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最新专利技术
  • 一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器
    一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511967319.6
    本发明涉及一种高输入反向耐压四通道高速光电耦合器，属于半导体器件及封装技术领域。其包括：陶瓷外壳，陶瓷外壳中设置有四个相互隔离的高速光敏集成电路芯片；陶瓷载体，陶瓷载体数量为四个，每个陶瓷载体上设置有发光二极管芯片和反向耐压的保护二极管芯片...
    2026-04-13
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202411360281.1
    本申请实施例涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底；于半导体衬底表面形成隧穿层；于隧穿层表面依次形成未掺杂的初始本征材料层和含掺杂剂的掺杂层；掺杂剂包括N型掺杂剂和P型掺杂剂中的任一种；对初始本...
    2026-04-13
  • 一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片
    一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片_上虞半导体材料研究中心_202511643173.X
    本发明一种用于异质结太能能电池的高效吸杂方法及硅片，属于硅片制造技术领域，本发明方法包括以下步骤：S1 : 在多晶硅原料中加入碳掺杂剂，利用直拉法生长高碳浓度的单晶硅棒；S2 : 对步骤S1的单晶硅棒进行切割，得到硅片；S3 : 将步骤S2...
    2026-04-13
  • 一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置
    一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置_江苏中胜微科技有限公司_202511834952.8
    本发明公开了一种切片电池边缘清洗钝化方法及装置，属于电池技术领域，包括以下步骤：S1 : 热激光分离切割：采用热激光分离技术对电池片进行切割，并在切割过程中同步实施主动冷却，通过控制切割区域的温度场，使材料以脆性断裂机制分离，从而获得无熔融...
    2026-04-13
  • 用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法
    用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法_和光同程光伏科技(宜宾)有限公司_202511838239.0
    本发明公开了用于制造太阳能电池的链式水膜设备及降低HF耗量方法，涉及太阳能电池制造技术领域，链式水膜设备包括喷淋室、输送辊组件、喷淋组件、水箱、控温件和采集组件，降低HF耗量方法，包括：利用上述的用于制造太阳能电池的链式水膜设备将预设温度范...
    2026-04-13
  • 背接触电池及其制备方法和光伏组件
    背接触电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511912351.4
    本发明提供了一种背接触电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，所述背接触电池的制备方法包括：对激光开膜后的硅基底进行电化学阳极氧化处理，之后制备金属电极，得到背接触电池。本发明采用电化学阳极氧化工艺，优先作用于激光造成的高活性...
    2026-04-13
  • 光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件
    光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件_泰州中来光电科技有限公司_202511932273.4
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种光伏电池正面无种子层电极的界面优化方法及光伏器件。该方法包括：将硅基底置于PECVD设备中，经等离子体原位沉积，在硅基底的正面透明导电层表面沉积1～10nm厚的SiOxNy复合钝化层；将烧结温度≤200℃的...
    2026-04-13
  • 一种硅片的绒面制备方法
    一种硅片的绒面制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511936561.7
    本申请涉及一种硅片的绒面制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括具有不同晶向的第一晶面和第二晶面；对去离子水进行解离，形成羟基自由基，并通过羟基自由基对硅片表面进行各向异性刻蚀，得到绒面结构；其中，羟基自由基对第一晶面和第二晶面的刻蚀速率...
    2026-04-13
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511945861.1
    本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法，该制备方法先在电池前驱体上形成金属种子层和感光胶膜，然后对感光胶膜进行曝光、显影形成开口凹槽，并利用等离子体处理产生的高能离子和自由基来清除开口凹槽内未被显影液去除的感光胶膜残留物、杂质以及其他污染物，...
    2026-04-13
  • BC电池串成串设备及成串方法
    BC电池串成串设备及成串方法_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202511975003.1
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种BC电池串成串设备及成串方法，该BC电池串成串设备中，电池串制备机构且用于排列电池片，且将焊带制备机构制备的正极焊带和负极焊带沿第一方向交错排布地放置于同组中需要串联的电池片上，并将正负极膜条制备机构...
    2026-04-13
  • 电池串排版件生产设备及电池串排版件生产工艺
    电池串排版件生产设备及电池串排版件生产工艺_苏州智慧谷激光智能装备有限公司_202511975557.1
    本发明涉及太阳能技术领域，具体公开了一种电池串排版件生产设备及电池串排版件生产工艺，该电池串排版件生产设备中，电池串制备装置用于将若干电池片在制备平台上排布，并将焊带制备机构制备的正极焊带和负极焊带放置于同组中需要串联的电池片上，且将正负极...
