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最新专利技术
  • 一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法
    一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511400539.0
    本发明公开一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法，旨在解决传统高温退火导致SiOx层退化、掺杂激活率低的问题。方法包括：硅片制绒→硼扩散→去BSG/碱抛→LPCVD沉积隧穿氧化层/多晶硅层/SiOx膜→激光选择性退火(调Q激光器53...
    2026-01-20
  • 一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法
    一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法_平煤隆基新能源科技有限公司_202511399819.4
    本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法，该设备包括UV光注炉，该UV光注炉包括依次连接的升温区、保温区和降温区；所述保温区设有UV‑LED灯组，波长范围为365nm，光照强度为12‑30Suns...
    2026-01-20
  • 层压机
    层压机_晶科能源股份有限公司_202511383728.1
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种层压机，包括下压板、上压板、第一支撑部和第二支撑部，下压板用于放置待压紧件；上压板可升降地设置于下压板上方，以接触待压紧件的上表面从而压紧待压紧件；第一支撑部和第二支撑部，分别设置在待压紧件的相对两侧，设置...
    2026-01-20
  • 用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法
    用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法_重庆文理学院_202511341905.X
    本发明公开用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法，步骤包括：制备α‑Ga2O3/Nb2CTx异质结，将制备得到α‑Ga2O2/Nb2CTx异质结后的钛片置于超薄石英片上，将钛片和超薄石英片封装，然后将导电铜线的一端固定...
    2026-01-20
  • 一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用
    一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用_深圳大学_202511311170.6
    本发明涉及半导体薄膜光电器件领域，尤其涉及一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用。所述绿色无镉且高效稳定的电子传输层包括三元化合物(Zn，Ti)O，其制备方法包括如下步骤：取洁净的衬底，在所述衬底上依次交替进行若干次ZnO沉积...
    2026-01-20
  • 底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法
    底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511302800.3
    本申请涉及一种底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。底电池的制备方法包括：S110前处理步骤；S120烧蚀gap线步骤：对硅片的第一侧采用激光烧蚀工艺形成gap线，gap线将硅片划分成工作区域和非工作区域；...
    2026-01-20
  • 光伏组件的焊接方法及光伏组件
    光伏组件的焊接方法及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511182913.4
    本发明提供了一种光伏组件的焊接方法及光伏组件。光伏组件的焊接方法包括：将电池片放置于载体基板上，电池片的第一表面面向载体基板；将互联条按照预设方式铺设于电池片的第二表面；将膜层覆盖载体基板，以使电池片处于膜层和载体基板之间的密封空间；膜层上...
    2026-01-20
  • 一种单片光电集成芯片结构及其制造方法
    一种单片光电集成芯片结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511354734.4
    本申请涉及单片光电集成技术领域，公开了一种单片光电集成芯片结构及其制造方法，其结构包括半绝缘砷化镓衬底，半绝缘砷化镓衬底上设置量子阱发光二极管区域，量子阱发光二极管区域由下到上依次设置有N型重掺杂砷化镓电极层、多量子阱结构和P型重掺杂砷化镓...
    2026-01-20
  • 导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置
    导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置_友达光电股份有限公司_202511464524.0
    一种导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置，形成导电通道及光通道的制造方法包括以下步骤：提供基板，并于基板中形成第一通孔及第二通孔；于第一通孔及第二通孔的壁面上形成第一材料侧壁及第二材料侧壁；填入导电胶第一材料侧壁所环绕的空间中，以形...
    2026-01-20
  • 具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法
    具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511465220.6
    本发明公开了具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法，引线框架正面经限定结构分为电气连接部和芯片容置部，芯片容置部表面低于电气连接部表面，限定结构包括阶梯式设置的第一台阶和第二台阶，第一台阶具有第一凹槽，第二台阶具有第二凹槽，芯片...
    2026-01-20
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511835282.1
    本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括：包括P型衬底、多个光电二极管结构及格栅层，P型衬底背面包括P型外延层；沿平行于衬底背面的第一方向间隔分布的多个光电二极管结构，沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层，并延伸...
