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最新专利技术
  • 一种晶圆贴片机及方法
    一种晶圆贴片机及方法_武汉驿天诺科技有限公司_202511378335.1
    本发明公开了一种晶圆贴片机及方法，涉及贴片机技术领域，包括机座，机座顶部一侧设置有薄膜内置架，机座表面开设有放置框，放置框中间设置有真空吸盘，放置框两侧设置有用于排出气泡的控制组件。该晶圆贴片机及方法，通过驱动电机带动半齿轮转动，进而使移动...
    2026-01-14
  • 一种智能晶圆存储柜的自动化存储管控方法、系统及装置
    一种智能晶圆存储柜的自动化存储管控方法、系统及装置_乐安博远电子有限公司_202511322548.2
    本发明公开了一种智能晶圆存储柜的自动化存储管控方法、系统及装置，属于数据处理技术领域，包括以下步骤：S1、得到该晶圆盒的指定存储位置并发出存储指令至回转支撑平台；S2、控制转盘存料机构旋转至指定角度，并控制机械臂将晶圆盒存储至指定存储位置，...
    2026-01-14
  • 一种基于动态分层调焦的微电子器件无损伤激光清洗方法和装备
    一种基于动态分层调焦的微电子器件无损伤激光清洗方法和装备_中国电子科技集团公司第十研究所_202511286884.6
    本发明涉及焊料激光清洗领域，提供一种基于动态分层调焦的微电子器件无损伤激光清洗方法和装备，该方法包括：通过视觉成像获取芯片或焊盘上待清洗焊料的待清洗焊料区域的三维图像数据，以确定待清洗焊料厚度最大值；基于待清洗焊料厚度最大值生成逐层的激光清...
    2026-01-14
  • 一种液体供应组件、系统及排气方法
    一种液体供应组件、系统及排气方法_杭州科百特半导体分离膜有限公司_202511284345.9
    本发明公开一种液体供应组件、系统及排气方法，包括供应泵和储液器，储液器内具有储液腔和与储液腔分隔设置的排气腔，储液腔包括位于储液腔壁上的第一进液口、第一出液口、第一连通口和第一排气口，第一出液口可开闭的与泵进液通道连通；第一连通口可开闭的与...
    2026-01-14
  • 一种液体供应组件及液体供应系统
    一种液体供应组件及液体供应系统_杭州科百特半导体分离膜有限公司_202511284344.4
    本发明公开一种液体供应组件及液体供应系统，包括供应泵和储液器，储液器包括储液腔和位于储液腔底部旁侧的缓冲腔，缓冲腔与储液腔连通，缓冲腔的高度低于储液腔的高度，缓冲腔的容积小于储液腔的容积，缓冲腔经由隔膜阀可开闭地连通泵进液通道；储液腔和缓冲...
    2026-01-14
  • 晶圆清洗装置及包括其的晶圆减薄设备
    晶圆清洗装置及包括其的晶圆减薄设备_华海清科股份有限公司_202511255472.6
    本发明提出了晶圆清洗装置及包括其的晶圆减薄设备。所述晶圆清洗装置包括：多个夹持转轮，其用于对待清洗的晶圆进行夹持限位；以及背部清洗滚刷总成，其包括背部清洗滚刷和背部清洗滚刷支架，所述背部清洗滚刷安装在所述背部清洗滚刷支架上，所述背部清洗滚刷...
    2026-01-14
  • 监控静电吸盘机台升降销释放电荷异常的方法
    监控静电吸盘机台升降销释放电荷异常的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511102023.8
    本发明提供一种监控静电吸盘机台升降销释放电荷异常的方法，旨在解决现有技术中监控升降销异常需停机开腔、效率低的问题。该方法包括以下步骤：提供一监测晶圆，其背面带有“氧化硅‑多晶硅‑氧化硅”背封结构；将监测晶圆在静电吸盘机台上作业使其背面被吸附...
    2026-01-14
  • 工艺评价装置、工艺评价方法及计算机程序产品
    工艺评价装置、工艺评价方法及计算机程序产品_株式会社堀场STEC_202510790114.9
    本发明提供工艺评价装置、工艺评价方法及计算机程序产品，其能够适当地调整沉积步骤、各向异性蚀刻步骤以及各向同性蚀刻步骤中的至少一个步骤中的加工时间、加工条件等，并具备光吸收测定部(2A)、(2B)和状态评价部(3)，该光吸收测定部(2A)、(...
    2026-01-14
  • 高压退火装置
    高压退火装置_热思特设备技术股份有限公司_202510641920.X
    本发明涉及一种包括喷嘴组件的高压退火装置，公开一种当所述喷气嘴向所述高压退火装置的腔体内部供应气体时，在与气体供应模组结合的同时防止破损的技术。根据本发明的高压退火装置的一实施例包括：腔体，提供工艺空间，气体供应到所述工艺空间而与基板反应；...
    2026-01-14
  • 一种兼容多尺寸晶圆ID读取的装置
    一种兼容多尺寸晶圆ID读取的装置_乐孜芯创半导体设备(上海)有限公司_202510586804.2
    本发明提供了一种兼容多尺寸晶圆ID读取的装置，包括：预对准机构、寻边传感器和晶圆ID识别元件；所述预对准机构能够承托不同尺寸的晶圆，当晶圆放置于所述预对准机构上后，所述预对准机构带动所述晶圆水平运动，使所述晶圆的边缘位于所述寻边传感器检测范...