    2026-04-13
  • 一种光伏电池的正面金属化方法及光伏电池
    一种光伏电池的正面金属化方法及光伏电池_苏州晶洲装备科技有限公司_202511989507.9
    本发明提供一种光伏电池的正面金属化方法及光伏电池。该正面金属化方法包括以下步骤：提供制绒后的硅衬底，硅衬底的正面具有绒面结构；对硅衬底正面的金属栅线预定区域进行平坦化处理，形成平坦接触区；对硅衬底进行热扩散形成PN结，并在整个正面沉积正面钝...
    2026-04-13
  • 基于范德华力的薄膜砷化镓电池剥离与转移系统及方法
    基于范德华力的薄膜砷化镓电池剥离与转移系统及方法_扬州大学_202512007877.4
    本发明涉及半导体器件制造与微组装技术领域，尤其涉及基于范德华力的薄膜砷化镓电池剥离与转移系统及方法，系统包括：初始基板承载模块承载和定位有电池的生长基板，两者之间设有牺牲层；转移基板承载模块固定和定位目标基板；激光剥离模块发射激光束于牺牲层...
    2026-04-13
  • 晶体硅衬底的处理方法、钙钛矿叠层太阳电池及光伏组件
    晶体硅衬底的处理方法、钙钛矿叠层太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202512008112.2
    本申请提供了一种晶体硅衬底的处理方法、钙钛矿叠层太阳电池及光伏组件，其中处理方法包括提供表面存在线痕的晶体硅衬底，利用含有HF、HCl和臭氧溶液的第一混合液对线痕进行第一腐蚀处理，利用含有NaOH、H2O2和制绒添加剂的第二混合液对晶体硅衬...
    2026-04-13
  • 一种BC电池光伏组件焊带的制备装置及方法
    一种BC电池光伏组件焊带的制备装置及方法_一道新能源科技股份有限公司_202512019763.1
    本发明涉及光伏组件焊带技术领域，公开了一种BC电池光伏组件焊带的制备装置及方法，包括输送机构以及沿输送机构的输送方向依次布置的水洗机构、紫外线协同清洗机构、真空闪蒸干燥机构和热压机构；水洗机构通过气泡水流清洗上铝箔、铜箔和下铝箔的表面，紫外...
    2026-04-13
  • 一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法
    一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法_云南师范大学_202512019859.8
    本申请涉及太阳电池制备工艺领域，具体提供了一种用于TOPCon电池的退火装置及其使用方法。退火装置包括密闭腔室，密闭腔室的至少一个腔壁上设置有用于取放样品的活动窗口，密闭腔室中固定设置有上极板和下极板，上极板靠近密闭腔室的顶壁方向，下极板靠...
    2026-04-13
  • 一种BC电池覆膜成串的生产设备
    一种BC电池覆膜成串的生产设备_一道新能源科技股份有限公司_202512020068.7
    本发明属于光伏电池制造技术领域，具体公开一种BC电池覆膜成串的生产设备，包括焊带定位模块、胶膜连续供料模块、热压模块和在线裁料模块。焊带定位模块设有梳齿导轨、真空吸附板及拉带机构，真空吸附板内部设有密封腔并连接真空源，精确定位并固定焊带；胶...
    2026-04-13
  • 半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片
    半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片_浙江珏芯微电子有限公司_202512030018.7
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及碲镉汞芯片，其中，在半导体器件的制备方法中，提供一半导体衬底，半导体衬底包括芯片区和划片道，划片道位于相邻芯片区之间，芯片区上形成有碲镉汞器件层和保护胶层，碲镉汞器件层和保护胶层中形成有沟槽，沟槽位于划...
    2026-04-13
  • 碲镉汞芯片及其制备方法
    碲镉汞芯片及其制备方法_浙江珏芯微电子有限公司_202512030269.5
    本申请提供了一种碲镉汞芯片及其制备方法，其中，在碲镉汞芯片的制备方法中，半导体衬底上依次形成有碲镉汞器件层、钝化层以及光刻胶层，半导体衬底上还形成有若干贯穿光刻胶层和钝化层的通孔，通孔内形成有干法刻蚀后产生的残留物，以及光刻胶层表面形成有干...
    2026-04-13
  • 一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法
    一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法_荆楚理工学院_202512051958.4
    本发明涉及一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，涉及激光全息制绒技术领域，包括以下步骤：S1激光全息系统搭建与参数设置；S2硅片预处理；S3激光全息制绒过程；S4后处理与检测。该激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，通过精确控制微纳结构...
    2026-04-13
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