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最新专利技术
  • 一种GPU芯片成型设备及芯片封装方法
    一种GPU芯片成型设备及芯片封装方法_深圳市立创达自动化设备有限公司_202510946594.3
    本发明公开一种GPU芯片成型设备及芯片封装方法， 包括：对裸片与基板间隙注入含紫外光引发剂、潜伏热引发剂、上转换发光纳米粒子、磁感应加热纳米粒子的底部填充树脂， 形成功能化树脂层；对外围区域实施紫外光照射， 使光引发剂聚合放热并激活潜伏热引...
    2025-12-03
  • 一种镀银凸块二次镀金形成金包裹层的防腐工艺
    一种镀银凸块二次镀金形成金包裹层的防腐工艺_晶度半导体科技(安徽)有限公司_202510785131.3
    本文针对现有金属凸块防腐技术的局限性， 提出了一种创新工艺：采用纯银电镀形成凸块主体， 通过二次电镀纯金在其所有外露面形成完整的金包裹结构， 该工艺通过精确调控两次电镀参数及第二次光刻图形尺寸， 使薄金层均匀包裹银凸块外露表面， 有效解决了...
    2025-12-03
  • 宇航级多层堆叠组件的封装方法
    宇航级多层堆叠组件的封装方法_中国电子科技集团公司第三十八研究所_202510928676.5
    本发明提供一种宇航级多层堆叠组件的封装方法， 涉及微波组件加工的技术领域， 包括以下步骤：步骤1：将待封盖组件组装好后安装在工装中， 所述工装包括：底座、围框、抵块、撑杆；步骤2：将装有待封盖组件的工装放置在加热平台上；步骤3：采用阶梯升降...
    2025-12-03
  • 一种芯片支架用高导热不锈钢及其制备方法
    一种芯片支架用高导热不锈钢及其制备方法_江苏甬金金属科技有限公司_202511261822.X
    本发明公开了一种芯片支架用高导热不锈钢及其制备方法， 涉及不锈钢镀覆技术领域。本发明中先在不锈钢基体表面镀镍， 再进行镀铜， 最后涂覆高导热涂料， 得到芯片支架用高导热不锈钢；镍与不锈钢的晶格匹配性较高， 形成的镀镍层与不锈钢基体结合力高，...
    2025-12-03
  • 半导体封装用的基板的加工方法
    半导体封装用的基板的加工方法_芯爱科技(南京)有限公司_202510947629.5
    一种半导体封装用的基板的加工方法， 包括针对基板的异常翘曲区域进行局部热压的动作， 以对该基板即时进行翘曲改善， 故可避免于最终产品成型时需进行整体压合工艺而造成大面积损伤线路的问题。
    2025-12-03
  • 一种陶瓷封装结构制备方法及陶瓷封装结构
    一种陶瓷封装结构制备方法及陶瓷封装结构_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510876919.5
    本发明提供了一种陶瓷封装结构制备方法及陶瓷封装结构， 属于半导体器件技术领域， 包括在基板上加工通孔， 并在基板表面和通孔内壁形成金属化的种子层；在基板表面涂覆光阻层， 采用光刻工艺对基板进行加工， 并在种子层上形成应力缓冲层；在基板表面涂...
    2025-12-03
  • 封装基板的制作方法
    封装基板的制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510733933.X
    本公开提供一种封装基板的制作方法。具体地， 所述制作方法包括：提供一具有嵌埋口框的框架基板；其中， 框架基板包括相对的第一表面和第二表面；所述嵌埋口框贯穿所述第一表面和所述第二表面；提供一承载膜；其中， 承载膜包括未固化的无玻纤介质胶膜及键...
    2025-12-03
  • 玻璃通孔的填充方法及玻璃基板
    玻璃通孔的填充方法及玻璃基板_玻芯成(重庆)半导体科技有限公司_202510724950.7
    本申请适用于半导体先进封装技术领域， 提供了一种玻璃通孔的填充方法及玻璃基板， 用于提高玻璃通孔的填充质量， 保障玻璃通孔具有良好的导电连通性。玻璃通孔的填充方法包括提供一玻璃基板， 玻璃基板上具有通孔；对玻璃基板进行第一段电镀， 以使通孔...
    2025-12-03
  • 减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法
    减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510819651.1
    本申请提供一种减少CMP铜制程的晶圆边缘缺陷的方法， 在研磨结束于研磨腔晶圆传出位置对晶圆实施预清洗并将晶圆传送至清洗腔后， 对位于晶圆传出位置的夹爪手指的用于夹住晶圆的凹槽进行清洗， 根据对射式激光传感器所判定的夹爪手指的状态通过PLC自...
