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最新专利技术
  • 一种蚕丝丝胶和丝素的高效分离方法
    一种蚕丝丝胶和丝素的高效分离方法_苏州大学_202511494866.7
    本发明公开了一种蚕丝丝胶和丝素的高效分离方法，包括以下步骤：(1)将原蚕丝浸入水‑甘油混合液中，然后取出得到预处理原蚕丝；(2)将预处理原蚕丝进行交变温湿场‑低频振动耦合处理，完成丝胶和丝素的分离。现有技术都是通过一定腐蚀性化学试剂或者酶，...
    2026-03-11
  • 一种羊毛加工酸化装置
    一种羊毛加工酸化装置_山东德倍贸易有限公司_202511255706.7
    本发明公开了一种羊毛加工酸化装置，涉及羊毛加工技术领域，包括支架，还包括安装在支架上的电控模块以及安装在电控模块内部的存放模块；所述电控模块由电控系统与排液箱组成，且电控模块上转动安装有防漏盖板，所述防漏盖板通过电推杆驱动转动，所述支架内部...
    2026-03-11
  • 一种苎麻剥皮机
    一种苎麻剥皮机_四川省农业机械科学研究院_202511396338.8
    本发明公开了一种苎麻剥皮机，涉及剥皮设备技术领域，包括机架，以及设在机架上的喂入口、辊压装置和打剥组件，还包括直径筛分机构和整直矫形机构；整直矫形机构通过第一安装台设置于直径筛分机构的前端，整直矫形机构包括：挤压整形组件，设置于第一安装台上...
    2026-03-11
  • 间歇式菠萝叶刮麻机
    间歇式菠萝叶刮麻机_中国热带农业科学院农业机械研究所_202511636489.6
    本发明公开了一种间歇式菠萝叶刮麻机，包括机架、喂叶机构、位于机架两端的两个刮麻机构，所述喂叶机构包括安装叶片输送组件和压夹叶片组件，叶片输送组件包括第一主动辊、第二主动辊和套装在第一主动辊、第二主动辊上的输送带，在第一主动辊上方设置一套压夹...
    2026-03-11
  • 基于DNA折纸等离子纳米天线阵列基底、制备方法及应用
    基于DNA折纸等离子纳米天线阵列基底、制备方法及应用_苏州大学_202511076149.2
    本申请公开了一种基于DNA折纸等离子纳米天线阵列基底、制备方法及应用，该基底包括：由矩形DNA折纸纳米结构、修饰于矩形DNA折纸纳米结构特定位点的功能化探针，以及延伸链组成的DNA折纸探针阵列，以及通过多腺苷酸与延伸链互补连接的微流控银纳米...
    2026-03-11
  • 一种生物力学芯片的模块化构建方法及其应用
    一种生物力学芯片的模块化构建方法及其应用_武汉大学_202511262070.9
    本发明公开了一种生物力学芯片的模块化构建方法及其应用，属于生物芯片技术领域。本构建方法包括如下步骤：(1)设计和制备所需模具并准备所需材料；(2)制备水凝胶牺牲模板；(3)制备微弦芯片模块；(4)对微弦的力学性能进行表征，组装模块化微弦生物...
    2026-03-11
  • 一种避免籽晶氧化引起单晶叶片制备过程中凝固缺陷形成的方法
    一种避免籽晶氧化引起单晶叶片制备过程中凝固缺陷形成的方法_湘潭大学_202511350331.2
    本发明公开一种避免籽晶氧化引起单晶叶片制备过程中凝固缺陷形成的方法，属于单晶高温合金叶片制备技术领域。该方法通过定量检测籽晶顶端氧化层厚度，建立其与母合金浇注后保温时间的数学定量对应关系，据此动态调控保温工艺，促使氧化层充分分解或破裂，有效...
    2026-03-11
  • 基于激光辅助表面预处理光学元件制备方法及光学元件
    基于激光辅助表面预处理光学元件制备方法及光学元件_通用技术集团机床工程研究院有限公司_202511037291.6
    本申请公开了一种基于激光辅助表面预处理光学元件制备方法及光学元件，属于光学元件领域。该基于激光辅助表面预处理光学元件制备方法包括：制备单晶硅样品，单晶硅样品包括相背的第一表面和第二表面；对第一表面和/或第二表面进行激光改性处理，得到目标样品...
    2026-03-11
  • 一种单靶磁控溅射锰锡合金薄膜及制备方法
    一种单靶磁控溅射锰锡合金薄膜及制备方法_天津大学_202511544816.5
    本发明涉及一种单靶磁控溅射锰锡合金薄膜及制备方法。单靶磁控溅射制备Mn3Sn薄膜Mn3Sn/MgO异质结构。在MgO(111)单晶基片上生长单晶外延Mn3Sn薄膜或非纯外延Mn3Sn薄膜。Mn3Sn薄膜不仅结构纯净、结晶质量高，更有利于研究...
