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  • 本申请涉及一种晶圆处理装置、方法及存储介质,该处理装置包括:真空腔体、旋转机构和多层支架机构;所述真空腔体底部中间设有第一通孔,底部侧边设有第二通孔;所述旋转机构包括旋转轴和旋转盘,所述旋转轴贯穿所述第一通孔并与所述旋转盘连接;所述多层支架...
  • 本发明提供一种CMP工艺的监测方法、半导体设备。其中,所述CMP工艺的监测方法运用光学检测方法,实现对CMP工艺效果的高效检测。且在检测过程中,所述方法先采用MTD模拟量测点,并筛选出推荐光源;再采用套刻误差测量装置执行实际工艺验证,以选定...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,尤其涉及一种橡胶贴合装置。本发明提供一种橡胶贴合装置,其能通过在基座上设置放卷机、收卷机、导向夹紧组件、压紧辊轴、通槽和贴合止停机构的方式,使得:1、贴合止停机构作用橡胶卷时,将橡胶卷切断并将端头临时夹紧固定,...
  • 本申请涉及一种光电集成一体化COB封装设备,涉及半导体封装技术领域,其包括用于抓取并贴装芯片的芯片贴装模块、用于输送基板的基板传送模块、用于实现芯片与基板互连封装的光电同步封装模块。本申请通过设置真空吸附调节机构,当需适配不同规格芯片时,电...
  • 本申请提供了一种用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法,其中,该芯片贴片装置包括:载板支撑单元,其具有其限定了一个支撑平面的至少一个支撑元件,和支撑架可操作以将所述载板保持在所述支撑平面的一侧,所述载板平行于所述支撑平面;一个晶圆供给...
  • 本发明涉及晶片表面处理技术领域,尤其涉及一种晶片表面多功能处理设备,包括有底座,所述底座顶部前侧设置有两个处理箱,所述处理箱内均设置有超声波发生器,第一电动滑轨通过支撑架对称设置在所述底座顶部左右两侧,所述第一电动滑轨上滑动式设置有第一电动...
  • 本发明属于芯片加工技术领域,且公开了一种高精度压力控制固晶机,包括工作台,所述工作台的底端固定有支撑腿,所述工作台的顶端固定有滑轨,所述滑轨的外部设置有上料机构,所述工作台的顶端固定有固晶机构,所述工作台的顶端固定有调节机构,所述工作台的顶...
  • 本发明提供一种方法和系统。该方法包括:确定安装在激光辅助转移系统中的分立组件装配体的分立组件和目标基板上的目标位置之间的对准误差,该分立组件装配体包括通过动态释放层附着至支承件的分立组件;基于该对准误差来确定光束偏移特性;以及将指示该光束偏...
  • 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。基板处理装置(1)具备:步骤S2(浸渍过程),使将铅垂姿势的基板(W)沿水平方向排列而构成的基板列浸渍于硫酸;步骤S3(提起过程),将基板列整体从硫酸提起;以及步骤S5(喷雾供给过程),向提起后的基板列...
  • 本发明提供一种激光退火设备、加热工件台上下片装置及其方法,所述上片方法包括:升降机构于交接位承接基板,并将基板由交接位降至中间工位;升降机构将基板由中间工位降至工件台表面,并在此过程中利用工件台对基板热辐射至预设温度。所述下片方法包括:基板...
  • 本发明公开一种喷嘴装置、半导体处理设备及供气方法;所述喷嘴装置包括:主体,其内部设有进气通道,其下端设有与进气通道连通的出气部;出气部包括呈环形的出气壁及贯通所述出气壁的多个出气孔组。出气壁包括:第一环形区域,其具有统一的第一外径;第二环形...
  • 本发明涉及精密加热装置领域,尤其涉及一种精密的空气加热装置。在加热器支架(4)上安装有PTC加热器(6);所述加热器支架(4)设置在加热箱(1)的内下部上方,PTC加热器(6)设置在加热器支架(4)的上方,侧封板(5)设置在PTC加热器(6...
  • 本发明涉及硅片清洗装置技术领域,具体为一种硅片清洗机,包括控制箱,所述控制箱的内侧固定连接有安装架,所述安装架的一侧安装有第一电机,所述第一电机的内侧安装有超声波清洗机,所述超声波清洗机的内侧安装有用于滚动清理硅片的转动机构,所述超声波清洗...
  • 本发明提供一种控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质。该控片回收使用方法包括:将清洗条件相同的多个晶片盒中的多片控片的编码均记录在数据库中,数据库记载的清洗条件相同的所有控片默认为同一个虚拟批次;对多片控片进行相同条件的清洗;在数据库中...
  • 本发明提供一种降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法。该方法应用于对经过干法刻蚀的晶圆进行湿法清洗,包括:采用低电导率的第一清洗液对晶圆进行第一清洗处理,通过先降低转速形成厚液膜以物理性分散带电聚合物,再提高转速将污染物甩离晶圆;采用电导率高于第...
  • 本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种晶种自动酸洗线,包括有驱动设备、石英花篮和清洗箱;驱动设备上连接有石英花篮;驱动设备下方放置有清洗箱;清洗箱内设置有四个清洗槽;还包括有防尘罩;清洗箱上固接有防尘罩;清洗箱左侧和右侧均安装有电动阀门;每个清...
  • 本发明涉及一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备。所述热滑移解键合方法包括:S10.获取由上晶圆和下晶圆相键合的键合晶圆,加热所述键合晶圆至解键合温度;S20.驱动所述键合晶圆的至少一侧以使得所述上晶圆和所述下晶圆发生滑移,同...
  • 本申请提供了一种半导体结构的切割方法,涉及半导体技术领域。该切割方法包括:沿第三方向将预设光束聚焦在半导体结构内部的目标位置处,形成第一初始纳米损伤结构。基于第一初始纳米损伤结构的位置以及预设光束的脉冲间隔,形成多个干涉增强点。预设光束和半...
  • 本发明涉及一种基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法,属于半导体表面超精密切削加工技术领域,该方法包括搭建力伺服辅助切削加工装置,并为其配置力检测模块;结合力伺服辅助切削加工装置和力检测模块扫描半导体多晶工件,获得多个晶界点,基于...
  • 本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。该解键合设备包括:第一卡盘,用于抓取键合件中的上晶圆;第二卡盘,用于吸附键合件中的下晶圆;多个力传感器,分布于第二卡盘中,用于检测第二卡盘多个区域与下晶圆接触过程中的受力状态;控制器,被配置为:在第二...
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