    2025-12-03
  • 沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构
    沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510993202.9
    本发明提供了一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构， 沟槽刻蚀方法包括在金属层上顺序沉积第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层以及第三氧化物层， 第一氧化物层的厚度大于所述第三氧化物层的厚度；在第三氧化物层表面涂布光刻胶层并对光刻胶...
    2025-12-03
  • 半导体芯片的制造方法
    半导体芯片的制造方法_琳得科株式会社_202510789888.X
    一种半导体芯片的制造方法， 其依次包含下述工序， 工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序， 在该半导体芯片制作用晶圆中， 在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的凸块形成面， 以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；工序(S2)：...
    2025-12-03
  • 功率半导体结构及其制造方法
    功率半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410414186.9
    本发明提供了功率半导体结构及其制造方法。功率半导体结构包括：衬底；外延层， 其在所述衬底上方；凹槽， 其延伸至所述外延层中；掺杂区， 其设置于所述凹槽之下方；接触构件， 其设置于所述掺杂区上方或部分地被所述掺杂区包围；及势垒层， 其设置于所...
    2025-12-03
  • 二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜
    二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜_原集微科技(上海)有限公司_202511316637.6
    本发明公开了一种二维半导体溶液法选区掺杂用掩膜制备方法及掩膜， 其中， 制备方法包括在二维半导体表面依次沉积第一介质层、第二介质层， 第二介质层在第一介质层去除液中的刻蚀速率小于第一介质层；刻蚀工艺去除目标掺杂区域第二介质层和部分第一介质层...
    2025-12-03
  • 硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
    硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202511316612.6
    本发明提供一种硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备， 该方法包括：将待刻蚀器件置于等离子体反应腔内；向所述等离子体反应腔内施加第一射频激励， 以将所述等离子体反应腔内的工艺气体激发为等离子体；向所述等离子体反应腔内施加第一固定功率的第二射频激励， 以驱...
    2025-12-03
  • 基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法
    基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202510929018.8
    本发明公开了一种基于金属硬掩膜的金属薄膜剥离方法， 包括：在基底上形成金属种子层；在金属种子层上形成图形化光刻胶掩膜；选择性增厚未被光刻胶掩膜覆盖的金属种子层区域， 金属硬掩膜；去除光刻胶掩膜， 形成开窗区域；腐蚀去除开窗区域的金属种子层；...
    2025-12-03
  • 一种磷化铟晶片的清洗工艺
    一种磷化铟晶片的清洗工艺_广东先导微电子科技有限公司_202510994174.2
    本发明涉及晶片清洗领域， 具体是一种磷化铟晶片的清洗工艺。本发明提供的磷化铟晶片的洗片方法， 通过第一清洗液， 第一清洗液和第三清洗液的作用， 最后经过水和浓硫酸的清洗， 基本去除了磷化铟晶片衬底表面的金属化合物离子和有机颗粒， 重金属及无...
    2025-12-03
  • 一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法
    一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法_厦门大学_202510961432.7
    本发明提供了一种沟槽结构侧壁沉积氮化硅的方法， 属于半导体制造技术领域。本发明利用电感耦合等离子体增强型化学气相沉积在沟槽结构的顶部、侧壁和底部沉积含碳阻挡层， 随后利用氨气等离子体轰击对沟槽侧壁进行定向蚀刻， 实现沟槽侧壁的含碳阻挡层精确...
    2025-12-03
  • 掺杂多晶硅薄膜的形成方法
    掺杂多晶硅薄膜的形成方法_上海新微技术研发中心有限公司_202510909563.0
    本申请涉及半导体制造领域， 具体地说， 是涉及一种掺杂多晶硅薄膜的形成方法， 该形成方法包括：在衬底的氧化层上沉积掺杂的多晶硅以形成掺杂多晶硅薄膜；对掺杂多晶硅薄膜进行高温退火， 高温退火包括预热阶段、升温阶段和退火阶段， 在预热阶段和升温...
    2025-12-03
  • 研磨腔内对晶圆实施的清洗方法
    研磨腔内对晶圆实施的清洗方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510822327.5
    本申请提供一种研磨腔内对晶圆实施的清洗方法， 通过在研磨腔晶圆传出位置的中心位置设置的内部安装有驱动装置的基座及该基座顶部安装的与该驱动装置协同工作的可360度旋转喷水的清洗喷头向晶圆晶面喷射覆盖晶圆直径的水幕对研磨后的晶圆进行预清洗， 控...
    2025-12-03
  • 一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法
    一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法_安徽晶微科技有限公司_202510720416.9
    本发明属于芯片清洗技术领域， 公开了一种晶圆片焦平面微桥结构的清洗方法， 包括以下步骤：(1)将晶圆片放入添加氟碳表面活性剂的无水乙醇中进行第一次清洗；(2)采用异丙醇和压缩气体对第一次清洗后的晶圆片进行二流体喷雾清洗；(3)干燥二流体喷雾...
    2025-12-03
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