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  • 本发明公开了一种耐磨B44C‑SiC复合涂层及其激光制备方法,属于复合材料及涂层制备技术领域。上述耐磨B44C‑SiC复合涂层由Si‑B44C‑SiC复合粉末经激光熔覆制成;所述Si‑B44C‑SiC复合粉末由复合陶瓷粉采用球磨制悬浊液再经...
  • 本发明公开了一种基于激光熔覆预制体的铸造高熵合金复合材料梯度强化制备方法,属于金属基复合材料制备技术领域。该方法首先通过等离子辅助球磨结合脉冲电磁场制备高熵合金与纳米陶瓷增强相的复合粉末;然后采用智能调控的激光熔覆技术构建具有梯度孔隙结构的...
  • 本发明属于农机具的生产加工领域,具体涉及一种捡石机用熔覆层增强耐磨齿。其基体采用可淬火球墨铸铁制成四方尖锥状结构,头部为入土端,尾部为装配端;在头部四个工作面全覆盖耐磨熔覆层,尾部单侧涂覆耐磨层覆盖装配孔对应区域;通过盐浴等温淬火工艺处理,...
  • 本发明公开了一种耐高温耐磨耐腐蚀的辊道,属于辊道技术领域。包括辊道基体和其表面的金属涂层;所述辊道基体为42CrMo无缝管;所述金属涂层由复合粉末通过激光熔覆并热处理制成。本发明通过激光熔覆由特定合金粉末与表面包覆纳米TiC的复合粉末,在辊...
  • 本发明涉及激光熔覆技术领域,且公开了一种用于激光熔覆的超声、电磁复合能场智能化装备,包括底座、夹持机构、电磁机构、支架、电机一、丝杆一、移动板、电机二、丝杆二、定位块、熔覆头、料箱、监测机构、超声波发射头、超声波发生器和控制器。该用于激光熔...
  • 本发明涉及镁合金产品喷粉技术领域,具体为一种降低镁合金产品喷粉不良的工艺,本发明通过步骤S1、压铸,冲水口;步骤S2、去披锋;步骤S3、热整形;步骤S4、CNC加工;步骤S5、返打磨(抛光),步骤S6、化成;步骤S7、喷粉前检外观,步骤S8...
  • 本发明公开了一种在风电机组齿轮系统上用的金属磨损自修复材料制备方法,包括以下步骤:1、原料预处理;制备羟基硅酸镁‑碳纳米管复合微粉、石墨烯‑二硫化钼纳米片复合分散液和多元金属氧化物催化剂;2、复合材料混合:配置基础载体并进行多组分梯度混合;...
  • 本发明公开了一种在风电机组轴承上用的金属磨损自修复材料制备方法,它涉及金属磨损自修复材料技术领域。采用矿物质羟基硅酸镁为主要成分,Mg₆[Si₄O₁₀][OH]₈,粒径在0.3‑3.0μm;另外添加粒径为15‑60 nm的石墨烯,自修复材料...
  • 本发明公开了一种表面覆金属层Al22O33‑Al冷喷涂复合涂层及其制备方法,将氧化铝颗粒先经化学镀获得带有过渡金属层的氧化铝颗粒,再将带有过渡金属层的氧化铝颗粒进行电渡获得带有金属镀层的氧化铝颗粒,将带有金属镀层的氧化铝颗粒与铝合金粉末混合...
  • 本发明提供一种飞秒激光与氟硅烷协同强化的铝合金超疏水改性方法,涉及表面改性技术领域,针对铝合金在严苛环境下腐蚀失效难题,受鲨鱼盾鳞多级结构启发,提出飞秒激光仿生加工与氟化改性协同强化的表面改性方法,成功在7075铝合金表面构筑分级微纳结构。...
  • 本发明公开了一种热镀锌钝化液,所述热镀锌钝化液包含以下浓度的原料:10‑30g/L的三价钛化合物、5‑20g/L的亚硫酸钠、6‑9ml/L的H22O22、2‑10g/L的葡萄糖酸钠、5‑20g/L的柠檬酸钠和10‑20ml/L的酸性试剂,余...
  • 本发明公开了一种短切碳纤维表面化学镀铜层厚度与质量提升方法,属于材料表面处理技术领域,针对现有短切碳纤维镀铜易团聚、镀层薄且不均匀、结合力差的问题,本发明使用有机溶剂进行脱胶除油处理;采用碱性溶液粗化处理;依次使用含Sn2+2+的敏化液和含...
  • 本发明公开了用于亚临界水热环境的动态阻垢Ni‑P涂层及其制备方法,本发明涂层通过化学镀方法在金属基底表面形成非晶态结构;涂层在亚临界水热环境中能诱导CaCO33垢层形成疏松的“花瓣状”或“鱼鳞状”结构,从而实现“易成核‑难生长”的动态阻垢效...
  • 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域,具体涉及一种氟橡胶表面高结合力金属化的方法,首先表面预处理:对氟橡胶制品进行除油和清洁预处理后用去离子水充分洗涤至中性;然后活化处理:使用专用活化处理液活化处理液对预处理后的氟橡胶进行活化处理;最后化学...
  • 本发明属于材料表面化学镀技术领域,尤其为一种基于银纳米颗粒/DMSO协同作用的PET纤维化学镀银方法及其抑菌应用,旨在解决传统 PET 纤维化学镀银工艺预处理繁琐、依赖强腐蚀性试剂、钯催化剂成本高、镀层结合力与抗菌耐久性不足的问题。该方法以...
  • 本申请提供一种金属图案及其制备方法与应用,属于微电子以及柔性电子器件技术领域。金属图案的制备方法包括以下步骤:S1采用激光诱导前向转移技术在基底表面形成具有预设图案的种子层;S2对种子层进行化学镀处理,形成金属图案,该制备方法具有无需掩膜、...
  • 本发明提出了一种钼薄膜生长方法及生长机台,该生长方法包括:步骤S1、在晶圆的表面沉积设定厚度H0的钼薄膜后,之后进行除杂修复;步骤S2、重复步骤S1,至钼薄膜的沉积厚度为厚度H;H>H0。本发明使得生长的钼薄膜杂质较少,且体电阻降低。
  • 本公开涉及一种顺序渗透合成设备,其包括:反应室,所述反应室被构造和布置成容纳至少一个衬底;第一前体流动路径,当激活第一流动控制器时向所述反应室提供所述第一前体;第二前体流动路径,当激活第二流动控制器时向所述反应室提供第二前体;去除流动路径,...
  • 本发明提供了一种射频引流屏蔽结构及一种薄膜沉积设备。所述射频引流屏蔽结构包括:多个固定支柱,其第一端固定连接工艺腔室的本体,而其第二端电性连接射频匹配器,其中,所述射频匹配器输出的射频信号,经由所述工艺腔室内部的沉积组件、所述工艺腔室的本体...
  • 本发明公开了一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法,包括:建立预设数据库,预设数据库包括:多个保护膜参数组及其对应的保护膜应力值。获取本批次晶圆的工艺膜应力值和上一批次晶圆的保护膜参数组下的原保护膜应力值。判断原保护膜应力值是否满...
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