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最新专利技术
  • 半导体装置及树脂组合物
    半导体装置及树脂组合物_纳美仕有限公司_202480017737.6
    提供一种包含拉伸伸长率大的层间绝缘膜的半导体装置及树脂组合物。一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片、覆盖所述半导体芯片的密封材料、以及再布线层，所述再布线层包含将所述半导体芯片和外部端子进行电连接的布线、以及覆盖布线的周围的层间绝缘...
    2025-11-19
  • 包括抗裂纹背侧钝化结构的三维存储器设备及其形成方法
    包括抗裂纹背侧钝化结构的三维存储器设备及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020668.4
    一种三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替叠堆；存储器元件的三维阵列，存储器元件的该三维阵列嵌入在交替叠堆中；介电材料部分，该介电材料部分与交替叠堆相邻定位；连接过孔结构，该连接过孔结构竖直地延伸穿过介电材料部分；背侧连接焊盘腔，该背侧连...
    2025-11-19
  • 在焊线系统上切割线材的方法、以及相关的切割刀和焊线系统
    在焊线系统上切割线材的方法、以及相关的切割刀和焊线系统_库利克和索夫工业公司_202480020327.7
    本文中提供一种焊线系统。所述焊线系统包括焊合工具。所述焊线系统还包括邻近所述焊合工具设置的切割刀。所述切割刀在切割刀的一侧上邻近切割刀的末梢部限定有面。所述面被配置为在切割操作之前接触线材。
    2025-11-19
  • 具有用于改进板级可靠性的模制后镀镍钨和锡双层的电子装置
    具有用于改进板级可靠性的模制后镀镍钨和锡双层的电子装置_德州仪器公司_202380095735.4
    本申请涉及一种电子装置(100)，其包含半导体管芯(120)、围封所述半导体管芯(120)的封装结构(108)，以及具有第一表面(131)和第二表面(132)的导电引线(110)。所述第一表面(131)具有沿着所述封装结构(108)的一侧(...
    2025-11-19
  • 电子装置冷却结构
    电子装置冷却结构_艾德亚半导体接合科技有限公司_202480020658.0
    具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的冷却结构可通过方法形成，所述方法包含：在第一基板中形成入口及出口；在所述第一基板的所述第二侧上形成至少一个通道，其中所述至少一个通道与所述入口及所述出口流体连通；在第二基板的所述第一侧上形成多个喷嘴；及...
    2025-11-19
  • 用于低氟成核层沉积的脉冲ALD序列
    用于低氟成核层沉积的脉冲ALD序列_朗姆研究公司_202480020494.1
    一种方法包括：提供部分制造的半导体衬底的3D结构至室，所述3D结构包括多个侧壁，在所述侧壁中的多个开口导致多个特征，所述特征具有穿过所述开口而流体可及的多个内部区域；以及使用一个或更多个沉积循环在所述多个特征中沉积钨成核层，每个沉积循环包括...
    2025-11-19
  • 顶部通孔互连
    顶部通孔互连_国际商业机器公司_202480020414.2
    一种半导体结构，包括：第一金属线，其嵌入在第一介电层中；第二金属线，其嵌入在第二介电层中，其中第二金属线布置在第一金属线上方；顶部过孔，其在第一金属线中的一根金属线和第二金属线中的一根金属线之间延伸，其中顶部过孔自对准到第一金属线中的一根金...
    2025-11-19
  • 用于NAND深接触间隙填充的集成解决方案
    用于NAND深接触间隙填充的集成解决方案_应用材料公司_202480019193.7
    一种填充具有颈缩点的通孔的方法包括：执行预清洁工艺，以从通孔底部处的金属层的暴露表面去除残留物并恢复通孔的内表面，其中通孔在介电层内形成，并且具有在通孔内突出的颈缩点；执行选择性沉积工艺，以从颈缩点下方的金属层的暴露表面用金属填充材料部分地...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480024070.2
    逆导型IGBT(1、2、3、4)的半导体衬底(10)具有配置在集电区层(11)与漂移层(13)之间的n型的缓冲层(12)。缓冲层(12)具有设置于IGBT区域(102)的第一缓冲层(12a)和设置于边界区域(106)的第二缓冲层(12b)。...
