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最新专利技术
  • 氧化钇烧结体及其制备方法
    氧化钇烧结体及其制备方法_湖南圣瓷新材料有限公司_202511338819.3
    本发明涉及一种氧化钇烧结体的制备方法及通过该方法制备的氧化钇烧结体，并涉及包含所述氧化钇烧结体的半导体制造装置。本发明的制备方法包括将由氧化钇粉体和碳化硼粉体制成的造粒粉进行成型和烧结后获得所述氧化钇烧结体，从而在不影响所述氧化钇烧结体纯度...
    2026-02-14
  • 一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用
    一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用_北京科技大学_202511343244.4
    本发明公开了一种低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其制备方法和应用，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明通过以硝酸镧和乙酸镍为原料，经溶解、干燥、热处理、压制成型及烧结等步骤制备出低电阻LaNiO3陶瓷靶材。本发明的低电阻LaNiO3陶瓷靶材及其...
    2026-02-14
  • 一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法
    一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法_中国科学院电工研究所_202511298597.7
    本发明公开一种多组分超导靶材及其制备方法和多组分交替沉积PLD沉积薄膜方法。该制备方法包括如下步骤：S01：根据多组分超导靶材的组分情况，设计每个组分靶材的形状结构得到多个部分靶材结构，所述部分靶材结构均为扇形结构，其中所有部分靶材结构组合...
    2026-02-14
  • 一种强织构、高密度REBCO靶材及其制备方法
    一种强织构、高密度REBCO靶材及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511295330.2
    本发明公开了一种强织构、高密度REBCO靶材及其制备方法，属于超导材料领域。具体内容包括：首先在650‑900℃下采用热压方法制备高密度各向同性REBCO坯体。然后二次加热，在800‑900℃下将坯体单向压缩，诱导晶粒c轴沿垂直压力方向取向...
    2026-02-14
  • 一种高介低损X7P型电介质陶瓷材料及制备方法和应用
    一种高介低损X7P型电介质陶瓷材料及制备方法和应用_昆山清元电子科技有限公司_202511213447.1
    本发明提供了一种高介低损X7P型电介质陶瓷材料及制备方法和应用，涉及功能陶瓷材料技术领域，电介质陶瓷材料由作为主要成分的钙钛矿型化合物和辅助成分组成；其中，所述钙钛矿型化合物中含有Ba元素和Ti元素，所述辅助成分包括：含有Mg元素的第一辅助...
    2026-02-14
  • 一种低铟RPD靶材及其制备方法和应用
    一种低铟RPD靶材及其制备方法和应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511161650.9
    本发明公开了一种低铟RPD靶材及其制备方法和应用，包括如下的制备原料：氧化铟、氧化锡和掺杂剂；掺杂剂包括氧化铈、氧化钽、氧化钇以及氧化镓中的至少一种。本发明提出一种低铟RPD靶材及其制备方法和应用，本发明的低铟靶材主要原料为氧化铟和氧化锡，...
    2026-02-14
  • 一种Mnzn铁氧体产品改善尺寸错位的工艺方法
    一种Mnzn铁氧体产品改善尺寸错位的工艺方法_无锡斯贝尔磁性材料有限公司_202511181464.1
    本发明公开了一种Mnzn铁氧体产品改善尺寸错位的工艺方法，涉及锰锌铁氧体生产技术领域Mnzn铁氧体产品包括I片和E片，固定I片，固定I片的粉重、总高、密度、烧结窑位、烧结排列方式，使成品A尺寸在内控小范围内，能够有效控制整体腿型均呈略外八；...
    2026-02-14
  • 一种高功率、低损耗LiZn微波铁氧体材料及制备方法
    一种高功率、低损耗LiZn微波铁氧体材料及制备方法_湖南华磁电子技术有限公司_202511695887.5
    本发明属于电子材料技术领域，公开了一种高功率、低损耗LiZn微波铁氧体材料，其原料包括主料和掺杂剂，所述主料包括Li2CO3、ZnO、MnCO3、CuO、NiO和Fe2O3；所述掺杂剂包括Bi2O3、CaCO3和Co2O3。其制备方法包括：...
    2026-02-14
  • 一种无机物盐固相放热熔融液态排渣制备花岗岩的方法
    一种无机物盐固相放热熔融液态排渣制备花岗岩的方法_张泽_202511181453.3
    本发明公开了一种无机物盐固相放热熔融液态排渣制备花岗岩的方法，涉及无机非金属材料合成技术领域。包括原料：活化煤矸石55％、赤泥25％、硼砂8％、石英砂12％；具体步骤包括如下 : 将煤矸石、赤泥、含硼矿化剂及硅质校正剂混合粉碎；在700℃触...
    2026-02-14
  • 一种利用工业废渣的高强度陶瓷及其制备方法
    一种利用工业废渣的高强度陶瓷及其制备方法_江西新明珠建材有限公司_202511105343.9
    本发明涉及陶瓷制备领域，特别涉及一种利用工业废渣的高强度陶瓷及其制备方法。其中，所述利用工业废渣的高强度陶瓷，按重量份数计，其制备原料包括如下组分：经预处理的工业废渣12～18份、改性高岭土10～15份、石英砂5～10份、钾钠混合砂25～3...
