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最新专利技术
  • 一种金属图案及其制备方法与应用
    一种金属图案及其制备方法与应用_南方科技大学_202511600503.7
    本申请提供一种金属图案及其制备方法与应用，属于微电子以及柔性电子器件技术领域。金属图案的制备方法包括以下步骤：S1采用激光诱导前向转移技术在基底表面形成具有预设图案的种子层；S2对种子层进行化学镀处理，形成金属图案，该制备方法具有无需掩膜、...
    2026-03-26
  • 钼薄膜生长方法及生长机台
    钼薄膜生长方法及生长机台_上海稷以科技有限公司_202511615014.9
    本发明提出了一种钼薄膜生长方法及生长机台，该生长方法包括：步骤S1、在晶圆的表面沉积设定厚度H0的钼薄膜后，之后进行除杂修复；步骤S2、重复步骤S1，至钼薄膜的沉积厚度为厚度H；H＞H0。本发明使得生长的钼薄膜杂质较少，且体电阻降低。
    2026-03-26
  • 顺序渗透合成设备
    顺序渗透合成设备_ASMIP控股有限公司_202511487344.4
    本公开涉及一种顺序渗透合成设备，其包括：反应室，所述反应室被构造和布置成容纳至少一个衬底；第一前体流动路径，当激活第一流动控制器时向所述反应室提供所述第一前体；第二前体流动路径，当激活第二流动控制器时向所述反应室提供第二前体；去除流动路径，...
    2026-03-26
  • 一种射频引流屏蔽结构及薄膜沉积设备
    一种射频引流屏蔽结构及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511906349.6
    本发明提供了一种射频引流屏蔽结构及一种薄膜沉积设备。所述射频引流屏蔽结构包括：多个固定支柱，其第一端固定连接工艺腔室的本体，而其第二端电性连接射频匹配器，其中，所述射频匹配器输出的射频信号，经由所述工艺腔室内部的沉积组件、所述工艺腔室的本体...
    2026-03-26
  • 一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法
    一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法_格科半导体(上海)有限公司_202511590770.0
    本发明公开了一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法，包括：建立预设数据库，预设数据库包括：多个保护膜参数组及其对应的保护膜应力值。获取本批次晶圆的工艺膜应力值和上一批次晶圆的保护膜参数组下的原保护膜应力值。判断原保护膜应力值是否满...
    2026-03-26
  • 一种用于PE-背膜基体表面氨气电离预处理提效的方法
    一种用于PE-背膜基体表面氨气电离预处理提效的方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511437657.9
    本发明公开了一种PE‑背膜基体表面氨气电离预处理提效的方法，涉及背膜氮化硅沉积技术领域。针对现有PECVD法制备背膜氮化硅存在的硅片表面Si‑H键悬挂键缺陷高、氮化物界面氮含量不足、氮化硅薄膜折射率波动大等问题，本发明通过在SiOx/pol...
    2026-03-26
  • 载片舟支撑杆、电极引入组件及半导体加工设备
    载片舟支撑杆、电极引入组件及半导体加工设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411052927.X
    本发明提供一种载片舟支撑杆、电极引入组件及半导体加工设备，该载片舟支撑杆包括绝缘的支撑杆主体；支撑杆主体的周侧开设有容置槽，用于容置半导体加工设备的电极引入组件；容置槽的一端延伸至支撑杆主体的第一端，且为敞开端，用于供电极引入组件移入或移出...
    2026-03-26
  • 镀膜设备
    镀膜设备_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511588756.7
    本申请涉及光伏和半导体技术领域，尤其涉及一种镀膜设备，包括：至少两个腔体本体，沿竖直方向排列设置，每个腔体本体的内部内设置有分隔层，分隔层将腔体本体内的空间分隔成第一腔室和位于第一腔室下方的第二腔室，腔体本体的侧壁上设置进气口和抽气口，进气...
    2026-03-26
  • 一种抑制气相成核颗粒对衬底影响的设备
    一种抑制气相成核颗粒对衬底影响的设备_上海埃延半导体有限公司_202310927525.9
    本发明涉及化学气相沉积技术领域，提出一种抑制气相成核颗粒对衬底影响的设备，其包括：反应腔体，其被配置为使得衬底的第一面朝下，并且反应气体从与衬底水平的方向自衬底的下方流过以在衬底的第一面上沉积器件层。本发明能够使得衬底的工艺面朝下进行生长，...
    2026-03-26
  • 一种大面积快速沉积含Ru薄膜的方法和应用
    一种大面积快速沉积含Ru薄膜的方法和应用_合肥安德科铭半导体科技有限公司_202610012903.4
    本发明属于薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种大面积快速沉积含Ru薄膜的方法和应用。该含Ru薄膜的沉积方法包括：衬底预处理、表面活化处理、含Ru前驱体脉冲通入、反应气体通入；然后循环重复表面活化处理、含Ru前驱体脉冲通入、反应气体通入的步骤，...
