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  • 本发明提出了一种可降低金属氧化率的去胶descum工艺,包括以下步骤:根据工艺腔的类型,配置去胶descum工艺:当工艺腔配置有射频电源Source RF时,去胶descum工艺包括:进行化学刻蚀;化学刻蚀完成后,向刻蚀腔内通入氮气等离子体...
  • 本发明公开了一种基于导电介质层电流注入的LED芯片检测方法及系统,属于半导体制造及光电检测技术领域,该方法通过在电极板和基板之间设置液态、固态或胶体导电介质层,待检测的LED芯片阵列的电极与导电介质层接触,利用导电介质层电阻分压特性,在LE...
  • 本发明涉及半导体制造工艺控制技术领域,提供一种半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质。该方法通过自动化流程实现:获取工艺改进前的基准组数据集和工艺改进后的测试数据集,其中基准组数据集的获取包括接收新条件分组信息和工艺必经站点信息,拉取...
  • 本发明提供一种基于机器学习的显影处理后效果检测及异常判定方法,涉及半导体制造领域。首先构建合格样本特征体系α以及工艺参数数据库β;采用机器学习算法,以工艺参数数据库β中的关键工艺参数为输入,以合格样本特征体系α中的几何特征A1以及缺陷特征A...
  • 本发明公开了一种光伏组件剥离强度的测试方法,包括:提供测试样本,包括背板、第一EVA胶膜、第二EVA胶膜和玻璃;在背板、第一EVA胶膜和第二EVA胶膜的同一位置划开一个开口,使测试样本具有两个测试区域;提供两块隔离布,用一块隔离布将一个测试...
  • 本发明申请涉及晶圆手指的浮动吸附装置、晶圆手指及晶圆处理设备,属于半导体制造及微纳加工技术领域,晶圆手指的浮动吸附装置包括:基座上开设有容置槽,基座还设置有与容置槽连通的气路;硬质吸附件设置于容置槽内,硬质吸附件具有用于吸附晶圆的吸附面,且...
  • 本发明涉及一种真空辅助晶圆贴片固定装置以及贴片设备,其中,真空辅助晶圆贴片固定装置包括柔性接触构件及支撑底座,其中,柔性接触构件具有接触平面及多个气孔,接触平面用于与晶圆接触,气孔的第一端在接触平面形成开口,支撑底座用于固定柔性接触构件,支...
  • 本发明提供一种晶圆承载装置、清洗机及清洗干燥方法,晶圆承载装置包括底座、承载部和气道,承载部设于底座,具有多个且沿第一方向间隔设置;承载部具有多个沿第二方向间隔设置的齿槽,用于容纳并支撑晶圆的边缘部位;气道设于底座,具有多个沿第二方向间隔设...
  • 本发明公开了一种晶圆的气浮定位装置,包括:盘体,盘体设置有多个在其表面形成孔口的气孔,其中一部分气孔设置为由其孔口喷出气体的正压孔,另一部分气孔设置为由其孔口吸入气体的负压孔,使得盘体表面形成用于悬浮晶圆的气膜。本发明的有益效果在于,能够有...
  • 本发明涉及搬运设备技术领域,具体为一种可转弯的RGV自动搬运设备。包括轨座,轨座上分别安装有环轨和充电环座,还包括晶圆托架和沿环轨行走的车体,车体的底部安装有充电环座配合的无线电能接收模块,车体的四角均安装有防撞模块,车体的前后两侧均安装有...
  • 本发明涉及半导体存储设备技术领域,本发明提供了一种晶圆承载装置,旨在解决晶圆盒在存储单元内敞口放置时,内部晶圆易受扰动位偏且缺乏实时检测手段的问题。该装置包括承载架、升降架、滑动块、转动臂及视觉检测模块;承载架上设若干竖向排列的承载平台,各...
  • 本发明公开了一种用于金银合金凸块制程去除各向异性导电胶的蚀刻方法,属于倒装芯片封装技术领域,使用质量浓度不低于80%的硫酸或磺酸作为蚀刻液,在设定温度和时间下对带有各向异性导电胶的金银合金凸块进行蚀刻处理。该方法能有效去除各向异性导电胶,同...
  • 本申请公开了硅片的清洗方法和硅片,硅片的清洗方法包括:采用混合清洗液对待清洗的硅片进行清洗,所述混合清洗液包括氟化氢、臭氧和水。本申请的清洗方法有效降低了硅片表面的金属杂质浓度,有效提升了去除金属杂质的制程能力。另外,该方法仅采用HF+O3...
  • 本申请公开了一种晶圆的制备方法,包括在刻蚀工艺腔中对晶圆进行刻蚀,向刻蚀工艺腔输送预设流体,将晶圆从刻蚀工艺腔中输出。本申请的技术方案通过在对晶圆进行刻蚀工艺之后,向刻蚀工艺腔输送预设流体,从而可以抑制刻蚀工艺的残留气体对晶圆表面的污染,同...
  • 本发明公开了一种片材拆分设备,属于片材拆分技术领域,其包括:传输线,用于输送片材;第一贴膜装置,用于提供下膜片;移载装置,适于拾取片材并将其覆盖在下膜片上,使下膜片贴附于片材下表面,并将贴附有下膜片的片材搬运至传输线的输入端;滚压装置,位于...
  • 本发明公开了一种全自动解片系统,包括:上料设备;拆分设备;储料设备,包括用于提供空置的载盘的上料线和用于接收满载的载盘的下料线;摆盘设备,包括流转线装置、搬运装置和摆盘机,流转线装置包括并排布置的第一流转线、第二流转线和第三流转线,第一流转...
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法,包括加工台,所述加工台的顶端固接有吸附台,所述吸附台的内部固接有传输管一,所述加工台的外侧安装有用于通过传输管一抽取吸附台内部空气的抽气泵,所述加工台外侧安装有直线控制模...
  • 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,方法包括:在芯片表面依次形成顶层金属层和钝化层;在所述钝化层上形成焊接金属层;在所述焊接金属层上形成掩膜层;经由所述掩膜层对所述焊接金属层进行图案化,其中,所述焊接金属层为叠层结构,所述焊接金属层中至...
  • 本发明提供一种用于电火花加工后硅部件的刻蚀装置及清理修复方法,属于半导体部件制造技术领域。包括包括刻蚀槽、刻蚀花篮及低频振动器;所述刻蚀花篮包括花篮旋转机构及花篮本体,所述花篮旋转机构设置在刻蚀槽槽外,所述花篮本体设置在刻蚀槽槽内,所述花篮...
  • 本发明公开了一种可重构晶体管器件,包括一个基板、多个第一晶体管叉指(设置在基板上方的第一区域中)以及一个变相开关(PCS),所述变相开关包括一个变相材料(PCM)块(设置在基板上方的第二区域中),用于将所述多个第一晶体管叉指第一组与总线选择...
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