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最新专利技术
  • Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路
    Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路_南京优存科技有限公司_202511935755.5
    本公开提供了一种Nor Flash及其读操作模块、及其电源电路，Nor Flash读操作模块的电源电路包括第一电荷泵单元、第二电荷泵单元和读操作电压产生单元；第一电荷泵单元用于输出第一电压至读操作电压产生单元，第二电荷泵单元用于输出第二电压...
    2026-02-10
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511575387.8
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、电压产生模块以及读电压产生模块，通过生成与温度反向变化的读参考电压，根据读参考电压生成施加于存储单元的读电压，由于存储单元的阈值电压与温度反向变化，可以使得读参考电压与存储单元的阈值电...
    2026-02-10
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511574265.7
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、读参考电流产生模块以及判断模块，通过生成与温度正向变化的目标读参考电流，可以随着流经存储单元的沟道电流同向变化，避免减小目标读参考电流与沟道电流之间的差距，从而能够根据沟道电流与目标读...
    2026-02-10
  • 存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法
    存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法_三星电子株式会社_202510769421.9
    本公开的实施例公开了存储装置、运行存储控制器的方法及非易失性存储器件的运行方法。该存储装置包括：存储控制器，存储控制器被配置为利用与数据线分离的命令/地址线发送命令和地址；以及非易失性存储器件，非易失性存储器件被配置为从与地址相对应的存储区...
    2026-02-10
  • 存储器及读取存储器的存储单元存储的数据的方法
    存储器及读取存储器的存储单元存储的数据的方法_无锡华润上华科技有限公司_202410965418.X
    本发明涉及一种存储器，包括：芯片电源模块；存储器阵列，包括多个存储单元；数据输出端口，用于输出被选中的存储单元存储的数据；感应自锁模块，与芯片电源模块、存储器阵列和数据输出端口连接，用于根据芯片电源模块输出的电源电压控制读取操作时读取通路的...
    2026-02-10
  • 存储器的操作方法和存储器
    存储器的操作方法和存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410961978.8
    本申请公开了一种存储器的操作方法和存储器，方法包括：将多条位线以相邻m条位线配置为一个位线组，多条位线包括n组位线组，n组位线组中的一个选定位线组包括被选存储单元对中的选定存储单元所连接的目标位线，m为大于2的正整数，n为大于1的正整数；选...
    2026-02-10
  • 页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置
    页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置_三星电子株式会社_202510364174.4
    公开了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置。所述页缓冲器电路包括：多个页缓冲器单元；以及多个高速缓存锁存器，通过组合感测节点与所述多个页缓冲器单元连接。所述多个页缓冲器单元中的每个包括与对应的感测节点连接的主锁存器。主锁存器包括与对应...
    2026-02-10
  • 存储装置及其操作
    存储装置及其操作_长江存储科技有限责任公司_202410976313.4
    在某些方面中，一种存储装置包括：存储单元的阵列；字线，分别耦合到所述存储单元的行；以及外围电路，通过所述字线耦合到所述存储单元的阵列。每个存储单元被设置为2NN个最终级别中的与一段N比特数据对应的一个最终级别，其中，N是大于2的整数。所述外...
    2026-02-10
  • 存储器
    存储器_无锡华润上华科技有限公司_202410973286.5
    本发明涉及一种存储器，每个存储单元包括：第一NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接控制栅端口；第二NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接TNU端口；第一PMOS管，包括第一有源区、第二有源区及栅极，第一有源区连接位线端口，第一NMOS管...
    2026-02-10
  • 超低压SRAM架构
    超低压SRAM架构_意法半导体国际公司_202510978890.1
    本公开涉及超低压静态随机存取存储器(SRAM)架构。本文中公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，该SRAM电路被设计为在存储器阵列电源电压(VDDMA)显著超过外围电路电源电压(VDDMP)的情况下可靠操作。公开了预充电电路和预充电...
    2026-02-10
  • 一种双晶体管动态随机存储器
    一种双晶体管动态随机存储器_上海交通大学_202410955417.7
    本公开提供一种双晶体管动态随机存储器，包括：写晶体管、读晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线；其中，写晶体管包括源极、栅极和漏极，读晶体管包括源极、栅极和漏极；写晶体管的栅极与写字线连接，写晶体管的漏极与写位线连接，读晶体管的漏极与读字线...
    2026-02-10
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410973619.4
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-10
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965704.6
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管、第二晶体管和写入控制开关，在每个存储器单元中，第一晶体管的栅极端子连接到第二晶体管的第...
    2026-02-10
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965155.2
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-10
  • 存储器器件及其操作方法
    存储器器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510992620.6
    本公开涉及一种存储器器件及其操作方法。根据本公开的实施方式，可以提供一种包括存储器存储体的存储器器件的操作方法，该存储器存储体包括多个边缘存储单元阵列和布置在所述多个边缘存储单元阵列之间的多个内部存储单元阵列。该操作方法可以包括：接收细粒度...
    2026-02-10
  • 存储器装置、主机装置和存储器系统
    存储器装置、主机装置和存储器系统_三星电子株式会社_202510989102.9
    提供了一种主机装置、存储器装置和存储器系统。主机装置与包括第一存储器存储体的存储器装置通信。主机装置包括：命令发出电路，其被配置为在每个常规刷新时段发出针对存储器装置的第一存储器存储体的常规刷新命令；第一借记计数器，其被配置为管理第一存储器...
    2026-02-10
  • 用于编程性能改进的最高数据状态编程-验证跳过
    用于编程性能改进的最高数据状态编程-验证跳过_桑迪士克科技股份有限公司_202510453538.6
    提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括连接到字线并被配置为保持对应于数据状态的阈值电压的存储器单元。数据状态包括最高数据状态，在该最高数据状态中，与该最高数据状态相关联的存储器单元的该阈值电压高于针对数据状态中的其他数据状态的该阈值电压...
    2026-02-10
  • 存储器装置
    存储器装置_爱普科技股份有限公司_202510462907.8
    本发明提供一种存储器装置，包括第一位线组、第一列选择电路、第一数据线和第二数据线。第一位线组包括第一位线和第二位线。第一列选择电路耦接至第一位线和第二位线。第一数据线包括耦接至第一列选择电路的第一线段。第二数据线包括耦接至第一列选择电路的第...
    2026-02-10
  • 在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术
    在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术_太浩研究有限公司_202511618197.X
    公开了用于将高带宽存储器设备耦合在硅衬底和封装衬底上的技术。示例包括基于操作模式选择性地激活在高带宽设备的逻辑层的底侧上的输入/输出(I/O)触点或者命令和地址(CA)触点。I/O触点和CA触点用于经由一个或多个数据通道对包括在所述高带宽存...
    2026-02-10
  • 存储介质的写入控制方法及控制器
    存储介质的写入控制方法及控制器_超聚变数字技术有限公司_202511367159.1
    本申请涉及计算领域，尤其是提供一种存储介质的写入控制方法及控制器，所述方法包括：第一异构核在存储介质处于写保护的情况下，获取第二异构核发送的第一请求，所述第一请求用于请求写入数据，所述第一异构核与所述第二异构核的类型不同；向存储介质发送第一...
    2026-02-10
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