    2026-01-20
  • 提高电荷转移速率的大尺寸像素及图像传感器
    提高电荷转移速率的大尺寸像素及图像传感器_天津大学_202511495161.7
    本发明公开一种提高电荷转移速率的大尺寸像素及图像传感器。大尺寸像素为矩形像素，矩形像素感光的N型掺杂区域包括一个扇形N区、由多个梯形条纹形成的梯形条纹区，梯形条纹区实现矩形像素直角位置电荷的收集和转移，所述扇形N区的远端与梯形条纹区的交界处...
    2026-01-20
  • 吸收剂组合物
    吸收剂组合物_仓冈化工有限公司_202511466351.6
    本说明书公开了吸收剂组合物及其用途。吸收剂组合物包括四种或更多种类型的吸收剂，并且对各种溶剂和树脂组分表现出优异的相容性和溶解性。另外，当应用吸收剂组合物时，可有效地确保期望的光谱特性。例如，吸收剂组合物可形成其中最大限度地减少对可见光波段...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制备方法、图像传感器
    半导体结构及其制备方法、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834439.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器，所述制备方法包括：提供衬底；其中，衬底表面形成有深沟槽；相邻的深沟槽在衬底中定义出像素区；在所述深沟槽中填入牺牲材料，并回刻所述牺牲材料，使残留的所述牺牲材料不高于所述衬底表面；对凸出于所...
    2026-01-20
  • 图像传感器及其像素组和像素阵列
    图像传感器及其像素组和像素阵列_三星电子株式会社_202511311975.0
    公开了一种图像传感器及其像素组和像素阵列。该像素组包括：第一至第四单位像素，呈两个像素行和两个像素列的矩阵形式；以及公共浮置扩散区，在半导体衬底中在像素组的中心并由第一至第四单位像素共用。第一至第四单位像素中的每个包括在半导体衬底中的光电转...
    2026-01-20
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202510594936.X
    本公开的实施例提供一种影像感测器，包括光电二极管层、光电二极管层上的彩色滤光层及彩色滤光层上的光学层。光学层包括光分散层、光分散层上方的第一透明层、覆盖第一透明层的顶表面的缓冲层、包括嵌入第一透明层的下部的第一微结构的第一微结构层，及包括至...
    2026-01-20
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510318765.8
    一种图像传感器包括在彼此相交并且平行于衬底的第一表面的第一方向和第二方向上延伸的像素阵列。像素阵列的多个像素区域通过像素隔离膜分离，每个像素区域包括光电二极管。逻辑电路被配置为从像素阵列获取像素信号。像素阵列包括：有效区域，有效像素区域设置...
    2026-01-20
  • 一种单光子探测器及其制备方法
    一种单光子探测器及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511722180.9
    本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，涉及单光子探测技术领域。本发明能够通过在蓝宝石衬底上依次设置不同材料体系的铝镓氮吸收层和碳化硅倍增层，且设置蓝宝石衬底和铝镓氮吸收层一侧为光入射侧，由此，使得入射光先经过铝镓氮吸收层，激发产生载流子，...
    2026-01-20
  • 一种氧化镓基深紫外光人工突触器件及其制备方法
    一种氧化镓基深紫外光人工突触器件及其制备方法_浙江理工大学_202511569624.X
    本发明公开了一种基于氧化镓的深紫外光人工突触器件及其制备方法。所述器件依次包括蓝宝石衬底、氧化镓纳米线薄膜层以及设置于所述纳米线薄膜层上的Ti/Au电极，其中蓝宝石衬底作为纳米线薄膜层的外延生长基底。材料采用等离子体增强化学气相沉积方法生长...
    2026-01-20
  • 一种高带宽的光电二极管结构
    一种高带宽的光电二极管结构_希烽光电科技(南京)有限公司_202511458613.4
    本发明公开了一种高带宽的光电二极管结构，包括SOI晶圆、锗结构、多晶硅层、N型重掺杂区和钝化层结构，在SOI晶圆上采用P型离子注入形成P+区，锗结构在P+区上面外延生长而成；多晶硅层在锗结构上外延而成；将顶部的多晶硅层刻蚀为平顶的盖板结构；...
    2026-01-20
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