    2025-11-19
  • 基板取出方法及基板移送系统
    基板取出方法及基板移送系统_平田机工株式会社_202380095949.1
    本发明提供一种适用于对构成为薄型且收容在间距窄的容纳容器中的基板的应对，且可提高将基板取出时的控制稳定性的基板取出方法及基板移送系统。基板取出方法包含：第一移动工序，使机械手移动，将机械手的延伸设置部从容纳容器的开口部插入到容纳容器内；第一...
    2025-11-19
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480018151.1
    本发明提供一种高压基板处理装置，其包括：内腔，具有用于配置被处理基板的反应空间；外腔，配置为用于容纳所述内腔；供气模块，向所述反应空间以比大气压高的第一压力供应用于处理被处理基板的反应气体，向所述外腔和所述内腔之间的保护空间以与所述第一压力...
    2025-11-19
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480018146.0
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，形成为用于容纳待处理基板、和以高于大气压的第一压力供给的反应气体；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；以及外门，可在关闭所述外壳的关闭状态和打开所述外壳的打开状态之间移动，所述外腔形成为用于...
    2025-11-19
  • 晶圆检查装置、晶圆检查系统、晶圆检查方法以及程序
    晶圆检查装置、晶圆检查系统、晶圆检查方法以及程序_同和电子科技有限公司_202480020950.2
    高精度地检测蚀刻坑。晶圆检查装置(10)具备：数据输入I/F(11)，其用于获取在蚀刻坑的检测中使用的参数；图像输入I/F(13)，其用于获取晶圆的表面的摄影图像；以及控制部(14)，其基于参数对摄影图像进行分析，并检测在晶圆的表面出现的蚀...
    2025-11-19
  • 测量装置和测量方法
    测量装置和测量方法_三星显示有限公司_202380096840.X
    提供了测量装置。测量装置包括：虚拟图像生成单元，用于基于设计图中所示的多个层来生成虚拟图像；参考测量区域确定单元，用于确定要在虚拟图像中测量的参考测量区域；目标测量区域检测单元，用于从包括基于设计图而被图案化的多个层的测量目标中检测与参考测...
    2025-11-19
  • 面板装载平台
    面板装载平台_应用材料公司_202480019614.6
    示例性的半导体部件组装平台包括基架；所述基架具有从第一端延伸到第二端的框架主体。所述部件组装平台包括可移动地连接到所述基架的伸缩架，及可移动地连接到所述伸缩架的部件支撑件。半导体部件组装平台呈现压缩位置和完全延伸位置。在压缩位置中，将所述伸...
    2025-11-19
  • 用于纳米孔湿式清洁的系统以及方法
    用于纳米孔湿式清洁的系统以及方法_应用材料公司_202480022884.2
    示例性半导体处理方法可包括将基板提供到半导体处理腔室的处理区域。所述基板可包括材料的交替叠层。特征可延伸穿过材料的所述交替叠层。材料的所述交替叠层中的一种材料可包括含硅材料。自然氧化物材料可设置在所述含硅材料的暴露表面的至少一部分上。所述方...
    2025-11-19
  • 基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置
    基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202380096107.8
    提供一种基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，能够通过抑制或者减少发生膜缺陷而在短时间内高效地将致密性以及保护性能优异的自组装单分子膜成膜于基板表面。本发明的基板处理方法包含：膜形成工序，使包含SAM分子的处理...
    2025-11-19
  • 使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻
    使用基于硅烷的化学品执行原子层蚀刻_朗姆研究公司_202480023581.2
    所公开的示例涉及使用基于硅烷的挥发性化合物的原子层蚀刻。一示例提出一种用于对衬底执行原子层蚀刻的方法。所述方法包括执行多个原子层蚀刻循环。所述多个原子层蚀刻循环中的原子层蚀刻循环包括：使包括金属氧化物表面的衬底暴露于氟化剂，其中所述金属氧化...
    2025-11-19
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480020297.X
    本发明提供能够以高精度调整通量参数的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。模拟利用等离子体处理基板的处理装置中的等离子体的状态，从模拟结果获取表示由等离子体引起的粒子入射到基板的状态的通量参数的估计值，使用模拟模型或者学习完毕模型，将获...
    2025-11-19
  • 等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件
    等离子体处理装置和等离子体处理装置内部件_东京毅力科创株式会社_202480020244.8
    一种等离子体处理装置，其特征在于：包括等离子体处理装置内部件，所述等离子体处理装置内部件包括气体供给路径和能够形成所述气体供给路径的形成部，在设所述气体供给路径在与所述气体供给路径的长度方向垂直的截面中的代表长度为d1、最长部长度为d2时，...
    2025-11-19
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