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LED显示器件以及LED显示器件的制造方法
本申请公开了LED显示器件以及LED显示器件的制造方法,该LED显示器件包括驱动基板、第一发光组件和第二发光组件;驱动基板包括多个第一像素供电电极和第二像素供电电极;第一发光组件包括第一发光层组、第一像素界定电极和第二像素界定电极,第一像素...
一种LED封装结构及LED显示屏
本发明公开了一种LED封装结构,包括:硅转接板、重布线层、多个LED芯片和封装胶体;硅转接板设有第一表面和第二表面;硅转接板设有硅通孔;硅通孔贯穿硅转接板;重布线层设于硅转接板的第一表面;重布线层通过焊球与硅通孔电连接;LED芯片设于重布线...
定位治具及显示模组的制备方法
本发明提供了一种定位治具及显示模组的制备方法,定位治具用于显示模组的制备,该定位治具能够通过其内周侧壁与灯珠的外周侧壁紧配合,并能够其外周侧壁与面罩的罩孔侧壁紧配合,实现面罩位置的校正,以将灯板与面罩的定位误差控制在极小范围,从而精准锁定灯...
一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组
本发明公开了一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组,其通过在灯珠底部新增与阳极和阴极无电性连接的第三焊盘,以及在铜基板上与第三焊盘对应的辅助电流通路,将传统的单条“车道”拓宽为多条“车道”,为电流提供了低阻通路显著提升了电流容量、...
显示面板及显示装置
本申请提供了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括基板和发光组件,基板包括衬底和键合层,键合层设于衬底的一侧,键合层包括多个间隔的键合部;发光组件设于键合层远离衬底的一侧,发光组件包括多个发光器件,一发光器件对应至少两个键合部设置且连接;每...
基于分区设计的适老及影视两用LED光源及其封装工艺
本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种基于分区设计的适老及影视两用LED光源及其封装工艺,包括4PIN脚双碗杯式的双路支架和多个LED晶片;所述双路支架设置有外围功能区和内围功能区,内围功能区上涂覆有覆盖于其上的各LED晶片的暖白色荧光胶,...
一种含氮化硅波导的硅光集成芯片及其制备方法
本发明公开了一种含氮化硅波导的硅光集成芯片及其制备方法,包括:提供一硅光晶圆,所述硅光晶圆依次包括第一衬底、BOX层、硅基无源器件、有源器件、第一SiO22包覆层;提供一氮化硅晶圆,所述氮化硅晶圆依次包括第二衬底、第一热氧化SiO22层、氮...
一种LED点胶封装工艺及LED灯珠
本发明公开一种LED点胶封装工艺及LED灯珠,包括根据要点胶的LED支架内的LED芯片总发光面积和芯片数量,确定点胶胶水的胶粉质量比例和点胶位置;使用点胶机根据所述点胶位置,将确定好胶粉质量比例的胶水,分别对LED支架内的LED芯片进行上层...
一种柔性可穿戴光疗仪匀光结构的制备方法
本发明涉及光疗仪技术领域,具体地说,涉及一种柔性可穿戴光疗仪匀光结构的制备方法,其包括如下步骤:在本发明提供的技术方案中,采用异丙醇溶液对柔性FPC导电基板超声清洗10分钟,通过激光蚀刻工艺制作导电线路,采用3D打印制备0.5mm厚蜂窝状镂...
一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源
本发明公开一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源,涉及光源制造技术领域,包括:S1、提供承载件;S2、在承载件的第一区域上固晶暖白光芯片,并进行烘烤处理;S3、对步骤S2中的暖白光芯片进行焊线;S4、对步骤S3中已完成焊线的暖白光芯片...
发光元件转移设备和转移发光元件的方法
本申请涉及发光元件转移设备和转移发光元件的方法。发光元件转移设备包括:第一转移头;第二转移头,设置在第一转移头下方;印戳,设置在第二转移头下方;倾斜调整构件,调整第二转移头的倾斜;以及缓冲构件,设置在第二转移头下方以与印戳相邻并且在向下方向...
发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置
公开了发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置。该拾取控制方法包括:第一操作,将印模装载在转移头上,将转移头运送到第一基板,并且拾取具有印模的发光元件芯片;第二操作,将转移头与拾取发光元件芯片的印模一起运送到第二基板,并使用位于转移头下方的图像...
一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条
本发明涉及LED灯珠技术领域,尤其涉及一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条,该方法包括以下步骤:采用高纯氧化铝基板沉积氧化铟锡电极并光刻微电路,倒装焊接Micro‑LED芯片,通过微流道填充量子点溶液并旋涂ZIF‑8形成500nm多孔保护...
发光二极管及其制作方法
本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。发光二极管包括:衬底、外延结构和低折射率层;外延结构位于衬底上,低折射率层位于衬底远离外延结构的一面,低折射率层的折射率小于衬底的折射率,低折射率层的折射率大于空气的折射率;低折射率层的出光面为凹凸不...
发光二极管及发光二极管制备方法
本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括:外延结构、第一电极结构、第二电极结构和绝缘结构;所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,在所述外延结构的一侧具有从所述第二半导体层延伸到所述第一半导体层的...
发光二极管和发光二极管制备方法
本公开公开了一种发光二极管和发光二极管制备方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的N型AlInP限制层、N面AlGaInP波导层、发光层、P面AlGaInP波导层、阻挡层和P型AlInP限制层;所述阻挡层为AlInP层、GaI...
发光二极管
本公开提供了一种发光二极管。发光二极管包括:外延结构和电流阻挡结构;电流阻挡结构位于外延结构上,电流阻挡结构包括多个第一电流阻挡结构和多个第二电流阻挡结构,多个第一电流阻挡结构和多个第二电流阻挡结构交替相连排列;在第一方向上,第一电流阻挡结...
提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法
本发明涉及Micro LED显示技术领域,公开了提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法,包括:在外延层上形成台面及P、N电极后,采用一种折射率与生长衬底在激光剥离波长下相匹配的填充材料,对电极间的凹陷区域进行完全填充,随...
亮度可调的发光二极管及其制备方法和显示面板
本公开提供了一种亮度可调的发光二极管及其制备方法和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第二平坦层、第一电极、第二电极和第三电极;第一电极、第一外延层和第一子扩展层依次层叠在衬底上,第...
改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板
本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第一电极和第二电极;第一外延层和第一子电极层均位于衬底的板面上,第一外延层和第一子电极层的正投...
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