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最新专利技术
  • 底座装置以及半导体设备
    底座装置以及半导体设备_宸微设备科技(苏州)有限公司_202511947869.1
    一种底座装置以及半导体设备，底座装置工作时，吹扫结构向波纹管内部提供正压气体，从而在波纹管的内部空间形成动态的正压气体，形成气封，气封能够阻挡外部的前驱体气体进入波纹管的内部，即使外部的前驱体气体进入波纹管内，也可以被正压气体稀释，从而降低...
    2026-04-11
  • 一种复合陶瓷层结构及其制备方法与应用
    一种复合陶瓷层结构及其制备方法与应用_厦门金鹭特种合金有限公司_202511742948.9
    本发明涉及一种复合陶瓷层结构及其制备方法与应用，所述复合陶瓷层结构包括依次层叠设置的复合陶瓷层、复合过渡层与保护层；所述复合过渡层包括至少1层过渡层结构；所述过渡层结构包括层叠设置的第一过渡层与第二过渡层。复合陶瓷层结构通过硬度不同的第一过...
    2026-04-11
  • 氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备
    氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511686375.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种氮化硅薄膜、半导体器件的制造方法及半导体工艺设备。氮化硅薄膜的制造方法包括：沉积步，向工艺腔室内通入硅源气体和氮源气体，以通过化学气相沉积方法在基体表面沉积氮化硅薄膜；其中，硅源气体与氮源气体的流...
    2026-04-11
  • 一种基于CVD的碳化硅涂层石墨载盘的制备方法
    一种基于CVD的碳化硅涂层石墨载盘的制备方法_昊石新材料科技南通有限公司_202511826209.8
    本申请涉及一种基于CVD的碳化硅涂层石墨载盘的制备方法，包括如下步骤：S1、石墨载盘前处理：将有机前驱体沉积至石墨载盘表面，得到过渡薄膜；S2、原位共沉积：通入复合前驱体，通过化学气相沉积，在过渡薄膜表面共沉积形成碳化硅纳米复合涂层；S3、...
    2026-04-11
  • 基于碳/氮原子取代的无定形态氧化硅材料及其制备方法与设备
    基于碳/氮原子取代的无定形态氧化硅材料及其制备方法与设备_上海创熠微材料科技有限公司_202511289437.6
    本发明提供一种基于碳/氮原子取代的无定形态氧化硅材料及其制备方法与设备，包括在低温条件下，利用ALD工艺制备由碳、氮原子部分取代的无定形态氧化硅，其化学式表示为：SiOxxCyyNzz，其中，xyz同时满足以下条件：x+y+z≤2, 1≤x...
    2026-04-11
  • 一种宽度梯度二硫化钨纳米带、其制备方法及在自驱动光电探测器中的应用
    一种宽度梯度二硫化钨纳米带、其制备方法及在自驱动光电探测器中的应用_河南省科学院物理研究所_202511789871.0
    本发明公开一种宽度梯度二硫化钨纳米带、其制备方法及在自驱动光电探测器中的应用，通过在基底上沉积Ni薄膜并退火形成催化颗粒，利用化学气相沉积系统，通过精确控制中心温区的三氧化钨与下游温区的生长基底之间的温度梯度，并以恒定速率推进固态硫源，调控...
    2026-04-11
  • 用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法
    用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511529816.8
    本发明涉及一种用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在将硅片放置到硅舟上之前，对硅片表面进行等离子体清洗处理。第二步：在LPCVD工艺过程中，精确控制反应温度、压力和反应气体流量。第三步：...
    2026-04-11
  • 真空夹送牵引辊机构、真空卷绕镀膜设备及其控制方法
    真空夹送牵引辊机构、真空卷绕镀膜设备及其控制方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511713228.X
    本发明公开了一种真空夹送牵引辊机构、真空卷绕镀膜设备及其控制方法，真空夹送牵引辊机构包括牵引辊、胶压辊、设置于真空腔室内的压紧机构以及设置于真空腔室内的反向限位机构，压紧机构包括第一伺服电机，用于驱动胶压辊产生压向牵引辊的压紧力；反向限位机...
    2026-04-11
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_江苏乐为真空科技有限公司_202511785012.4
    本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种真空镀膜设备，包括全方位旋转置物单元，全方位旋转置物单元设置在真空镀膜设备的工作台上且位于真空腔室内部，全方位旋转置物单元包括转动台、齿轮转盘、齿轮盘、安装支架、传动组件、旋转放置组件、升降组件、限位组件...
    2026-04-11
  • TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备
    TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备_艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司_202610100015.8
    本发明属于镀膜玻璃技术领域，具体提供了一种TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备。其旨在解决现有TGV金属化工艺中金属膜与玻璃基板之间的附着力低、通孔内的金属覆盖率和台阶率低以及玻璃表面积累电荷高导致表面放电现象严重的问题。本发明...
    2026-04-11
  • 一种基于涡流管效应且磁场旋转的阴极装置
    一种基于涡流管效应且磁场旋转的阴极装置_浙江大学绍兴研究院_202511862330.6
    本申请公开了一种基于涡流管效应且磁场旋转的阴极装置，包括阴极本体组件、旋转驱动机构和涡流管组件。阴极本体组件包括密封罩以及位于密封罩内的阴极本体，阴极本体的底部设有靶材；旋转驱动机构包括位于密封罩内的磁铁隔套以及用于驱动磁铁隔套转动的伺服电...