    2026-03-26
  • 钨金属层的形成方法及导电结构的形成方法
    钨金属层的形成方法及导电结构的形成方法_南亚科技股份有限公司_202511618015.9
    一种形成钨金属层的方法包括以下步骤。通过在处理腔室中的基板上沉积钨种子层来执行第一沉积工艺。通过将包含硼烷和惰性气体的气体混合物供应到处理腔室中进行预处理工艺，使得硼烷在钨种子层上形成吸附层。通过向处理腔室中供应还原气体来执行还原工艺，以将...
    2026-03-26
  • 淋喷头组件和用于控制淋喷头组件的温度均匀度的方法
    淋喷头组件和用于控制淋喷头组件的温度均匀度的方法_ASMIP控股有限公司_202511538744.3
    本发明公开了一种用于在反应室内分配气体的淋喷头组件。所述淋喷头组件可以包括：形成在所述淋喷头组件内的室，以及与所述室相邻的气体分配组件，其中所述气体分配组件包括：第一气体分配板，所述第一气体分配板包括顶部表面和底部表面；以及第二气体分配板，...
    2026-03-26
  • 形成含过渡金属的膜的方法、供给方法及气相沉积装置
    形成含过渡金属的膜的方法、供给方法及气相沉积装置_ASMIP私人控股有限公司_202511440039.X
    公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上形成含过渡金属的膜的方法。所述方法可包括：使衬底与第一气相反应物接触，所述第一气相反应物包含过渡金属卤化物化合物，所述过渡金属卤化物化合物包含二齿含氮加合物配体；以及使衬底与第二气相反应物接触。公开了一种向...
    2026-03-26
  • 基板处理设备及基板处理方法
    基板处理设备及基板处理方法_周星工程股份有限公司_202511290225.X
    本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。基板处理设备包括：腔室；基板支撑部被可旋转地安装在腔室内的工艺空间中，以允许至少一个基板位于其上；第一气体喷射单元，用于向工艺空间的第一区域喷射源气体和用于吹扫源气体的第一吹扫气体；源气体供应源，用于将...
    2026-03-26
  • 一种加热器组件及前驱体传输管路的加热方法
    一种加热器组件及前驱体传输管路的加热方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511897625.7
    本发明提供了一种加热器组件、一种前驱体传输管路的加热方法，以及一种计算机可读存储介质。所述加热器组件包括多个加热件，其中，第一加热件设于前驱体储罐出口，第二加热件设于第一工艺腔室入口，第三加热件设于连接所述前驱体储罐出口及所述第一工艺腔室入...
    2026-03-26
  • 一种用于薄膜沉积设备的气箱及薄膜沉积设备
    一种用于薄膜沉积设备的气箱及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511845258.6
    本发明提供了一种用于薄膜沉积设备的气箱和一种薄膜沉积设备。该气箱包括箱体、多个控制元件和至少一块挡风板。该箱体包括进风口和出风口，用于向所述箱体内部流通冷却气流。多个控制元件位于箱体内部，以及进风口和出风口之间，用于控制薄膜沉积工艺涉及的多...
    2026-03-26
  • 一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置
    一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置_西安西炉特种电炉有限公司_202511947921.3
    本发明涉及气相沉积炉领域，尤其涉及一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置，包括有底座、炉体、炉门、进气管和托盘；底座固接有炉体；炉体转动连接有两个炉门；炉体内开设有两个炉腔；炉体连通有两个进气管，且两个进气管分别与对应的炉腔连通；两个炉腔内...
    2026-03-26
  • 抽气装置及半导体器件的工艺腔室
    抽气装置及半导体器件的工艺腔室_拓荆科技(上海)有限公司_202511639953.7
    本发明公开了一种抽气装置及一种半导体器件的工艺腔室。该抽气装置包括进气口、第一抽气口、至少一个第二抽气口和出气口。该进气口位于晶圆托盘的一侧，朝向位于晶圆托盘相对的另一侧的供气装置，用于抽取横向流经晶圆托盘的气体，其中，进气口的尺寸不小于晶...
    2026-03-26
  • 一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法
    一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法_中国科学院金属研究所_202511507510.2
    本发明涉及碳纳米复合材料的可控制备领域，具体为一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法。以表面活化的单壁碳纳米管网络薄膜为基体，以含氧和钛的有机化合物为前驱体源，以化学惰性载气载带前驱体源，通过低压化学气相沉积在单壁碳纳米管表面可控生...
    2026-03-26
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411052505.2
    本申请公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括工艺内管和工艺外管，工艺外管套设于工艺内管之外，且工艺内管和工艺外管之间具有间隙，工艺内管的两端均设有开口。在工艺过程中，晶圆放置于工艺内管中，工艺气体从工艺内管底部的开口进入工艺内...
    2026-03-26
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