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最新专利技术
  • 一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质
    一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质_深圳市星耀半导体有限公司_202511802437.1
    本申请提供一种固态存储设备的数据纠错方法及设备、存储介质，包括：获取固态存储设备中多个不同数据分区的数据读写特征；针对每一数据分区，将数据读写特征输入至固态存储设备的LDPC参数预测模型，并接收LDPC参数预测模型输出的目标LDPC参数，其...
    2026-02-11
  • 测试方法、控制器与存储介质
    测试方法、控制器与存储介质_合肥大唐存储科技有限公司_202511714129.3
    一种测试方法、控制器与存储介质，涉及存储技术领域，其中，该方法包括：通过对存储介质中每个待测试的物理块执行擦除后写操作与读操作，对存储介质进行可靠性验证测试；其中，在可靠性验证测试过程中，每个物理块被执行擦除后写操作与被执行读操作之间的间隔...
    2026-02-11
  • 半导体器件及其操作方法
    半导体器件及其操作方法_上海芯高峰微电子有限公司_202511280263.7
    本公开实施例提供一种半导体器件及其操作方法。该半导体器件包括：存储单元阵列和编码器，编码器被配置为：基于用户数据，使用第一编解码方案以生成第一校验码；基于用户数据，确定多个数据组，及基于第一校验码，确定至少一个第一校验组；数据组的比特位数和...
    2026-02-11
  • 一种页缓存器和存储设备
    一种页缓存器和存储设备_上海元铭芯微电子技术有限公司_202410834770.X
    本申请提供一种页缓存器和存储设备，该页缓存器包括：控制单元，连接存储阵列的目标位线，目标位线对应M个存储页；锁存单元，连接控制单元；读写译码单元，连接锁存单元；其中，控制单元被配置为从目标位线依次读取第N个存储页的数据，以得到第N个存储页对...
    2026-02-11
  • 数据读取方法、芯片及测试系统
    数据读取方法、芯片及测试系统_算苗科技(北京)有限公司_202511375904.7
    一种数据读取方法、芯片及测试系统，所述数据读取方法包括：测试控制模块控制存储模块进行自测试；所述测试控制模块从所述存储模块中读取测试结果；所述测试控制模块将读取到的测试结果存储到FIFO中，以使得上位机从所述FIFO中读取所述测试结果。
    2026-02-11
  • SRAM在线测试电路及测试方法、处理器
    SRAM在线测试电路及测试方法、处理器_紫光同芯微电子有限公司_202511436716.0
    本申请涉及车规级芯片的存储器技术领域，公开一种SRAM在线测试电路包括：Master电路、SRAM测试电路、SRAM备份电路、备份控制电路和SRAM重映射电路；其中，SRAM重映射电路分别与Master电路、SRAM测试电路和备份控制电路连...
    2026-02-11
  • 一种EMMC芯片性能测试方法及系统
    一种EMMC芯片性能测试方法及系统_深圳科摩思智能科技有限公司_202511554855.3
    本发明提供了一种EMMC芯片性能测试方法及系统，涉及芯片测试技术领域，包括：结合EMMC芯片属性生成伪随机测试序列；利用伪随机测试序列对EMMC芯片进行全局测试，记录不同并发线程数下的坏块分布数据和读写速度数据；基于形态学膨胀原理划分EMM...
    2026-02-11
  • NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法
    NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法_四川矽容微电子科技有限公司_202511439712.8
    本申请涉及计算机NAND芯片的储存技术领域，具体而言，涉及一种NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法，包括：云端库存管理平台；无线仓储装置，设置有多个用于储存硬盘的储存位置，每个储存位置内设置有无线充电模组；能量接收模组，内置于各...
    2026-02-11
  • 一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统
    一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统_四川矽容微电子科技有限公司_202511438468.3
    本发明涉及闪存存储数据技术领域，提供了一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统，包括通过筛选介电层厚度均匀且编程电压稳定的存储区域作为高质量存储区，将关键数据分级存储并优先写入高质量区域，同时对普通区域填充结构化虚拟数据以稳定电荷环境...