    2026-04-11
  • 一种分区式多功能金属双腔真空镀膜工艺及系统
    一种分区式多功能金属双腔真空镀膜工艺及系统_苏州研杰五金科技有限公司_202511767618.5
    本发明公开一种分区式多功能金属双腔真空镀膜工艺及系统，属于材料表面处理技术领域。工艺包括基材预处理、双腔准备、真空检查、第一腔底层沉积、真空转运、第二腔功能层沉积及降温步骤，双腔分别配置对应靶材，支持并行作业与真空无缝转运；系统包含双镀膜腔...
    2026-04-11
  • 一种空间活动件高温环境用“缓释型”耐磨润滑复合薄膜及其制备方法
    一种空间活动件高温环境用“缓释型”耐磨润滑复合薄膜及其制备方法_兰州空间技术物理研究所_202511634434.1
    本发明公开了一种空间活动件高温环境用“缓释型”耐磨润滑复合薄膜及其制备方法。所述薄膜底层为采用磁控溅射技术沉积在零件上的Ti层或Cr层，Ti层或Cr层之上为脉冲激光引弧电弧沉积/磁控溅射复合技术沉积的ta‑C/WS22/Ag润滑层，ta‑C...
    2026-04-11
  • 一种真空镀膜生产线
    一种真空镀膜生产线_北京北方华创真空技术有限公司_202511595130.9
    本申请涉及一种真空镀膜生产线，其包括多个腔室，多个所述处理腔室包括依次连接的进料腔室、加热腔室、进料缓冲腔室、镀膜腔室、出料缓冲腔室、冷却腔室与出料腔室，以使得载有基片的托盘自所述进料腔室进入，并依次经所述加热腔室、所述进料缓冲腔室、所述镀...
    2026-04-11
  • 一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法
    一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法_成都鸿辰光子半导体科技有限公司_202610122049.7
    本发明公开了一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法，适用于半导体激光器技术领域。利用该用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法得到的膜系结构，其得到的SiN膜层压应力仅为100Mpa, 比现有的SiN膜层应力降低了14倍，耐氢氟酸溶液...
    2026-04-11
  • 一种薄壁异形金属封严环表面增韧CoMoCrSi涂层
    一种薄壁异形金属封严环表面增韧CoMoCrSi涂层_南昌航空大学_202511785127.3
    本发明一种薄壁异形金属封严环表面增韧CoMoCrSi涂层利用双层辉光等离子表面冶金技术，以CoMoCrSi合金为靶材，镍基高温合薄壁异形金属封严环为工件，经过三步过程得到。第一步通过控制电流密度调控金属封严环表面微区塑性变形，借助边缘效应实...
    2026-04-11
  • 一种双脉冲限域离子流沉积装备
    一种双脉冲限域离子流沉积装备_北京师范大学_202511797609.0
    本申请公开了一种双脉冲限域离子流沉积装备，涉及原子级制造领域，该装备包括：阴极靶材、脉冲触发电源、磁过滤管道、真空腔室、取束器、离子调节器和沉积靶盘；脉冲触发电源与阴极靶材连接；阴极靶材设置在磁过滤管道的一端；磁过滤管道的另一端与真空腔室连...
    2026-04-11
  • 富勒烯薄膜及其制备方法、太阳能电池
    富勒烯薄膜及其制备方法、太阳能电池_无锡博达新能科技有限公司_202511998733.3
    本申请涉及薄膜制备技术领域，特别是涉及一种富勒烯薄膜及其制备方法、太阳能电池，制备方法包括以下步骤：提供基底；将富勒烯材料与介质材料混合，制备混合料；真空蒸镀混合料，在基底上形成富勒烯薄膜；其中，介质材料的熔点为2623℃以上，热传导系数为...
    2026-04-11
  • 一种复合铝集流体过程方阻控制方法及系统
    一种复合铝集流体过程方阻控制方法及系统_深圳劲嘉聚能科技有限公司_202511228718.0
    本发明的一种复合铝集流体过程方阻控制方法，包括以下步骤：(a)采用真空蒸镀的方法，在真空蒸镀装置内，在基膜的A面形成第一铝金属层；(b)采用第一方阻检测设备，对形成在所述基膜A面的第一铝金属层在线检测方阻；(c)采用真空蒸镀的方法，在真空蒸...
    2026-04-11
  • 一种提高界面结合的连续SiC纤维增强钛铝基复合材料先驱丝及其制备方法
    一种提高界面结合的连续SiC纤维增强钛铝基复合材料先驱丝及其制备方法_中国航发北京航空材料研究院_202511733245.X
    本申请公开了一种提高界面结合的连续SiC纤维增强钛铝基复合材料先驱丝、复合材料及其制备方法，本申请以具有第一晶粒尺寸的TiAl合金为靶材，对SiC纤维进行磁控溅射，在所述SiC纤维表面形成第一涂层；以具有第二晶粒尺寸的TiAl合金为靶材，对...
    2026-04-11
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