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  • 本发明涉及发光二极管技术领域,公开一种半导体发光器件及照明装置,半导体发光器件包括发光结构、聚光透镜和光截止件,发光结构包括基座和发光芯片,所述基座上开设有安装槽,所述发光芯片设置在所述安装槽内;所述聚光透镜设于所述发光结构上,且对应所述发...
  • 本发明属于半导体封装技术领域,尤其是一种圆片级LED封装结构及方法,针对活动安装时,透镜难以避免的会在活动时与安装部位结构发生摩擦,使得透镜磨损,导致LED封装长时间使用后透镜出现偏移,现提出以下方案,包括:固定基板,固定基板上设置有安装外...
  • 本发明提供了一种EMC‑LED封装器件及封装方法,涉及LED技术领域。本发明提供一种EMC‑LED封装器件,包括具有封装腔室的EMC支架,所述EMC支架位于所述封装腔室内、与所述EMC支架电性连接的LED倒装芯片,所述EMC支架位于所述封装...
  • 本发明提供一种带有光提取结构的LED及其制备方法,通过优化芯片结构设计和制备工艺,在降低成本的同时显著提升光提取效率。所述LED包括:光辐射单元,所述光辐射单元设置在透明衬底表面;所述光辐射单元具有梯形的剖面结构,且所述光辐射单元的侧面和顶...
  • 本发明公开了一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法,属于半导体光电子器件领域。本发明的复合p型接触结构包括超薄插入层和薄接触层;采用厚度减薄且组分增加的p型的薄接触层,极大削弱了对紫外光的吸收,降低器件发光在p型一侧...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管和发光装置,发光二极管包括半导体叠层和钝化层,半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面和上下两端分别连接第二台面和第一台面...
  • 本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括发光区台面以及围绕发光区台面设置的隔离台面,发光区台面的外边缘与隔离台面的内边缘之间的最小距离为第一间距;隔离台面的内边缘具有第一弧状拐角,发光区台面的外边缘具有第二弧状拐角,第一弧状拐角...
  • 本发明涉及显示芯片技术领域,公开了一种MicroLED结构、制作方法及显示面板,发光台面,发光台面包含N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层、钝化层,N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层从上到下依次排布,钝化层环绕发光台面分布并部分与...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体而言,涉及一种发光二极管外延结构和发光二极管。发光二极管外延结构包括均掺杂有Al元素的第一P型半导体层、第二P型半导体层、第三P型半导体层和第四P型半导体层。其中各个Al元素含量a、b、c、c’和d满足以下...
  • 本公开提供了一种改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型层、有源层和p型层;所述n型层包括n型DBR层,所述n型DBR层包括交替层叠的多个GaAs层和多个GaAsP层。本公开实施例能改善...
  • 本发明公开了一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法,从下至上依次包括衬底与空穴传输层、底电极、有源层、电子传输层、顶电极;所述衬底与空穴传输层为重掺杂P型金刚石薄膜,所述底电极和顶电极均为Ti/Au复合电极;所述有源层为Cs22NaI...
  • 本申请提供一种LED芯片及其制作方法、生长衬底,LED芯片包括衬底、外延叠层、第一电极和第二电极;衬底的一侧设有若干图形,图形包括凸起或凹槽;外延叠层,外延叠层生长于衬底设有图形的一侧,并在凸起的顶部或凹槽的底部形成高位错愈合区;外延叠层包...
  • 本发明公开了一种用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统,涉及芯片分选技术领域,所述方法包括:对目标晶圆中的晶粒进行分选处理,以将所述晶粒分选至目标蓝膜上;识别所述目标蓝膜中的固晶空洞;对所述固晶空洞进行标记以获取所述固晶空洞的空洞信...
  • 本发明公开了一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法,针对已生长完毕且被判定为电压高不合格的外延片,通过一个精准设计的“升温‑保护性退火‑补偿层再生长”的工艺组合,针对性地补偿空穴效率或降低接触电阻,从而将废品修复为合格品。本发明无需改动现有主...
  • 本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种核壳改性‑智能响应协同的LED光源及其制作工艺,制作工艺包括步骤S100:纳米核壳改性NSF荧光粉制备;S200:LED晶片功能化预处理;S300:核壳改性NSF层制备;S400:梯度阻隔绿粉层制备;S...
  • 本发明公开了一种LED生产用智能化固晶装置,包括底座,所述底座两侧固定有纵滑轨,所述纵滑轨间滑动设置有横滑轨,所述横滑轨中滑动设置有滑板,所述滑板两侧分别滑动设置有第一连接臂和第二连接臂,所述第一连接臂纵向排列有多个吸嘴,所述第二连接臂纵向...
  • 本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括沿第一方向相对设置的第一面和第二面,以及连接第一面和第二面的侧面;侧面靠近第一面的部位设有多个第一纹理区,每个第一纹理区朝向第二面延伸,多个第一纹理区在第二方向上间隔设置;侧面靠近第二面的...
  • 本申请属于光伏技术领域,并提供了一种硅片和处理方法及其应用的钙钛矿电池,硅片包括:多个山峰结构,多个山峰结构位于硅片表面,山峰结构包括峰顶区和坡度区,多个山峰结构呈周期性排布;平台区域,位于硅片表面上多个山峰结构之外的位置;其中,硅片表面具...
  • 本发明用于光电转换器技术领域,具体公开了一种光电转换器内部器件装载支撑体,包括下框架,所述下框架为镂空的方形框结构,所述下框架的上方设置有上框架,所述上框架为镂空的方形框结构,所述下框架和上框架构成的双层结构实现对一号基板和二号基板的安装承...
  • 本发明提供一种传感器、电子设备及传感器的制备方法,涉及光电子器件领域,旨在低成本的制备传感器。传感器包括探测器和第一基底,探测器包括衬底、光敏膜和电极组。光敏膜设置在衬底的一侧,衬底的透光率大于或等于设定透光率,电极组设置在光敏膜远离衬底的...
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