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最新专利技术
  • 一种CMOS图像传感器封装结构
    一种CMOS图像传感器封装结构_格科微电子(浙江)有限公司_202511305193.6
    本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构，通过将图像传感器芯片上引出的金属导线悬空部分设置成长短交错，以此连接交错设置的焊盘，同时设置支架结构为将较长的金属导线提供支撑，进而在提高封装结构焊接可靠性的同时，使得长短不一的金属导线末端线型和...
    2025-12-30
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510254633.3
    公开了一种图像传感器，包括：衬底，其具有由像素隔离结构限定的像素区域；在像素区域中的第一有源区域和器件隔离结构；以及在像素区域上的源极跟随器栅极电极。第一有源区域具有鳍状横截面，并且源极跟随器栅极电极覆盖第一有源区域的顶表面和第一有源区域的...
    2025-12-30
  • 一种红外芯片封装器件
    一种红外芯片封装器件_睿创微电子(烟台)有限公司_202511628671.7
    本发明公开了一种红外芯片封装器件，包括依次堆叠设置的红外芯片、支撑框架板和红外透光片：红外芯片的上表面具有感光区域，感光区域中形成有多个红外感光单元；支撑框架板正对感光区域的位置开设有透光通孔；红外透光片覆盖透光通孔所在区域，以使红外透光片...
    2025-12-30
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510467342.2
    图像感测装置包括：半导体基板，其包括第一表面以及面向第一表面或与第一表面相对的第二表面；光电转换区域，其由半导体基板支撑并且被配置为响应于通过第一表面接收的入射光而生成光电荷；以及像素隔离结构，其在半导体基板中设置在相邻的光电转换区域之间并...
    2025-12-30
  • 0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统
    0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统_江南大学_202511137758.4
    本发明公开了一种0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统，属于传感器技术领域。所述传感器包括硅衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN盖层，利用二维电子气的压电效应实现压力信号传感，本发明通过转移工艺在压力...
    2025-12-30
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511706458.3
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，衬底内包括沿第一方向间隔分布的多个沟槽隔离部，于衬底的背面形成第一叠层后，形成沿第一方向间隔分布，沿靠近衬底的第二方向延伸至第一叠层内的多个第一...
    2025-12-30
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511689280.6
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，衬底内包括沿第一方向间隔分布的多个沟槽隔离部；自对准多个沟槽隔离部，形成包括沿第一方向间隔分布的多个第一目标图案的第一型底层半导体层，第一目标图...
    2025-12-30
  • 一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列
    一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列_中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心_202511287253.6
    本发明公开了一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列，包括：第一：通过光敏单元沟阻工艺中引入多分组能量多注入角度多剂量组分的离子注入工艺，可以最大程度的降低不同类型杂质过渡区的密度突变，同时降低了单次高能注入造成晶格轰击损伤，抑制硅...
    2025-12-30
  • 用于背照式传感器的金属栅格形成工艺
    用于背照式传感器的金属栅格形成工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511223905.X
    本申请公开了一种用于背照式传感器的金属栅格形成工艺，包括：提供一衬底，衬底中形成有若干深沟槽隔离结构，衬底表面依次形成有氧化物侧壁层、二氧化硅填充层和黏附层，黏附层上形成有金属层；在金属层上沉积氮化硅掩膜层；在氮化硅掩膜层上依次形成氧化硅层...
    2025-12-30
  • 探测器制备方法和探测器
    探测器制备方法和探测器_赛诺威盛科技(北京)股份有限公司_202511201122.1
    本公开实施例提供的探测器制备方法和探测器，包括：制备形成标识结构层，其中，标识结构层包括对位区域和贴装区域，对位区域包括第一对位标识和第二对位标识，第一对位标识和第二对位标识在标识结构层的第一面和第二面均可见；根据第一对位标识、第二对位标识...
    2025-12-30
  • 金属互连结构及其形成方法
    金属互连结构及其形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134087.6
    本申请公开了一种形成金属互连结构的方法及金属互连结构。该方法包括：在基底上依次形成第二导电层和第一导电层；对第一导电层进行图形化处理以形成第一导电图形；并以该第一导电图形为掩模的一部分，对第二导电层进行蚀刻，以形成第二导电图形。本申请还公开...
