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最新专利技术
  • 一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法
    一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法_西安电子科技大学_202511347798.1
    本发明公开了一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法，属于SiC功率模块均流技术领域。制备方法包括：准备PCB板、SiC芯片等组件；焊接DBC基板与AlN散热基板；将多个SiC芯片并联焊接于DBC基板；通过Matlab结合自...
    2026-01-22
  • 一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法
    一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法_成都芯智星河科技有限公司_202511583024.9
    本发明涉及微系统封装技术领域，具体而言，涉及一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法，主要包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板之间垂直设置有连接单元，连接单元的一端与所述第一基板上表面的电极连接，另一端与第二基板的上表面的电极连接...
    2026-01-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511471484.2
    半导体装置具备：半导体芯片，具有形成元件的半导体衬底、形成在半导体衬底的一面的第1主电极及形成在半导体衬底的背面的第2主电极；第1散热部件及第2散热部件，第1散热部件配置在一面侧，与第1主电极连接，第2散热部件配置在背面侧，与第2主电极连接...
    2026-01-22
  • 包括贯通电极的半导体芯片
    包括贯通电极的半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202511511576.9
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时...
    2026-01-22
  • 一种自动化锡球植球设备
    一种自动化锡球植球设备_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488775.2
    本发明公开了一种自动化锡球植球设备，用于解决现有锡球植球设备无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明的上基座与下基座之间设置有衔接板；上基座设置有进料通道、真空通道、通气通道；下基座设置有喷嘴以...
    2026-01-22
  • 一种自动化锡球植球设备
    一种自动化锡球植球设备_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488773.3
    本发明公开了一种自动化锡球植球设备，用于解决现有锡球植球设备无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的送料通道的进料端与进料通道相连通，送料通道的出料端与第一出料通道相连通；上基座设置第一控制...
    2026-01-22
  • 一种锡球植球装置
    一种锡球植球装置_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488767.8
    本发明公开了一种锡球植球装置，用于解决现有锡球植球装置无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的送料通道的进料端与进料通道相连通，送料通道的出料端与出料通道相连通；上基座设置第一控制阀与第二控...
    2026-01-22
  • 一种锡球植球装置
    一种锡球植球装置_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488765.9
    本发明公开了一种锡球植球装置，用于解决现有锡球植球装置无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的上基座设置有进料通道、真空通道、通气通道；下基座设置有喷嘴以及与喷嘴连通的出料通道；衔接板设置有...
    2026-01-22
  • 使用VFM和TCB形成互连结构的半导体器件和方法
    使用VFM和TCB形成互连结构的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510887996.0
    一种半导体器件具有第一衬底和第二衬底或互连衬底，其中结合热量和/或压力，使用VFM信号在第一衬底和第二衬底或互连衬底之间形成互连结构。互连结构可以是凸块或具有导电柱的凸块。设置在第一和第二衬底附近的微波源生成VFM信号。在使用VFM信号的同...
    2026-01-22
  • 芯片封装方法
    芯片封装方法_广东大普通信技术股份有限公司_202511658770.X
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种芯片封装方法，包括提供一基板结构和一第二芯片，基板结构包括基座和设置于基座的第一芯片，第一芯片上设置第一焊盘；在第二芯片制备第二焊盘，第二焊盘的材质为锡；在第一芯片上设置阻焊层，阻焊层设置开窗结构，开...
    2026-01-22
  • 一种塑封功率模块的封装结构
    一种塑封功率模块的封装结构_常州芯动能半导体有限公司_202511364872.0
    本发明公开了一种塑封功率模块的封装结构，包括散热底板、绝缘基板、芯片、信号控制组件以及用于包覆绝缘基板、芯片和底座塑封体，散热底板上设有焊接面，绝缘基板一面与焊接面焊接另一面设导电图案层，信号控制组件包括底座和插针，芯片和底座设于导电图案层...
