的微流结构，与微流基板的第一面相对应的微流基板的第二面用于与芯片相贴合，微流...
    2026-03-15
  • 一种芯片散热用低热膨胀-高导热梯度复合材料及其制备方法
    一种芯片散热用低热膨胀-高导热梯度复合材料及其制备方法_东莞理工学院_202511875509.5
    本发明提出了一种芯片散热用低热膨胀‑高导热梯度复合材料及其制备方法，属于电子设备散热结构与有色金属多孔复合材料技术领域。本发明的复合材料从芯片接触面到散热面依次为内层热匹配层和外层高效散热层，所述内层热匹配层为ZrW2O8增强Al基复合材料...
    2026-03-15
  • 一种集成电路专用散热装置
    一种集成电路专用散热装置_成都鑫睿众诚科技有限公司_202511503118.0
    本发明涉及集成电路散热技术领域，具体是一种集成电路专用散热装置，包括IC，所述IC的上表面涂覆有导热界面材料，所述IC的上方设置有TEG，所述TEG的下表面通过导热界面材料与IC的上表面固定连接，所述TEG的上表面固定连接有散热板，所述TE...
    2026-03-15
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511464364.X
    提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括形成在基板之上的第一晶粒、以及围绕第一晶粒的第一封装层。封装结构包括形成在第一晶粒和第一封装层之上的盖结构、以及形成在第一晶粒和盖结构之间的第一热界面材料(TIM)。第一热界面材料包括液态金属。封装...
    2026-03-15
  • 一种芯片散热结构
    一种芯片散热结构_联德电子科技(常熟)有限公司_202610043024.8
    本发明提供了一种芯片散热结构，其使得热管能够合理布置、并优化整个散热结构对芯片散热效率。其包括：铜块，其包括有受热面、散热面，受热面用于接收芯片的热能；N根热管，每根热管包括打扁部分、转向折弯部分、柱体插装部分, N为大于等于3的自然数；散...
    2026-03-15
  • 一种散热器及其制作方法、芯片、服务器
    一种散热器及其制作方法、芯片、服务器_浪潮(重庆)计算机科技有限公司_202511785479.9
    本申请涉及散热领域，公开了一种散热器及其制作方法、芯片、服务器，包括：纳米纤维散热网络，所述纳米纤维散热网络原位集成于芯片的表面；所述纳米纤维散热网络包括多个相互分离的散热体，所述散热体向远离所述芯片的表面的方向延伸。本申请中纳米纤维散热网...
    2026-03-15
  • 一种3D打印高性能计算芯片液冷板
    一种3D打印高性能计算芯片液冷板_宁波诺丁汉大学_202511723813.8
    本发明公开了一种3D打印高性能计算芯片液冷板，涉及散热器技术领域，包括基板，所述基板中部两侧对称固定有导流墙，所述导流墙上倾向进液口位置开设有导流孔，且导流墙之间形成内流道，内流道分布有仿涡轮叶片式翅片，所述导流墙外侧与外壳内侧之间形成外流...
    2026-03-15
  • 压电降膜循环散热装置
    压电降膜循环散热装置_中国科学院工程热物理研究所_202511467251.5
    本发明属于芯片散热领域，尤其涉及一种压电降膜循环散热装置，包括密闭空腔，在密闭空腔的外侧设置有取热面，在密闭空腔的内侧设置有降膜蒸发沸腾面、液体工质、压电泵、液顶盒及冷凝面，降膜蒸发沸腾面为金属多孔结构；液体工质在密闭空腔内形成液池，压电泵...
    2026-03-15
  • 半导体封装组件和用于其形成的方法
    半导体封装组件和用于其形成的方法_星科金朋私人有限公司_202411125172.1
    一种半导体封装组件，包括：半导体封装，包括：基板；安装在基板上的半导体裸片；互连块对，安装在基板上并位于半导体裸片的相对侧处；以及密封剂层，形成于基板上以密封半导体裸片和互连块对，互连块对具有暴露于密封剂层的相应顶面，并且半导体裸片的顶面暴...