    2025-12-30
  • 基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法
    基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法_西北工业大学_202511184879.4
    本申请公开了一种基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。所述同质结雪崩光电探测器从下至上依次包括：衬底层、栅电极、绝缘层、同质结薄膜层、保护层，以及源电极和漏电极；同质结薄膜层包括第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄...
    2025-12-30
  • 用于双波段探测的光电探测器及其制造方法
    用于双波段探测的光电探测器及其制造方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202511256811.2
    本发明的实施例提供了一种用于双波段探测的光电探测器及其制造方法，属于光电探测装备的技术领域。该光电探测器包括：第一光吸收层，用于吸收400‑1000nm波段的入射光；第二光吸收层，设置在第一光吸收层的上方用于吸收900‑1500nm波段的入...
    2025-12-30
  • 一种宽光谱负响应红外探测器及其制备方法与应用
    一种宽光谱负响应红外探测器及其制备方法与应用_安徽大学_202511355515.8
    本发明公开一种宽光谱负响应红外探测器及其制备方法与应用，包括：衬底绝缘层，包括衬底和位于衬底上方的绝缘材料；二维材料层，位于衬底绝缘层上方，其包括底层材料、位于底层材料上方的上层材料，所述底层材料为窄带隙过渡金属硫族化合物的二维层状单晶MX...
    2025-12-30
  • 一种氧化镍/镓酸锌异质结日盲紫外光电探测器及其应用
    一种氧化镍/镓酸锌异质结日盲紫外光电探测器及其应用_广西电网有限责任公司桂林供电局_202511136002.8
    本发明属于局放紫外检测技术领域，具体涉及一种氧化镍/镓酸锌异质结日盲紫外光电探测器及其应用。一种氧化镍/镓酸锌异质结日盲紫外光电探测器，包括：氧化铝衬底；镓酸锌外延层，在所述氧化铝衬底上通过金属有机化学气相沉积生长；锂掺杂p型氧化镍层，在所...
    2025-12-30
  • 一种柔性真空紫外光电探测器件及其制备方法
    一种柔性真空紫外光电探测器件及其制备方法_西安交通大学_202511291187.X
    本发明属于光电探测器件领域，公开了一种柔性真空紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：将六方氮化硼纳米片分散液，通过油水自组装的方式，形成自组装层；将自组装层转移到柔性衬底上；在自组装层上将六方氮化硼纳米片分散液通过射频磁控溅射一层六方...
    2025-12-30
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511707712.1
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏组件，至少可以提高焊接部与栅线的连接可靠性，并提高焊接部与焊带的连接可靠性。光伏组件包括电池串，电池串包括沿第一方向排列的多个电池片以及电连接相邻电池片的焊带。电池片包括基底、栅线和焊接部。栅线位于基底上；焊...
    2025-12-30
  • 一种互联焊带、光伏电池串及制备方法
    一种互联焊带、光伏电池串及制备方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511287141.0
    本发明公开一种互联焊带、光伏电池串及制备方法。该互联焊带包括：焊带本体，焊带本体的焊接面上具有槽口；焊带本体内具有从槽口向焊带本体内部凹陷的第一自锁结构；第一自锁结构包括第一截面和第二截面，第一截面的凹陷距离大于第二截面的凹陷距离，并且第一...
    2025-12-30
  • 一种电池串及光伏组件
    一种电池串及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202410921403.3
    本申请公开了一种电池串及光伏组件，属于光伏技术领域，该电池串包括：第一方向依次排布的若干电池片、连接相邻电池片的汇流条、设置在电池片表面并与汇流条相连接的焊带；焊带包括分设在电池片两侧表面的正面焊带与背面焊带；汇流条沿垂直于第一方向的第二方...
    2025-12-30
  • 背接触电池串、光伏电池以及背接触电池串的串联方法
    背接触电池串、光伏电池以及背接触电池串的串联方法_一道新能源科技股份有限公司_202410753773.0
    本申请公开了一种背接触电池串、光伏电池以及背接触电池串的串联方法，背接触电池串包括多个背接触电池单元，背接触电池单元均包括：背接触电池片以及电性连接组件，背接触电池片均包括电池片主体以及多个细栅组；电性连接组件包括多个电性连接件；其中，电池...
    2025-12-30
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