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最新专利技术
  • 沉积系统的基板搬运系统
    沉积系统的基板搬运系统_雅世电子科技有限公司_202480047509.3
    本发明涉及沉积系统的基板搬运系统，涉及包括基板输送机器人以及具有与该基板输送机器人对应的结构的基板支撑部的基板搬运系统，基板输送机器人用于将基板输送至沉积腔室内进行沉积工艺。根据用于解决问题的本发明的一实施例，基板搬运系统包括：输送机器人，...
    2026-02-26
  • 基板处理装置
    基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480047314.9
    提供一种对边缘环进行定位的基板处理装置。基板处理装置具备：静电吸盘，具有基板支撑面和环支撑面，所述环支撑面上具有供升降销插入的第1贯穿孔；边缘环，由所述环支撑面支撑；及筒状部件，插入所述静电吸盘的所述第1贯穿孔，并具有第2贯穿孔，其中，所述...
    2026-02-26
  • 用于极端边缘膜均匀性的成形面板
    用于极端边缘膜均匀性的成形面板_应用材料公司_202480047649.0
    示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可限定基板支撑表面。腔室可包括被支撑在腔室主体顶上的面板。基板支撑件和面板的底表面可至少部分地限定处理区域。面板的底表面可限定位于基板支撑表面的径向外部10%的...
    2026-02-26
  • 用于将样品装载到样品位置的系统和方法
    用于将样品装载到样品位置的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480047386.3
    本发明提供了一种将样品装载到样品位置的方法。该方法包括将具有初始电压的样品装载到样品处置器上；当样品在样品处置器上时，使样品的电压从初始电压斜升到预定电压；当样品处于预定电压时，将样品从样品处置器转移到样品保持器的样品位置，其中样品保持器的...
    2026-02-26
  • 高压基板处理装置及方法
    高压基板处理装置及方法_株式会社HPSP_202480040486.3
    本发明公开高压基板处理装置及方法(HIGH‑PRESSURE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD)。所述高压基板处理装置包括内部腔室、外部腔室、加热模块以及循环模块。所述内部腔室形成为容纳待处...
    2026-02-26
  • 基板干燥装置及基板干燥方法
    基板干燥装置及基板干燥方法_回声技研株式会社_202480040173.8
    [问题]本发明提供一种在多个基板间的温度偏差小且在各基板表面的干燥均匀地进行的基板干燥装置。[解决手段]一种基板干燥装置(10)，具有：处理槽(20)，积存处理液(R)；第一基板保持机构(30)，设置在所述处理槽内，能够对使基板面平行地排列...
    2026-02-26
  • 蚀刻方法及蚀刻装置
    蚀刻方法及蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480045984.7
    所公开的蚀刻方法包括：(a)将具有基底膜、基底膜上的含硅膜及含硅膜上的掩模的基板提供到腔体内的工序；(b)使用由包含氟化氢气体及含钨气体的第1处理气体生成的第1等离子体对含硅膜进行蚀刻而形成凹部的工序；及(c)在(b)工序之后，使用由包含氟...
    2026-02-26
  • 等离子体处理装置的清洁方法和等离子体处理装置
    等离子体处理装置的清洁方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480040445.4
    一种等离子体处理装置的清洁方法，包括以下工序：工序(a)，向所述等离子体处理装置的腔室内导入清洁气体；工序(b)，在第一条件下在所述腔室内生成等离子体来进行第一清洁；以及工序(c)，在第二条件下在所述腔室内生成等离子体来进行第二清洁，在所述...
    2026-02-26
  • 用于控制等离子体腔室中颗粒生长的方法
    用于控制等离子体腔室中颗粒生长的方法_应用材料公司_202480047561.9
    本文公开了一种用于控制处理腔室中颗粒生长的方法。该方法包括在腔室中使用前驱物来执行至少一个等离子体沉积工艺以在基板上形成层。该方法还包括在至少一个等离子体沉积工艺期间向腔室提供功率，以及监测至少一个判据以确定何时将执行至少一次等离子体净化。...
