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最新专利技术
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380100385.6
    基板收纳容器(1)包括：容器主体(2)，具备在前侧的一端部形成有容器主体开口部(21)且后侧的另一端部由里壁(22)封闭的筒状的壁部(20)，利用壁部(20)的内表面，形成可收纳多片基板(W)并与容器主体开口部(21)连通的基板收纳空间(2...
    2026-02-12
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380100323.5
    基板收纳容器(1)包括：容器主体(2)，具备在前侧的一端部形成有容器主体开口部(21)且后侧的另一端部由里壁(22)封闭的筒状的壁部(20)，利用壁部(20)的内表面，形成可收纳多片基板(W)并与容器主体开口部(21)连通的基板收纳空间(2...
    2026-02-12
  • 处理腔室气流改善
    处理腔室气流改善_应用材料公司_202480047114.3
    提供了一种处理腔室，包括：腔室主体，封闭内部容积；第一基板支撑件和第二基板支撑件，各自定位在所述内部容积中，所述第一基板支撑件定位在所述第二基板支撑件上方；阻挡层，定位在所述第一基板支撑件与所述第二基板支撑件之间，所述内部容积包括在所述阻挡...
    2026-02-12
  • 具有分布式净化通道、RF网和接地电极的加热器板
    具有分布式净化通道、RF网和接地电极的加热器板_应用材料公司_202480046701.0
    一种基板支撑组件包括：加热器板，所述加热器板包括电介质材料；加热器电极，所述加热器电极嵌入加热器板内；一组分布式净化通道，所述组分布式净化通道在加热器板内形成，其中所述组分布式净化通道提供一组气体流动路径，以均衡来自加热器板内的气流并在加热...
    2026-02-12
  • 具有前体分配系统的多站处理工具
    具有前体分配系统的多站处理工具_朗姆研究公司_202480046243.0
    所公开的示例涉及用于多站处理工具的前体分配系统及其操作方法。一示例提出多站处理工具，其包括：两个或更多个处理站；前体源；配料‑转向阀组件，其可操作以选择性地将从前体源所接收的前体流导向配料路径或转向路径。配料‑转向阀组件包括：前体入口，其接...
    2026-02-12
  • 使用人工智能生成预测和/或其他分析
    使用人工智能生成预测和/或其他分析_昂图创新有限公司_202480046101.4
    一种用于使用机器学习来预测半导体制造工艺的方面的方法。该方法涉及构建机器学习模型，该机器学习模型结合了生产的半导体制品的两个参数，这两个参数与该半导体制品的处于不同粒度级别的不同物理属性相关联。向计算设备提供这两个参数之间的数学关系，并且使...
    2026-02-12
  • 浆料及研磨方法
    浆料及研磨方法_株式会社力森诺科_202480002306.2
    一种浆料，其含有磨粒及水，磨粒包含铈氧化物粒子，X射线衍射测定中铈氧化物粒子的(200)面的峰值强度相对于(111)面的峰值强度的比率R与铈氧化物粒子的(111)面的微晶直径D之乘积P为7.5～11.0nm。一种研磨方法，其包括使用该浆料对...
    2026-02-12
  • 纯化含氟气体组合物的制造方法、半导体装置的制造方法、蚀刻装置
    纯化含氟气体组合物的制造方法、半导体装置的制造方法、蚀刻装置_中央硝子株式会社_202480046319.X
    本发明提供一种在进行蚀刻时能够抑制Cr向被处理表面上的混入的纯化含氟气体组合物的制造方法、应用了该纯化含氟气体组合物的制造方法的半导体装置的制造方法、及蚀刻装置。本发明涉及一种纯化含氟气体组合物的制造方法，其包括使粗含氟气体组合物与30℃以...
    2026-02-12
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480047068.7
    本发明的方法具有以下工序：(a)根据改性剂的供给量与原料相对于基板的饱和吸附特性的关系，来设定所述改性剂的供给量的工序；(b)根据所设定的供给量，将所述改性剂供给至所述基板的工序。
    2026-02-12
  • 气体供给方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序以及流量控制器
    气体供给方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序以及流量控制器_株式会社国际电气_202380100325.4
    本发明具有以下工序：第一工序，通过调整阀的开度，一边控制气体的流量，一边将所述气体供给至容器；第二工序，根据所述容器内的压力来调整所述阀的开度从而将所述气体供给至所述容器。
    2026-02-12
  • 磁穿隧接面元件的制造方法
    磁穿隧接面元件的制造方法_JSR株式会社_202480040575.8
    一种磁穿隧接面元件的制造方法，其制造在基板上直接或间接地依次包括磁穿隧接面层及金属层的磁穿隧接面元件，所述制造方法包括：在所述金属层上涂敷抗蚀剂组合物的工序，所述抗蚀剂组合物含有具有包含芳香环的结构单元的聚合物；对通过所述涂敷工序而形成的抗...