    2026-03-11
  • 一种二维半导体TMDCs晶圆及其制备方法
    一种二维半导体TMDCs晶圆及其制备方法_南京理工大学_202511265046.0
    本发明公开了一种二维半导体过渡金属二硫属化合物(TMDCs)晶圆及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤一，将硫粉或硒粉单独置于第一温区，将钨酸盐粉末或钼酸盐粉末与过渡金属氧化物粉末研磨混合均匀，置于终于第二温区，将衬底置于第三温区；步骤二...
    2026-03-11
  • 一种碳化硅晶体及其制备方法
    一种碳化硅晶体及其制备方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511692575.9
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体及其制备方法。所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：S1、将废碳化硅籽晶加工成环形结构；S2、在所述环形结构的一面采用高温粘接剂粘接籽晶；在所述环形结构的另一面采用高温粘接剂粘接底托；...
    2026-03-11
  • 一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器
    一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器_凯伏绿能(西安)光电有限公司_202511473270.9
    本发明涉及太阳电池装备技术领域，具体是一种宏量高良率钙钛矿薄膜抽气结晶器，包括卧式真空狭腔结构、基片接驳系统、真空抽气系统、主动进气系统及结晶控制系统；卧式真空狭腔结构为狭缝式(高度≤100mm)，顶板设有含条形抽气/进气口的气流抽送结构、...
    2026-03-11
  • 一种N型氧化镓晶体及其制备方法
    一种N型氧化镓晶体及其制备方法_杭州富加镓业科技有限公司_202511109255.6
    本发明公开一种N型氧化镓晶体及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明将待退火处理的锡掺杂的N型氧化镓晶锭置于装有单质锡粉末或二氧化锡粉末的密闭陶瓷罐中，使单质锡粉末或二氧化锡粉末覆盖待退火处理的锡掺杂的N型氧化镓晶锭；在保护性气氛下...
    2026-03-11
  • 通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用
    通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用_宁夏职业技术学院(宁夏开放大学)_202511032391.X
    本发明公开了一种通过溶剂调控法制备一维有机金属卤化物单晶的方法及应用。该方法以联苯并咪唑和ZnCl2为原料，通过调节甲醇/水混合溶剂的体积比，分别制备出BBI‑ZnCl2和BBI‑ZnCl4单晶，工艺简单、条件温和且无需复杂设备。所得单晶与...
    2026-03-11
  • 一种具有热致跳跃行为的杂化金属卤化物晶体材料及其制备方法
    一种具有热致跳跃行为的杂化金属卤化物晶体材料及其制备方法_南开大学_202511028064.7
    一种具有热致跳跃性质的杂化金属卤化物晶体材料，其特征在于它是由有机胺配体和金属卤化物为原料合成的，在热刺激下具有动态响应的晶体。制备方法为：将金属卤化物与有机胺配体溶于卤化氢溶液中，通过超声或磁力搅拌得到乳白色悬浊液；分别向悬浊液中加入无水...
    2026-03-11
  • 一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用
    一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用_南京大学_202511288560.6
    本发明公开了一种BiOCl单晶和其生长方法及在X射线探测器的应用，所述的BiOCl单晶采用气相法搭配不同纯度的原料和合适的输运剂制备而成，可获得毫米级别大尺寸、具有光学透明性和本征小极化子的二维层状结构单晶，该材料性能稳定，重复性好。所得B...
    2026-03-11
  • 用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法
    用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538733.5
    本发明提供用于提高轻掺硼完美晶体生产效率的拉晶方法，涉及轻掺直拉单晶技术领域，在等径拉晶过程中，通过降低冷却效率及改变拉晶参数，以将V/G比值被精确控制在临界值附近一个极窄的区间内，使晶体中空位和自间隙原子的过饱和度相当，以通过扩散复合相互...
    2026-03-11
  • 一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉
    一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉_连城凯克斯科技有限公司_202511523289.X
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种具有防爆安全泄压结构的单晶炉，包括单晶炉，单晶炉的顶端安装有炉盖，炉盖的一侧安装有泄压管，炉盖靠近泄压管的一侧安装有进气管，泄压管的内部固定有对接环，对接环的一侧设置有支撑板，支撑板靠近对接环的一侧固...
    2026-03-11
  • 外延反应腔室恢复方法和外延生长装置
    外延反应腔室恢复方法和外延生长装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511274241.X
    本发明涉及一种外延反应腔室恢复方法和外延生长装置，外延反应腔室恢复方法包括：步骤S1：在第一温度下，对外延反应腔室进行清洁；步骤S2：在第一预设时间内，使得外延反应腔室的温度由所述第一温度升温至第二温度；步骤S3：在所述第二温度下，对所述外...
    2026-03-11
  • 一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法
    一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法_金瑞泓科技(衢州)有限公司_202511213868.4
    本发明涉及一种硅片LTO预生长抑制RTP引入铁沾污的方法，包括以下具体步骤：S1：获得加工完毕的抛光片；S2：对硅片正面进行清洗；S3：将硅片正面朝上放入到背封炉内进行低温氧化物生长，使得硅片正面形成氧化硅层；S4：取出硅片，并对硅片背面进...
    2026-03-11
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