    2026-02-26
  • 联锁系统、基板处理装置、联锁的显示方法、半导体装置的制造方法及程序
    联锁系统、基板处理装置、联锁的显示方法、半导体装置的制造方法及程序_株式会社国际电气_202380100535.3
    本发明提供一种能够容易地确定已成为联锁的主要原因的部位或要成为联锁的主要原因的部位的技术。具备：检测部，其分别设置在构成基板处理装置的多个模块，分别检测所述基板处理装置的物理状态并作为检测信号进行输出；联锁判定部，其针对多个联锁中的每个联锁...
    2026-02-26
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置_株式会社国际电气_202380100497.1
    本发明提供可以控制膜中(或层中)的结晶粒子的取向性的技术。本发明具有使循环进行规定次数，而在基板上形成膜的工序，该循环通过以下工序在所述基板上形成层：(a)工序，对所述基板供给含有卤素元素的原料气体；(b)工序，对所述基板供给反应气体的工序...
    2026-02-26
  • 用于晶圆键合系统中的工艺控制的集成计量
    用于晶圆键合系统中的工艺控制的集成计量_东京毅力科创株式会社_202480045547.5
    本披露内容的各方面提供了一种晶圆键合系统，该晶圆键合系统例如可以包括：晶圆键合工具，该晶圆键合工具被配置成根据第一晶圆键合配方将第一晶圆和第二晶圆彼此键合以产生第一键合后晶圆；计量工具，该计量工具与晶圆键合工具集成；以及工具控制器，该工具控...
    2026-02-26
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001049.0
    一种显示面板及显示装置，该显示面板具有显示区域和位于显示区域至少一侧的非显示区域，该显示面板包括显示背板(10)和触控层组(5)；触控层组设于显示背板的显示侧，触控层组包括多个第一触控单元(501)、多根第一触控走线(503)、多个第二触控...
    2026-02-26
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000944.0
    一种显示面板包括衬底、第一电极层、发光功能层和第二电极层。第一电极层设置于衬底的一侧；且，第一电极层包括多个第一电极。发光功能层设置于第一电极层远离衬底的一侧；且，发光功能层包括多个发光部。第二电极层设置于发光功能层远离衬底的一侧；且，第二...
    2026-02-26
  • 显示基板和显示装置
    显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000138.3
    提供一种显示基板，显示基板包括：衬底基板；第一功能层，位于衬底基板上；绝缘层，位于第一功能层远离衬底基板上的一侧，绝缘层具有过孔；第二功能层，位于绝缘层远离第一功能层的一侧，第二功能层通过过孔与第一功能层搭接；以及至少一层第三功能层，至少一...
    2026-02-26
  • 显示装置
    显示装置_夏普显示科技株式会社_202380100548.0
    在有机EL显示装置(1)中，在边框区域(FA)中的密封膜(80)的下层侧，设置有从显示区域(DA)以与密封膜(80)的接合部(SZ)交叉的方式延伸并被引出到端子部(TP)的引出线(40h)。引出线包含第1配线层(41)和隔着第1层间绝缘膜(...
    2026-02-26
  • 显示基板及其制作方法、以及显示装置
    显示基板及其制作方法、以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001133.2
    一种显示基板及其制作方法、以及显示装置。显示基板包括子像素以及像素限定图案。子像素包括发光功能层，发光功能层包括多个膜层；像素限定图案包括第一开口、第二开口以及像素限定部，第一开口被配置为限定子像素的发光区，发光功能层中至少一层在第二开口中...
    2026-02-26
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001143.6
    一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括形成多个像素行和多个像素列的多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路，像素驱动电路至少包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)和第四晶体管(T4)；第二电源线(82)通...
    2026-02-26
  • 有机发光显示装置
    有机发光显示装置_雅世电子科技有限公司_202480047647.1
    有机发光显示装置可以包括：基板上的子像素之间的堤；子像素处的阳极电极；阳极电极和堤上的有机发光层；有机发光层上的阴极电极；以及在堤的上侧和有机发光层间隔地配置的突出部。突出部包括：连接结构，其包括相接于阴极电极的辅助电极；以及桥接电极，其配...
    2026-02-26
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380012274.X
    阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括呈多行多列排布的多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路中的每个像素驱动电路包括多个晶体管，所述多个晶体管至少包括写入晶体管。所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板一侧的第一源漏金属层，设置...
    2026-02-26
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