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  • 本发明公开了一种半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法,半导体外延层的制备方法包括:将衬底置于外延反应腔室内;向外延反应腔室内提供半导体外延层材料的反应源,于衬底的一侧形成半导体外延层;其中,半导体外延层形成过程中的中间产物包括至少...
  • 本发明公开了一种原位氧化锡掺杂硒化铅提升红外探测性能的材料制备方法,属于红外探测领域。本发明实现从紫外到中红外高性能探测的功能。本发明采用硒化铅(PbSe)和锡(Sn)双靶材磁控共溅射沉积完成硒化铅薄膜锡掺杂过程,并在薄膜沉积过程中通入离化...
  • 本发明涉及存储器技术领域,具体涉及一种基于单层氧化镓和单层蓝磷的铁电金属调控忆阻器及芯片。铁电金属调控忆阻器包括从上至下依次接触设置的顶电极层、调控层以及底电极层。其通过利用氧化镓独特的铁电特性和蓝磷二维材料的优异电学性能结合在一起,两者形...
  • 本申请涉及电子材料及器件技术领域,公开了面向高温应用的忆阻器及其制备方法。忆阻器,包括:导电基板;栅极介质层,所述栅极介质层设置在所述导电基板的至少一个表面;第一封装层,所述第一封装层设置在所述栅极介质层远离所述导电基板的一侧;沟道层,所述...
  • 本申请属于半导体器件技术领域,涉及一种射频开关器件的制备方法,包括:在衬底上沉积相变材料,得到相变材料层;在相变材料层上制备第一电极;在第一电极与相变材料层的连接处沉积导电牺牲层;在相变材料层上制备第二电极,并使第二电极覆盖导电牺牲层;去除...
  • 本发明提供一种磁性拓扑绝缘体异质结材料及其合成方法,涉及拓扑绝缘体异质结材料技术领域。该磁性拓扑绝缘体异质结材料采用“磁性缓冲层‑界面修饰层‑拓扑绝缘体层‑磁性覆盖层”的四层复合结构,以室温铁磁材料Fe3O4为磁性功能层,以(Bi0.8Sb...
  • 本发明提供了一种用于片上超声模组的封装结构及方法,包括CMOS裸片;封装层,用于封装CMOS裸片;封装层上贯穿设置有用于对CMOS裸片进行扇出的所述金属柱;第一再分布层,第一再分布层形成于所述CMOS裸片正面的封装层上,用于将CMOS裸片的...
  • 本发明属于柔性热释电材料相关技术领域,更具体地,涉及一种提升铁电极化和热释电的热压成形方法及产品。该方法包括下列步骤:将具有铁电相的聚偏氟乙烯‑四氟乙烯聚合物粉末平铺在基板上;加热所述粉末至熔融态,对所述熔融态的聚偏氟乙烯‑四氟乙烯聚合物进...
  • 本发明公开了一种极性液体p‑n结的构建方法及其热伏效应。该方法采用极性液体作为液态半导体,将自由电子密度不同的电极P和电极N置于其中,且两者与液体不发生化学反应。在P/L和N/L界面分别形成高、低浓度的偶极子层,从而调节界面电容特性,构成p...
  • 本公开涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法以及电子装置。沉积掩模包括:掩模框架,具有单元开口;以及隔膜,设置在掩模框架上,并且隔膜具有连接到单元开口的多个像素开口。隔膜包括限定像素开口的肋区。与隔膜由不同的材料制成的至少一个异质材料图案设置在肋...
  • 本发明涉及光伏电池的技术领域,尤其涉及一种钙钛矿层制备方法及电池组件,包括在基体上蒸镀碘化铅层;配置FAI过量的α相的钙钛矿溶液,刮涂FAI过量的α相的钙钛矿溶液于蒸镀有碘化铅层的基体上;对刮涂FAI过量的α相的钙钛矿溶液后的碘化铅层进行退...
  • 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在空穴传输层和钙钛矿活性层之间引入SAM分子,提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率,并进一步在空穴传输层和SAM层的界面处引入包括片状P型半导体材料的界面修饰...
  • 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明将钝化材料和电子传输材料混合得到混合前驱体,将所述混合前驱体涂覆到基材的表面得到所述钝化/电子复合层,规避了超薄钝化层对厚度的高度敏感性,解决了其因厚度难以精...
  • 本发明公开了一种有机发光层的封装方法及显示面板,涉及半导体领域,包括:通入气态前驱体和第一载气,在有机发光层远离基板的一侧随形得到第一封装薄膜,所述第一封装薄膜覆盖所述有机发光层的顶面和侧面;通入所述气态前驱体和第二载气,在所述第一封装薄膜...
  • 本发明涉及硅基OLED微显示技术领域,公开了显示面板及其制备方法和显示装置,提供一CMOS基底,在所述CMOS基底的一侧依次制备阳极、绝缘层、像素定义层、有机发光层和阴极;在阴极上方制备封装层,封装层的材料为高折射率无机材料;通过图案化工艺...
  • 一种基于优化空穴传输层的反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于反型钙钛矿太阳能电池技术领域。其结构从下至上依次为玻璃衬底上的ITO导电薄膜、优化的NiOX空穴传输层、2PACz单分子自组装层、钙钛矿层、钙钛矿钝化层、C60电子传输层、BCP...
  • 本发明公开了一种制备钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的方法、器件,本发明采用等离子体对晶硅底电池上的透明导电氧化物层表面进行预处理,以形成纳米孔洞,增强粗糙度,从而提供机械锚定点,提高界面接触质量;随后采用纳米颗粒填充透明导电氧化物层表面上的凹陷,...
  • 本发明提供一种钙钛矿电池划线设备及划线方法,划线设备包括:第一直线运动模组设置在底座上表面,第二直线运动模组与第一直线运动模组的移动部相连接,旋转运动模组与第二直线运动模组的移动部相连接,固定治具与旋转运动模组的旋转部相连接,以承载固定待划...
  • 本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法和显示装置,该制备方法包括:在阵列基板一侧形成像素定义层和隔离结构层,隔离结构层位于像素定义层远离阵列基板一侧;对位于显示区的部分子像素对应的隔离结构层和像素定义层分别进行图案化;在图案化后的像素定...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了大片贴合结构及应用该结构的贴合方法,大片贴合结构包括:包括基板、围堰胶、填充胶和盖板玻璃,围堰胶形成围堰结构,所述填充胶被涂布于基板上并位于围堰结构内,所述填充胶涂布完成后形成平面图案,所述平面图案包括主图案...
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