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最新专利技术
  • 一种氧化镓功率器件及其制造方法
    一种氧化镓功率器件及其制造方法_深圳市朗帅科技有限公司_202511442649.3
    本发明提供了一种氧化镓功率器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：漏极、n掺杂氧化镓衬底和n型氧化镓漂移区；漂移区包括第一n型氧化镓漂移区、第二n型氧化镓漂移区和鳍状沟道；鳍状沟道两侧依次布置有高k栅介质层、栅极、绝缘层和源极；绝缘层中...
    2026-01-27
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410940398.0
    本申请实施例提供了一种芯片、制备方法及电子设备，该芯片包括：衬底和长沟道晶体管，长沟道晶体管设置在衬底上，长沟道晶体管包括鳍结构Fin、源极、漏极、第一间隔层、环栅、第二间隔层；其中，源极和漏极分别设置在鳍结构的同侧或不同侧，且，源极在衬底...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件和掩膜版
    一种半导体器件和掩膜版_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511601617.3
    一种半导体器件和掩膜版，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有由隔离结构界定的有源区，所述有源区沿第一方向延伸；栅极结构，形成在所述半导体衬底上且横跨所述有源区，所述栅极结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；其中，所述有源区...
    2026-01-27
  • MOSFET器件及其形成方法
    MOSFET器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511534908.5
    本发明涉及一种MOSFET器件及其形成方法。所述MOSFET器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；阱区，位于衬底内，阱区中包括第一掺杂元素；隔离结构，位于衬底内且分布于阱区的侧面；阻挡层，位于阱区与隔离结构之间，阻挡层用于阻挡...
    2026-01-27
  • 一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法
    一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法_上海大学_202511435877.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管，设置有底栅编程栅极和顶栅控制栅极，使用两个分立的栅极的形式，极大限度地减少晶体管编程与晶体管控制操作之间的串扰，提升晶体管的非易失特性与实用性，解决了传统晶体管在非...
    2026-01-27
  • 基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片
    基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片_深圳大学_202511305032.7
    本发明公开了一种基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片。器件包括依次堆叠的栅电极、阻挡层、铁电层、隧穿层、二维半导体层及源漏电极；二维半导体层具有光电响应特性，隧穿层被配置为使...
    2026-01-27
  • 基于二维单层硒化钨和铝钪氮的CAA结构的可重构铁电晶体管
    基于二维单层硒化钨和铝钪氮的CAA结构的可重构铁电晶体管_华南理工大学_202511301217.0
    本发明公开了一种基于二维单层硒化钨和铝钪氮的可重构铁电晶体管，晶体管采用CAA结构，在栅电极施加编程脉冲电压，改变铁电层的极化方向，将极化电场耦合至沟道区域；在脉冲编程电压作用下铝钪氮AlScN铁电层发生极化翻转，在沟道界面诱导产生束缚电荷...
    2026-01-27
  • 基于β-Ga2O3衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备
    基于β-Ga2O3衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备_武汉大学_202511230479.2
    本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种基于β‑Ga22O33衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备。该横向MOSFET器件包括：衬底、轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区、第一金属层、第二金属层、栅介质层、栅极金属层。该横向...
    2026-01-27
  • 沟槽式MOSFET及其制造方法
    沟槽式MOSFET及其制造方法_思创电子股份有限公司_202411430915.6
    本发明提供一种沟槽式MOSFET及其制造方法，所述沟槽式MOSFET包括衬底、栅极结构、源极区、氧化物间隔物、氮化物覆层、内层介电层、源极接触孔以及栅极接触孔。栅极结构设置在衬底的沟槽中，且栅极结构具有一凸出顶部自衬底的表面露出，且凸出顶部...
