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  • 本发明公开了一种n型半导体与铁电体混合薄膜作为吸收层的铁电太阳电池,其由下到上依次为导电基底、n型半导体薄膜、n型半导体与铁电体混合薄膜、p型半导体薄膜、对电极;所述n型半导体与铁电体混合薄膜为单层混合薄膜、双层梯度混合薄膜、三层梯度混合薄...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中制备方法包括提供太阳电池半成品,在N型掺杂区施加第一电极浆料,进行750℃~800℃的高温烧结处理,形成N区电极;在N型掺杂区制备至少覆盖N区电极的保护层;对P型掺杂区进行开膜处理,露出硅...
  • 本发明的实施例提供了一种HBC太阳能电池片金属电极的制作方法及HBC太阳能电池片,涉及背接触电池制造技术领域。该HBC太阳能电池片金属电极的制作方法包括在晶体硅基体层的第一表面的第一区域由内至外依次层叠非晶硅层和第一透明导电氧化物层,在晶体...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件,太阳能电池的制备方法包括如下步骤:提供基底,所述基底包括第一表面;在基底的第一表面进行硼扩散,得到硼扩散层,所述硼扩散包括:对所述基底的第一表面进行第一沉积,所述第一沉积包括第一恒温...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、其制备方法、叠层电池及光伏组件,太阳能电池的制备方法包括:提供硅基底;在第一预设温度下对硅基底进行硼掺杂,形成硼掺杂层,第一预设温度为700~800℃;在第二预设温度下采用等离子体源激活硼掺杂层...
  • 本发明公开了一种氮化镓紫外传感器的制备方法,涉及氮化镓紫外传感器加工技术领域。本发明包括以下步骤:步骤a:获取外延片,外延片自下而上包括硅衬底、缓冲层、半导体层和势垒层;步骤b:采用电感耦合等离子体刻蚀工艺腐蚀势垒层和部分的半导体层;步骤c...
  • 本申请涉及太阳电池领域,公开一种硅片及其湿法工艺、太阳电池、光伏组件。所述湿法工艺包括:对制绒后的硅片进行吸杂处理:通入掺杂源至少在所述硅片的背光面形成吸杂掩膜层,其中,所述吸杂掩膜层的材质为氧化物,所述吸杂掩膜层中的掺杂元素与所述硅片的导...
  • 本发明提供一种太阳能电池正面膜层及其制备方法、太阳能电池。太阳能电池正面膜层的制备方法包括:S1提供硅基体并进行预处理;S2采用原子层沉积法,在预处理后的硅基体正面依次制备超薄氧化硅层和氧化铝层;S3采用等离子体增强化学气相沉积法,在氧化铝...
  • 本发明提供一种红外探测器的电化学硫化钝化装置及方法,该电化学硫化钝化装置包括:承装硫化电解液的电解池;位于电解池中的支撑板和电极板,支撑板朝向电极板的表面固定设置有导电胶,支撑板用于通过导电胶与红外探测器所在的晶圆的背面相粘接,以使晶圆与电...
  • 本发明提供一种探测器异质结及其制备方法,方法包括:提供衬底;在衬底上自下而上依次堆叠形成底部接触层、长波吸收层、长波空穴势垒层和顶部接触层;基于第一尺寸蚀刻顶部接触层并停止在长波空穴势垒层上;以刻蚀后的顶部接触层为中心,基于第二尺寸蚀刻长波...
  • 本发明公开了一种背接触电池串的制备方法及背接触电池串,应用于太阳能电池技术领域,包括:在背接触电池片的背面沿长边方向的边缘设置激光隔离膜;对应相邻两个背接触电池片之间的激光隔离膜连接相邻两个背接触电池片,形成电池串预制件;激光隔离膜对激光具...
  • 本发明公开了一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法,涉及电池制作技术领域,包括:对硅片进行背面细栅印刷并烘干;背面主栅印刷并烘干;正面细栅印刷并烘干;正面主栅印刷;超声振动处理;正背面共烧;光注入退火;激光诱导烧结;紫外固化;测试...
  • 本发明涉及X射线探测器技术领域,尤其涉及一种基于Bi22M22O77单晶的X射线探测器及其制备方法。在Bi22M22O77单晶顶面溅射金作为正极,在Bi22M22O77单晶底面溅射金作为负极,得到基于Bi22M22O77单晶的X射线探测器。...
  • 本申请公开了一种太阳电池的制备方法和太阳电池,涉及光伏技术领域。在本申请中,无需在显影之前使用高腐蚀性的刻蚀液来一次性刻蚀掉边缘区域的种子层和透明导电层,只需要采用腐蚀性相对较弱的刻蚀液刻蚀掉边缘区域的种子层,让边缘区域的透明导电层露出即可...
  • 本发明属于太阳电池技术领域,具体公开了背接触电池的制绒添加剂、制绒液及制绒方法。背接触电池的制绒添加剂,按照质量百分数计包括:羧甲基纤维素钠1.0%~5.0%,木质素磺酸钠0.03%~0.2%,芍药苷0.003%~0.03%,丹酚酸B 0....
  • 本发明涉及新能源技术领域,具体为一种新型的电池焊接结构,所述电池焊接结构为银/铜‑锡‑锡的多层焊接结构。本发明通过铜‑锡‑锡多层焊接结构替代传统银‑锡结构,利用电镀、化学镀或铜浆印刷形成铜栅线,无需依赖银材,显著降低了原材料成本,同时铜栅线...
  • 本发明公开了一种尺寸灵活的四端子钙钛矿‑晶硅叠层组件及方法,属于光伏器件制造技术领域。其中,晶硅边缘钝化方法是将钝化材料溶液喷涂于晶硅电池的切割边缘及背面,干燥后形成致密稳定的钝化层,以提升切割后晶硅电池的效率保留率。本发明采用溶液旋涂或喷...
  • 本申请涉及一种基于PL成像主栅定位进行高精度等分划片方法和系统,通过PL成像模块对待划片的电池片照射激光产生光致发光时,获取对整个电池片捕捉到的PL图像;对捕捉的PL图像进行预处理后提取出电池片的实际主栅图像,并将实际主栅图像与预设的主栅图...
  • 本发明公开了一种单晶电池片的制绒工艺,包括以下步骤:S1 : 采用预制绒液对硅片预制绒处理;S2 : 采用制绒液对硅片制绒处理;预制绒液包括聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇;制绒液包括无机碱、脱泡剂和催化剂;无机碱为选自氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一...
  • 本申请公开了一种薄膜铌酸锂/钽酸锂光电器件的制备方法及其应用,属于光电器件制造技术领域。该制备方法包括:提供晶圆,所述晶圆的材质选自铌酸锂和/或钽酸锂;在所述晶圆的一面制备至少一层氮化硅光波导结构,所述氮化硅光波导结构由沉积的氮化硅薄膜经微...
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