    2026-02-12
  • 有机电子材料、有机层、有机电子元件、显示元件、照明装置及显示装置
    有机电子材料、有机层、有机电子元件、显示元件、照明装置及显示装置_株式会社力森诺科_202480044901.2
    一种有机电子材料，其含有具有支链结构的电荷传输性聚合物，其中，所述电荷传输性聚合物包含下述式(a)所示的3价结构单元、下述式(b)所示的2价结构单元、以及聚合性官能团，且具有所述3价结构单元中的至少1个键合键与所述2价结构单元中的至少1个键...
    2026-02-12
  • 太阳能电池及叠层、钝化材料、光伏、用电及发电设备
    太阳能电池及叠层、钝化材料、光伏、用电及发电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202580000941.1
    一种太阳能电池、钝化材料、光伏系统、用电设备、发电设备，太阳能电池包括第一光吸收层(11)，第一光吸收层(11)包括钝化材料；或，太阳能电池包括第一光吸收层(11)和钝化层，钝化层设于第一光吸收层(11)的一侧，钝化层包括钝化材料；或，太阳...
    2026-02-12
  • 钙钛矿叠层太阳能电池
    钙钛矿叠层太阳能电池_韩华思路信株式会社_202480046605.6
    本发明提供了钙钛矿叠层太阳能电池，该钙钛矿叠层太阳能电池包括：上电池，其包括钙钛矿层；以及下电池，其包括硅层，其中，在上电池与下电池之间插入有机平坦化层以将颗粒限制在有机平坦化层中。
    2026-02-12
  • 半导体发光装置
    半导体发光装置_斯坦雷电气株式会社_202480046708.2
    本发明提供一种适于小型化、能紧密地配置成网格状或矩阵状的相对过电流具有高保护性能的半导体发光装置。具有：支承基板，在由第一导电型的半导体构成的平板状的基材的第一主面上设置有由阳极和阴极构成的至少一对载置电极，在基材的与第一主面对置的第二主面...
    2026-02-12
  • 摄像装置、半导体装置和电子设备
    摄像装置、半导体装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480046996.1
    本发明提供了摄像装置，该摄像装置包括第一基板、第二基板和第三基板。所述第一基板包括支撑基板、层叠于所述支撑基板上的埋入层以及埋入在所述埋入层中的第一芯片和第二芯片。所述第二基板包括晶体管，且层叠于所述第一基板上。所述第三基板具有包括多个摄像...
    2026-02-12
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480047043.7
    提供了一种能够提高性能得光检测装置。光检测装置包括：半导体基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面；和多个传感器像素，其设置在所述半导体基板上。所述多个传感器像素包括第一像素。所述第一像素包括：第一凹凸部，其设置在所...
    2026-02-12
  • 光检测装置和测距装置
    光检测装置和测距装置_索尼半导体解决方案公司_202480047120.9
    提供了一种光检测装置，包括：波导；横向PIN型光电二极管，其包括沿着波导的宽度方向排列的P型层、i层和N型层；和反射结构，其被构造为将来自波导的光限制在位于波导上的i层中。
    2026-02-12
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001716.5
    本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板具有显示区，以及位于所述显示区外围的周边区，阵列基板包括：衬底；第一有源层，位于所述衬底一侧，具有多个位于所述显示区的第一有源图案；第一金属层，位于所述第一有源层朝向所述衬底的一...
    2026-02-12
  • 用于在工程化衬底上制造的垂直场效应晶体管的方法和系统
    用于在工程化衬底上制造的垂直场效应晶体管的方法和系统_克罗米斯有限公司_202480045338.0
    一种制造半导体器件的方法，包括：提供工程化衬底。所述方法还包括：形成联接至工程化衬底的外延氮化镓(GaN)层；在外延GaN层中形成多个沟道；以及在沟道中形成多个栅极。所述方法还包括：形成联接至外延氮化镓层的多个源极；在栅极和源极上形成互连结...
    2026-02-12
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