    2026-01-14
  • 晶片处理装置
    晶片处理装置_日新离子机器株式会社_202411687521.9
    在晶片处理装置中，缩短晶片回收所需的时间。晶片处理装置(IM、IM2)具有：处理室(1)，对俯视为圆形的晶片(W)实施高温处理；一次冷却室(X)，对从处理室(1)取出的晶片(W)进行冷却；二次冷却室(Y)，对从一次冷却室(X)取出的晶片(W...
    2026-01-14
  • 一种半导体设备系统
    一种半导体设备系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410805381.4
    本发明提供一种半导体设备系统，包括装载锁定室与吹扫清洁腔室，其中，装载锁定室包括用于存放经过了半导体工艺的晶圆的第一晶圆存放腔室，吹扫清洁腔室包括传送区域与清洁区域，传送区域设有机械传送手臂以将第一晶圆存放腔室中的晶圆传送至清洁区域的第二晶...
    2026-01-14
  • 一种提升芯片检测效果的方法
    一种提升芯片检测效果的方法_渠梁电子有限公司_202511725231.3
    本发明涉及一种提升芯片检测效果的方法，包括：将助焊剂涂覆在锡球处，并将锡球焊接在基板与芯片之间；对基板与芯片之间的助焊剂进行清洗；对基板与芯片进行剥离，并检验助焊剂的清洗效果；在剥离步骤前，根据锡球的性能，设置多个不同的分离温度值和分离时间...
    2026-01-14
  • 半导体工艺膜层测量方法及测量装置
    半导体工艺膜层测量方法及测量装置_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511331685.2
    本发明提供了一种半导体工艺膜层测量方法及测量装置，对于晶圆上有测量点的膜层厚度在所述膜层均值厚度范围外的情况，形成了复核点，并测量所述复核点的膜层厚度，根据所述复核点的膜层厚度是否在所述膜层均值厚度范围内来判断所述晶圆是否合格。避免了测量位...
    2026-01-14
  • 用于表征膜的方法和装置
    用于表征膜的方法和装置_台湾积体电路制造股份有限公司_202511201472.8
    方法包括生成朝向测试层的外差光的源光束，使得源光束以第一入射角入射在测试层上。使源光束偏振，从而形成参考光束。使源光束的由测试层反射的部分偏振，从而形成测试光束。测量参考光束的强度信号和测试光束的强度信号。确定测试光束的强度信号的相位和参考...
    2026-01-14
  • 芯片测试方法、装置及计算机设备
    芯片测试方法、装置及计算机设备_杭州长川科技股份有限公司_202511080676.0
    本申请涉及一种芯片测试方法、装置及计算机设备。所述方法包括：基于测试线程进行芯片测试，得到测试数据；基于测试线程将所述测试数据存储至临时文件中，并在所述测试数据写入完成后，继续执行下一次芯片测试；基于数据写入线程，将所述临时文件中的测试数据...
    2026-01-14
  • 真空腔室中用于高翘曲晶片的混合真空静电吸盘
    真空腔室中用于高翘曲晶片的混合真空静电吸盘_应用材料以色列公司_202510835434.1
    公开了一种处理基板的方法，包括：将基板转移到处理腔室中，并将基板定位在处理腔室中基板固持件的上表面上，其中基板固持件包括一或多个位于上表面的真空通道以及一或多个位于基板固持件内接近上表面的电极；当基板固持件位于处理腔室内时，通过对一或多个真...
    2026-01-14
  • 用于高翘曲晶片的混合真空静电夹盘载体
    用于高翘曲晶片的混合真空静电夹盘载体_应用材料以色列公司_202510835392.1
    本发明涉及用于高翘曲晶片的混合真空静电夹盘载体。根据本发明的处理基板的方法包括：将基板定位在第一腔室的基板固持件的上表面，基板固持件包含一或多个设置在上表面的真空通道及一或多个接近上表面的设置于基板固持件内的电极；在基板固持件位于第一腔室内...
    2026-01-14
  • 高翘曲晶片专用腔室中的混合真空静电吸盘
    高翘曲晶片专用腔室中的混合真空静电吸盘_应用材料以色列公司_202510830923.8
    一种在包括主要区域和可与主要区域环境隔离的辅助区域的处理腔室中处理基板的方法，方法包括：在主要区域处于真空压力时，将基板转移到处理腔室的主要区域并放置在基板保持器的上表面上，其中基板保持器包括一或多个设置在上表面的真空通道以及一或多个靠近上...
    2026-01-14
  • 单片式热处理炉的金属污染评价方法以及半导体晶片的制造方法
    单片式热处理炉的金属污染评价方法以及半导体晶片的制造方法_胜高股份有限公司_202510699267.2
    本发明提供一种评价单片式热处理炉的金属污染的新的方法。单片式热处理炉的金属污染评价方法包括：在评价对象的单片式热处理炉中，对多片半导体晶片实施在该热处理炉所具备的载置部件上载置半导体晶片并进行热处理的工序；对上述热处理后的多片半导体晶片的每...
    2026-01-14
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