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  • 本申请涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种晶圆形变控制结构、晶圆预对准装置及方法,晶圆形变控制结构包括第一吸附盘、气盘、气体控制系统以及检测模块;气盘水平设置在第一吸附盘上方,第一吸附盘用于吸附晶圆中部;气盘表面设置有开口朝向晶圆的真空抽吸...
  • 本申请涉及基于局部导电银胶涂覆的放电测试降噪重力式分选导轨,涉及导轨的技术领域,其包括导轨本体和落料调节装置。本申请通过在落料导槽内部设置涂覆绝缘层,因涂覆绝缘层通过高导热电固化银胶所制成,可在接触区域形成厚度的连续导电层,边缘区域渐变收薄...
  • 本发明涉及一种用于MoSi基光罩基板的平坦化方法。该方法包括以下步骤 : 提供MoSi基光罩基板;或者,提供光罩基板,在所述光罩基板上沉积MoSi薄膜,以形成所述MoSi基光罩基板;对所述MoSi基光罩基板进行初步平坦化处理,得到一次抛光M...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种圆孔阵列图形的形成方法、半导体结构和半导体工艺设备。所提供的圆孔阵列图形的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底上形成有第一介质层,以及位于所述第一介质层上的图形化的形貌修饰层,所述形貌修饰层具有多边形孔阵...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种图形化方法、半导体器件和半导体工艺设备。所提供的图形化方法,包括:在衬底上依次形成介质层、硬掩膜层和图形化的直写光刻胶层;以图形化的直写光刻胶层为掩膜,刻蚀部分硬掩膜层,形成部分图形化的硬掩膜层;而...
  • 本披露公开了一种用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置,该方法包括:在待检测晶圆中查找出符合设计规则的多个第一晶粒;从所述多个第一晶粒中筛选出无缺陷的多个第二晶粒;基于所述多个第二晶粒中每个单元的灰度值,确定标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值;...
  • 本发明的堆叠结构的可靠性检测方法首先提供第二晶圆,第二晶圆设置有线路层。然后提供第一晶圆,将第一晶圆键合于第二晶圆上,以形成堆叠结构,其中,第一晶圆远离第二晶圆的一侧设置有第一金属层,第一金属层与线路层之间设置有TSV结构。接下来于堆叠结构...
  • 本申请提供了一种MBE过程中纳米线掺杂的原位监测方法及装置,包括:获取在MBE生长过程中不同掺杂温度条件下纳米线的角分辨反射率信息及掺杂浓度,形成数据集;建立模型,并根据数据集对模型进行训练,得到掺杂浓度预测模型;掺杂浓度预测模型用于描述掺...
  • 本发明公开了一种外延电阻率监控片及其制备方法,采用固态硼源片在湿氧环境下反应生成偏硼酸,偏硼酸扩散至硅衬底表面并形成薄层硼硅玻璃,其分解产生的硼原子均匀扩散进入硅衬底晶格,实现P型浓硼掺杂;依次去除硼硅玻璃与污染物,对硅衬底进行干氧环境硼掺...
  • 本发明公开了一种光伏电池电致发光检测方法,涉及电池检测技术领域,包括:设定标杆线;选取不同效率档位的光伏电池片,电池片均设有两组并命名为组1和组2;在标杆线上测试电池片,获取EL灰度值并记录,完成赋值;将组1中电池片作为调试组,在待调试线体...
  • 本发明属于胶带胶层厚度控制技术领域,具体涉及一种半导体胶带胶层厚度控制方法及系统。其方法通过重构非均匀测量点坐标集,并行采用多种插值算法生成候选厚度分布曲面,并以测量点坐标集的局部梯度和离散度为输入,通过第一模糊控制器计算各候选厚度分布曲面...
  • 本申请实施例公开了一种半导体结构、对准检测方法、半导体器件。半导体结构包括:第一半导体结构,包括间隔设置的第一导电柱和第一标识;第一导电柱沿第一方向延伸;第一方向垂直于第一半导体结构所在平面;第一标识的材料包括导电材料;沿平行于第一半导体结...
  • 本发明提供了一种键合晶圆损伤层的表征方法,包括:S1:提供键合晶圆,所述键合晶圆的背面形成有背面氧化层,所述背面氧化层的表面形成有损伤层;S2:执行第一刻蚀工艺刻蚀去除部分厚度的所述损伤层,并测量刻蚀后所述键合晶圆背面的缺陷数量和颗粒数量及...
  • 本发明提供能够抑制设置空间的增加并且以低成本使探针卡的更换自动化的晶片测试系统、探针卡更换方法以及探测器。晶片测试系统具备:探测器,其具备保持半导体晶片的吸盘及具有探针的探针卡,并使探针与形成于半导体晶片的多个半导体芯片接触而进行半导体芯片...
  • 本发明公开了一种半导体磷元素的检测方法及系统,属于半导体检测技术领域,所述方法采用产线机台实现,包括:基于预制备的硼掺杂硅外延晶圆获取初始电阻率;将所述硼掺杂硅外延晶圆和待检测晶圆在所述产线机台中一同进行高温退火处理,并获取经高温退火处理后...
  • 本发明公开了一种基于自动光学检测的半导体封装检测方法和系统,包括以下步骤:S1、对被检测的半导体芯片进行量子点标,S2、设置动态焦深光学单元,用于对半导体芯片照明,并采集半导体芯片外表信息S3、光计算预处理单元,用于将步骤S2采集的信息进行...
  • 本文中公开具有裸片过度减薄检测电路系统的半导体装置(以及相关联系统、装置及方法)。在一个实施例中,一种半导体裸片包含:衬底;三阱结构,其至少部分地定位在所述衬底内;及电路系统。所述三阱结构可在所述衬底内形成耗尽区,且所述电路系统可经配置以在...
  • 本公开涉及用于检测半导体设备中的分层或磨损的横向测量。电路设备可以被配置为执行与设备中的分层或陷坑相关联的退化问题的早期检测。设备可以包括:半导体层,其包括一个或多个功率晶体管的至少一部分;金属化层,被形成在半导体层之上;以及多个激发元件,...
  • 本发明涉及晶圆制造技术领域,尤其涉及一种真空吸盘组合式陶瓷手指及其加工方法,通过真空吸取方式承载晶圆,气道出口外围设置有环体结构,晶圆通过气道抽真空吸附在环体结构上,环体结构硬度低于陶瓷基体硬度;环体结构与陶瓷基体粘接固定,粘接界面通过胶水...
  • 本发明提供了一种兼容式晶圆固定装置以及方法。一种兼容式晶圆固定装置,包括:托板、定位机构以及气路控制机构,所述托板上设置有通道区域,所述定位机构滑动安装在所述托板上,所述气路控制机构通过管路与所述通道区域连接。针对多个不同尺寸规格的待检测晶...
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