    2026-03-15
  • 具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法
    具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法_钰创科技股份有限公司_202511175745.6
    本发明揭示一种半导体装置封装。该半导体装置封装包括堆叠结构，该结构包括多个相对于彼此垂直堆叠的电子部件。该等多个电子部件的每一者均设置成在垂直方向上提供电连接。第一导热元件围绕该堆叠结构的侧表面，并且热耦合到该等多个电子部件的至少一者的一侧...
    2026-03-15
  • 熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路
    熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路_浙江创芯集成电路有限公司_202511815881.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路，该熔丝结构包括：衬底；位于衬底上的熔丝体；其中，熔丝体的材质为多晶硅材质；刻蚀停止层；其中，刻蚀停止层覆盖在熔丝体的正上方，且刻蚀停止层的厚度为35埃至65埃；...
    2026-03-15
  • 熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法
    熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511666196.2
    本发明涉及一种熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法。所述熔丝互连结构包括：衬底、N条熔丝、N个测试引脚、N个隔离层和N层连接线。其中，第1隔离层覆盖在所述衬底表面，所述N层连接线位于所述第1隔离层上，每两层连接线之间通过隔离层...
    2026-03-15
  • 包括熔丝的半导体元件及其制备方法
    包括熔丝的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268624.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形成在...
    2026-03-15
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511906666.8
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：有源层和位于所述有源层上的多层布线层；所述多层布线层包括叠设的底层布线层和高层布线层，所述底层布线层位于所述高层布线层与所述有源层之间；所述半导体结构的核心线路设置于所述高层布线层；其...
    2026-03-15
  • 集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置
    集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置_清华大学_202511834403.0
    一种集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置。该集成电路芯片包括：衬底层、第一功能层、第二功能层和芯片电压端口，其中，衬底层、第一功能层以及第二功能层至少部分层叠，第一功能层设置在衬底层的上方，第二功能层设置在第一功能层远离衬底层的...
    2026-03-15
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511166137.9
    本公开涉及一种包括锥形间隔件的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：导线接触插塞和导电图案，它们在第一方向上彼此间隔开；导线，其设置在导线接触插塞之上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及间隔结构，其配置为接触导线的侧壁和导线接触插塞...
    2026-03-15
  • 背面电力分配网络架构中的半导体集成电路
    背面电力分配网络架构中的半导体集成电路_三星电子株式会社_202510382157.3
    一种集成电路，包括：绝缘层；第一导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第二导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第三导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第一标准单元，在绝缘层中，包括第一单元边界；以及第二标准单元，其中，第一导电层在第一方向上与第一单...
    2026-03-15
  • 半导体装置
    半导体装置_碇基半导体股份有限公司_202510303921.3
    一种半导体装置，包含主动层、源极电极与漏极电极、源极金属层、漏极金属层以及源极垫。主动层包含主动区。源极电极与漏极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。源极金属层设置于主动区且电性连接至源极电极，其中源极金属层延伸于第二方向并在俯视图...
    2026-03-15
  • 一种金属导线的形成方法及半导体结构
    一种金属导线的形成方法及半导体结构_武汉楚兴技术有限公司_202411179266.7
    本申请提供一种金属导线的形成方法及半导体结构，半导体结构包括层叠的第二介电层和第一介电层，第一介电层包括多孔材料，第二介电层中具有金属层，第一介电层中具有多个通孔，金属层的表面暴露在通孔的底部；至少在通孔的侧壁上形成保护层；保护层的材料包括...
    2026-03-15
  • 具有电容器结构的导电结构及其制备方法
    具有电容器结构的导电结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510183764.7
    本申请公开一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一电极层、一中间介电层及一第二电极层。该第二支撑层配置于该第一支撑层上，并与该第一支撑层间隔开。该第一电极层包括一第一部分。该第一部分包括一第一区域及一第二区...
    2026-03-15
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