    2026-02-11
  • 存储电路、存储器和执行写操作的方法
    存储电路、存储器和执行写操作的方法_昕原半导体(杭州)有限公司_202511206355.0
    本发明公开了一种存储电路，存储电路包括：存储单元，存储单元包括位线；第一开关单元，第一开关单元与位线连接，第一开关单元用于在接收到写操作指令时导通，以向所述位线提供第一工作电压；储能单元，所述储能单元的第一端用于接收第一电平信号，所述储能单...
    2026-02-11
  • 存储电路、存储器和执行写操作的方法
    存储电路、存储器和执行写操作的方法_昕原半导体(杭州)有限公司_202511206352.7
    本发明公开了一种存储电路，存储电路包括：存储单元，存储单元包括位线；第一开关单元，第一开关单元与位线连接，第一开关单元用于在对存储单元执行写操作时导通，以向位线提供第一工作电压；耦合单元，耦合单元与第一开关单元连接，耦合单元用于在对存储单元...
    2026-02-11
  • 一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路
    一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路_华软科技股份有限公司_202511426464.3
    本申请公开了一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路，包括微控制器模块、EEPROM模块和供电模块，微控制器模块与EEPROM模块电连接，供电模块的输出端与微控制器模块的输入端和EEPROM模块的输入端电连接，微控制器模块用于协调和控...
    2026-02-11
  • 一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法
    一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511435325.7
    本发明提供一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于1T1S神经元，构建了偏好特征动态调控电路，将偏好特征动态调控电路与1T1S神经元直接级联，利用非易失性氧...
    2026-02-11
  • 一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质
    一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质_新存微科技(北京)有限责任公司_202511132160.6
    本申请公开一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质。所述数据刷新方法包括：接收数据刷新指令；响应于所述数据刷新指令，从目标存储单元的目标地址中读取历史存储数据，并将所述历史存储数据发送至数据锁存器；从所述数据锁存器中获取所述历史存...
    2026-02-11
  • 存储器及信号处理方法
    存储器及信号处理方法_华为技术有限公司_202511198173.3
    本申请公开了一种存储器及信号处理方法。该存储器包括：锁存电路、译码电路、存储阵列、读电路和写电路。其中，存储阵列包括M行N列位单元，每1个位单元用于存储1比特数据，位单元包括第一端口和第二端口；锁存电路用于接收第一地址、第二地址；译码电路用...
    2026-02-11
  • 一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统
    一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统_南方科技大学_202511137918.5
    本发明涉及数据处理技术领域，公开了一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统，所述方法包括：图像传感器像素阵列采集图像光信号，并将所述图像光信号转换为PWM信号后输入至RRAM存内计算阵列；RRAM存内计算阵列将所述PWM信号的脉冲宽度...
    2026-02-11
  • 基于单片三维集成的向量检索加速器
    基于单片三维集成的向量检索加速器_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511347824.0
    本发明涉及向量检索技术领域，特别涉及一种基于单片三维集成的向量检索加速器，包括：CMOS逻辑层，用于编码查询向量和导入候选冷数据；阻变存储器RRAM计算‑存储一体层，设在CMOS逻辑层之上，用于对编码后的查询向量进行低精度距离计算，得到第一...
    2026-02-11
  • 基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构
    基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构_中国科学院微电子研究所_202511160028.6
    本申请公开了一种基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构，涉及电路设计技术领域。上述架构包括：存储层，由L层IGZO‑3T0C阵列堆叠而成，用于存储目标数据，其中，每层所述IGZO‑3T0C阵列包括多个存储单元，所述L为大于1的正整数；放...
    2026-02-11
  • 具有改良连线负载的电路模块与相关方法
    具有改良连线负载的电路模块与相关方法_円星科技股份有限公司_202511581356.3
    一种具有改良连线负载的电路模块，以及为电路模块改良连线负载的方法。该电路模块包含一第一连线、一第一开关、一第二连线、一第二开关与一第二驱动器。该第一开关可开启与关闭以导通与不导通于该第一连线与一第一节点之间。该第二开关可开启与关闭以导通与不...
    2026-02-11
  • 一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法
    一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法_北京大学_202511352770.7
    本发明公开了一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法，使用的铁电晶体管包括一P型掺杂的半导体衬底，一N型掺杂的源极，一P型掺杂的漏极，一铁电栅叠层和一控制栅；在写入与读出操作过程中分别对源极，漏极和控制栅施加对应电平或浮置操作。在写入过程...
    2026-02-11
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