    2026-02-14
  • 一种致密烧结刚玉制品及其制备方法
    一种致密烧结刚玉制品及其制备方法_郑州大学_202511434409.9
    本发明属于耐火新材料技术领域，具体涉及一种致密烧结刚玉制品及其制备方法。按质量百分含量计，所述烧结刚玉制品的原料组成为：铬绿0～90%、氢氧化铝8%～99.5%、余量为添加剂，外加上述占上述原料总重1%～5%的有机结合剂，所述添加剂为TiO...
    2026-02-14
  • 一种硅酸三钙水泥复合硅溶胶结合的铁沟浇注料及其制备方法
    一种硅酸三钙水泥复合硅溶胶结合的铁沟浇注料及其制备方法_中冶武汉冶金建筑研究院有限公司_202511241132.8
    本发明公开了一种硅酸三钙水泥复合硅溶胶结合的铁沟浇注料及其制备方法，浇注料主要组成按质量百分比计包括：电熔致密刚玉 10‑17wt%、复合微粉 7‑13wt%、碳化硅 12‑21wt%、硅酸三钙水泥 0.5‑2wt%、球状沥青 0.5‑3w...
    2026-02-14
  • 一种利用煤矸石制备复合氧化铝陶瓷球的方法及其应用
    一种利用煤矸石制备复合氧化铝陶瓷球的方法及其应用_内蒙古科技大学_202511362975.3
    本发明公开了一种利用煤矸石制备复合氧化铝陶瓷球的方法及其应用，本发明复合陶瓷球的制备方法简单，适合大规模制备，原材料便宜易获取，耗时少。通过加入稀选尾矿改善陶瓷球烧结时的晶相，从而可以提高复合陶瓷球的性能，且使用稀选尾矿作为添加剂可以对稀选...
    2026-02-14
  • 一种高性能氧化铝陶瓷及其制备方法
    一种高性能氧化铝陶瓷及其制备方法_贵州群华九九特种陶瓷科技有限公司_202511285815.3
    本发明涉及陶瓷材料领域，具体为一种高性能氧化铝陶瓷及其制备方法，以重量份数计，由以下原料制备而成：氧化铝75‑85份、碳化硅10‑20份、氧化锆5‑10份、氧化钇1‑2份、二氧化钛1‑2份、氧化镧1‑2份、氧化镁1‑2份；所述氧化铝表面负载...
    2026-02-14
  • 一种大尺寸高强度Y2O3-MgO纳米复相陶瓷的制备方法
    一种大尺寸高强度Y2O3-MgO纳米复相陶瓷的制备方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511273508.3
    一种大尺寸高强度Y2O3‑MgO纳米复相陶瓷的制备方法，涉及透明陶瓷材料领域，所述制备方法包括如下步骤：将Y2O3‑MgO纳米复相粉体装入到冷等静压模具中，所述纳米复相粉体的粒径为10～60nm，随后装入密封袋中抽真空；将密封好的样件放入冷...
    2026-02-14
  • 氟化镁-氧化镁红外透明复相陶瓷及其制备方法
    氟化镁-氧化镁红外透明复相陶瓷及其制备方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511272454.9
    本发明涉及一种氟化物‑氧化物体系红外透明复相陶瓷及其制备方法，属于红外透明陶瓷领域。旨在解决现有复相陶瓷难以兼顾高硬度、高红外透过率与物相均匀性的问题。本发明采用独特的分步溶剂法：先将纳米氧化镁粉体分散、氢氟酸稀释于有机非极性溶剂中混合均匀...
    2026-02-14
  • 一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法
    一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法_江苏东玖光电科技有限公司_202511716237.4
    一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，包括：将铟源溶于EDTA‑甘油复合络合剂形成稳定溶液；加入Fe(Ⅲ)‑柠檬酸‑过氧化氢体系，加热生成·OH原位裂解有机物，得高纯前驱体溶胶；干燥后氧气煅烧500～700℃获纳米粉体；预压冷等静压成型后，双...
    2026-02-14
  • 一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜
    一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜_江苏东玖光电科技有限公司_202511716232.1
    本发明公开了一种氧化铟钛铈铌陶瓷靶材及其制备方法和应用、透明导电氧化物薄膜，通过EDTA‑甘油复合络合与Fe(Ⅲ)‑柠檬酸/H2O2自由基原位氧化体系，实现前驱体均匀络合与无机化转化，并采用双阶段气氛烧结工艺制得高致密、高强度、低电阻率靶材...
    2026-02-14
  • 一种高迁移率氧化铟锗锆钛靶材及其制备方法
    一种高迁移率氧化铟锗锆钛靶材及其制备方法_安徽工程大学_202511217870.9
    本发明属于靶材制备技术领域，公开了一种高迁移率氧化铟锗锆钛靶材及其制备方法。将In2O3粉体、GeO2粉体、ZrO2粉体和TiO2粉体按特定比例混合，将混合粉体球磨、造粒获得混合氧化物粉末，随后将混合氧化物粉末依次进行模压成形和冷等静压成形...
    2026-02-14
  • 一种高致密微波介质陶瓷材料及其制备方法
    一种高致密微波介质陶瓷材料及其制备方法_桂林航天工业学院_202511196555.2
    本发明涉及微波介质陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高致密微波介质陶瓷材料及其制备方法；高致密微波介质陶瓷材料组成原料包括Li2CO3、MgO、TiO2和In2O3，高致密微波介质陶瓷材料及制备方法包括：将原料按照各自化学计量比进行配比、称量，...
    2026-02-14
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