    2026-01-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411069458.2
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、设置在基底上的栅极结构以及设置在栅极结构的相对侧处的基底中的源极/漏极。栅极结构包括栅极介电层、栅极电极、第一栅极间隙壁以及第二栅极间隙壁。栅极介电层设置在基底上。栅极电极设置在栅极...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件和制备方法
    一种半导体器件和制备方法_华为技术有限公司_202410911632.7
    本申请提供了的半导体器件，在生长源极结构(150)和漏极结构(160)的时候，是对第一次外延生长的结构进行刻蚀，然后在刻蚀后的侧壁上继续进行第二次外延生长最终才获得源极结构(150)和漏极结构(160)。通过对第一次外延生长的第一外延层(1...
    2026-01-27
  • GaN HEMT器件及其制造方法
    GaN HEMT器件及其制造方法_上海新微半导体有限公司_202511818227.1
    本发明提供一种GaN HEMT器件及其制造方法，包括：对应于GaN HEMT器件的场板区域设置至少一个导热孔，该导热孔从器件背面向上延伸，停止于器件表面钝化层的下表面，所述导热孔内形成有导热材料，可以将热量从器件的发热核心传导至外部。本发明...
    2026-01-27
  • 一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法
    一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法_南京理工大学_202511796746.2
    本发明公开了一种基于复合栅与栅终端扩展的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，其中的增强型GaN HEMT器件的复合栅结构中的p‑InGaN与p‑GaN/p++GaN层异质结极化作用会在界面产生二维空穴气，并在高漏压关断时向沟道注入更多的...
    2026-01-27
  • 复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法
    复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法_扬州大学_202511661661.3
    本发明公开了一种复合漏极高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括从下至上依次叠设的衬底、预铺材料层、成核材料层、组分渐变材料层、高阻材料层、二维电子气导电沟道层、势垒材料层；势垒材料层上设有源极和第一漏极；源极和第一漏极之间设有P型复合超...
    2026-01-27
  • 一种晶体管器件及其制造方法
    一种晶体管器件及其制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511656987.7
    本申请提供了一种晶体管器件，包括：外延结构、形成在外延结构上的栅极；栅极包括P‑GaN栅极层、栅极金属层；所述栅极还包括形成在所述P‑GaN栅极层和所述栅极金属层之间的介质层和形成在所述介质层和所述P‑GaN栅极层之间的中间结构，所述中间结...
    2026-01-27
  • 一种基于阵列p-GaN层内嵌MIS的栅极结构和半导体功率器件
    一种基于阵列p-GaN层内嵌MIS的栅极结构和半导体功率器件_浙江工业大学_202511540065.X
    一种基于阵列p‑GaN层内嵌MIS的栅极结构和半导体功率器件，所述栅极结构设置于AlGaN垒势层的表面，包含沿横向依次设置于AlGaN垒势层表面的连续p‑GaN层、栅极下沉金属和间隔p‑GaN层；连续p‑GaN层接近源级，间隔p‑GaN层接...
    2026-01-27
  • 一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法
    一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511512641.X
    本发明提供一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法，涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在源电极下方设置至少一个面积小于源电极的第一欧姆接触区；各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布；各第一欧姆接触区与漏极欧姆接触区...
    2026-01-27
  • 一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法
    一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511512598.7
    本发明提供一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法，涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在漏电极下方设置至少一个面积小于漏电极的第一欧姆接触区；各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布；在有源区中，面积较小的第一欧姆接...
    2026-01-27
  • 一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法_中科蓝谷半导体(广西)有限公司_202511498138.3
    本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该HEMT器件包括从下而上设置的外延基片、凹型的SiN钝化层、栅介质层和栅极，在外延基片内设置有与SiN钝化层接触的源极和漏极，并在源极和漏极上开设有金属互连层...
    2026-01-27
  • 一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法
    一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法_广东工业大学_202511332902.X
    本发明提供了一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法，涉及半导体设计技术领域。所述电子器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、双沟道层、钝化层和电极层，所述双沟道层包括自下而上依次设计的下沟道层、铝镓氮势垒子层、上沟道层和势垒层，所述电...
    2026-01-27
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