    2026-01-22
  • 一种电子元器件及其制作方法
    一种电子元器件及其制作方法_强一半导体(苏州)股份有限公司_202511455100.8
    本发明公开一种电子元器件及其制作方法，包括器件基板以及覆在所述的器件基板表面的绝缘层，所述的绝缘层包括生长在所述的器件基板的表层的氧化硅层以及在所述的氧化硅层表面形成的富氮的氧氮化硅层。该电子元器件的制作方法，包括绝缘层生成步骤：在器件基板...
    2026-01-22
  • 半导体封装结构
    半导体封装结构_达发科技股份有限公司_202411378657.1
    一种半导体封装结构。半导体封装结构包括半导体晶粒、封装基底以及至少一接线。封装基底包括围堰(dam)结构，以定义出放置半导体晶粒的空间。接线电性连接于半导体晶粒与封装基底之间。
    2026-01-22
  • 用于芯片焊盘的重新布线结构、半导体芯片和器件
    用于芯片焊盘的重新布线结构、半导体芯片和器件_深圳市稳先微电子有限公司_202511240810.9
    本申请提供一种用于芯片焊盘的重新布线结构、半导体芯片和器件，其中，重新布线结构位于芯片基底的上方且被包裹在封装结构内部，该重新布线结构包括依次设置在芯片基底上方的钝化层、绝缘层、重新布线层和连接通孔，其中，重新布线层包括利用第一导电材料形成...
    2026-01-22
  • 一种封装芯片的集成电路走线方法
    一种封装芯片的集成电路走线方法_上海芯怡微电子科技有限公司_202511521434.0
    本发明涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种封装芯片的集成电路走线方法，解决了现有技术中高密度封装下布线空间受限导致信号串扰加剧、阻抗不连续、电磁干扰增强及局部热点集中等问题。该方法包括在封装基板上设置两层金属走线层，第一层布设电源线和低频...
    2026-01-22
  • 封装面积减小的高带宽管芯到管芯互连件
    封装面积减小的高带宽管芯到管芯互连件_苹果公司_202511496833.6
    公开了封装面积减小的高带宽管芯到管芯互连件。描述了具有折叠管芯布置的封装结构及制造方法。在一个实施方案中，封装结构包括并排的第一管芯和竖直中介层。第二管芯面朝下位于竖直中介层上并与其电连接，并且局部中介层将第一管芯与竖直中介层电连接。
    2026-01-22
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_星科金朋半导体(江阴)有限公司_202511395300.9
    一种封装结构及封装方法，结构包括：第一封装体，第一封装体包括底部基板以及设置于底部基板上的第一芯片，第一芯片与底部基板电连接；第二封装体，位于第一封装体的顶部上方，第二封装体包括顶部基板以及设置于顶部基板上的第二芯片，第二芯片与顶部基板电连...
    2026-01-22
  • 布线衬底和布线构件
    布线衬底和布线构件_上海中航光电子有限公司_202510899073.7
    本发明公开了布线衬底和布线构件。所述布线衬底包括：支撑衬底；布线层；绝缘层；以及保护镀层，其中所述布线层包括所述主布线和所述电触点之间的连接区域，所述连接区域包括：位于所述主布线的一侧的多个第一连接区域，以及位于所述电触点的一侧的多个第二连...
    2026-01-22
  • 具有厚可焊金属层的低应力形变功率器件
    具有厚可焊金属层的低应力形变功率器件_安建科技有限公司_202410889438.3
    具有厚可焊金属层的低应力形变功率器件，本发明涉及于功率半导体器件，为降低应力带来的形变，本发明通过优化可焊金属层和/或半导体沟槽的排列方式和材料等，以消除或释放应力消除翘曲不良的发生，本发明提出技术方案有利于减少可焊金属层的表面应力，缓解厚...
    2026-01-22
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202410882517.1
    本发明公开一种芯片封装结构，包含陶瓷衬底、铜结构、贵金属层、芯片、及封装胶体。铜结构生成于陶瓷衬底上，并且铜结构的至少一侧壁内凹生成有一凹槽。贵金属层生成于铜结构上。芯片设置于贵金属层上。封装胶体生成于陶瓷衬底上，并封装铜结构、贵金属层、及...
    2026-01-22
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