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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511980858.3
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有第一导电类型；在衬底上形成外延结构，外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层中形成有露出衬底的部分表面的沟槽，第二外延层覆盖沟槽的底部和侧壁，第三外延层覆盖第二...
    2026-04-12
  • HEMT器件
    HEMT器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511874896.0
    本发明提供一种HEMT器件，通过N型掺杂半导体调节层和/或P型掺杂半导体调节层的设置，可通过掺杂极性、掺杂浓度及厚度的控制，准确调控2DEG浓度，提升电场调控能力，实现渐变电场分布，实现导通电阻(Ron)与击穿电压(BV)之间的平衡；可降低...
    2026-04-12
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511886767.3
    本发明提供一种HEMT器件的制造方法和HEMT器件，方法包括：形成底层结构，底层结构至少包括基底层和位于基底层上方的沟道层，在底层结构的上表面形成第一势垒层，形成图案化的第一介质层，第一介质层具有第一开口，第一开口下表面的开口宽度小于上表面...
    2026-04-12
  • 增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法
    增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511900494.3
    本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在P型栅极结构中设置掺杂浓度更大的P型δ掺杂层，从而在P型栅极能带结构中形成电子势垒，在器件工作过程中，电子势垒会阻碍电子在栅极结构中流动，从而降低漏电，同时避免电子对栅极金属的轰击，...
    2026-04-12
  • 一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法
    一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法_西交利物浦大学_202511919802.7
    本发明提供了一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底层、氮化镓层、铝镓氮层、p型铟镓氮沟道层和p型铟镓氮层；p型铟镓氮层的中部开设有底部位于p型铟镓氮沟道层表面的栅凹槽；栅凹槽两侧的p型铟镓氮层在远离p型铟镓氮沟道层的...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510140032.X
    实施方式提供能够抑制漏电流的产生的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极及第二电极。第二电极包含在第二方向上与第三半导体区域相接的接触...
    2026-04-12
  • 具有偶极部的半导体元件及其制备方法
    具有偶极部的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510332962.5
    本公开提供一种具有偶极部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一栅极结构，设置在一半导体基底上方；以及一介电层，围绕该栅极结构。该半导体元件亦包括一源极区和一漏极区，设置在该半导体基底中并位在该栅极结构的相对侧上。该半导体元件还包括一第...
    2026-04-12
  • 半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
    半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511281535.5
    一种半导体晶体管器件，包括：碳化硅半导体主体中的栅极沟槽；在栅极沟槽的第一侧壁处的沟道区；在栅极沟槽的第二侧壁处的二极管区；第一侧壁和第二侧壁在横向方向上彼此相对地定位，其中如在垂直于栅极沟槽的第一侧壁和第二侧壁的竖向横截面中所看见的，i)...
    2026-04-12
  • 堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法
    堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511967598.6
    本申请提供了一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该场效应管包括衬底一侧的元胞结构，元胞结构包括堆叠的多个纳米片栅极结构，沿周向环绕包围纳米片栅极结构的高k介质层、功函数层和氧化层，功函数层位于高k介质层的外侧，氧...
    2026-04-12
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510200853.8
    本发明的实施方式提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够降低沟道层与下部电极的接触电阻。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1绝缘层，设置于第1电极上；栅极电极，设置于第1绝缘层上；第2绝缘层，设置于栅极电极上...
    2026-04-12
  • 垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法
    垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511095976.6
    本公开涉及垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法。在实施例中，垂直晶体管装置(10)包括：半导体衬底(11)，包括第一主表面(12)和与第一主表面(12)相对的第二主表面(13)；和至少一个晶体管基元(14)，形成在半导体衬底(11)中。...
    2026-04-12
  • 垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法
    垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511327079.3
    本公开涉及垂直晶体管装置和加工垂直晶体管装置的方法。在实施例中，垂直晶体管装置(10)包括：半导体衬底(11)，包括第一主表面(12)和与第一主表面(12)相对的第二主表面(13)；和至少一个晶体管基元(14)，形成在半导体衬底(11)中。...
    2026-04-12
  • 一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET及其制备方法
    一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET及其制备方法_北京昕感科技(集团)有限责任公司_202511837096.1
    本发明涉及一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET，包括一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底上具有一碳化硅漂移区，与所述碳化硅漂移区相对的一面具有一漏极；所述碳化硅漂移区上内嵌设置有两个台阶状的P型区域，所述P型区域的顶面内嵌有N+区；所述碳化硅漂移区...
    2026-04-12
  • 一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法
    一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法_北京昕感科技(集团)有限责任公司_202512051012.8
    本申请公开了一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域，所述SiC MOSFET包括：自下而上层设置的漏极，n+SiC衬底，nSiC漂移区以及n+SiC漂移区；Pwell区，N+区和P+区；所述n+S...
    2026-04-12
  • 高压半导体器件及其制造方法
    高压半导体器件及其制造方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411303668.3
    本公开涉及一种高压半导体器件及其制造方法，该高压半导体器件包括衬底、N型漂移区域、高压N阱区域、P型体区、源极以及栅极，N型漂移区域设置于衬底；高压N阱区域、P型体区以及源极设置于N型漂移区域内，且P型体区与源极相连；栅极设置于N型漂移区域...
    2026-04-12
  • 横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411395946.2
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体及其制作方法，其中横向扩散金属氧化物半导体包含一半导体基底，半导体基底包含一鳍状结构和一平面基底，鳍状结构由平面基底延伸出来，一栅极电极覆盖平面基底和鳍状结构，一第一栅极介电层覆盖平面基底的上表面，第一...
    2026-04-12
  • 高压半导体装置
    高压半导体装置_联华电子股份有限公司_202411420029.5
    本发明公开一种高压半导体装置，包括半导体基底、栅极结构、第一漂移区、第二漂移区以及栅极接触结构。栅极结构设置在半导体基底上，第一漂移区与第二漂移区设置在半导体基底中，且第一漂移区的一部分与第二漂移区的一部分分别位于栅极结构在水平方向上的两相...
    2026-04-12
  • 一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件
    一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511984101.1
    本发明公开了一种具有延伸超结槽栅的LDMOS器件，包括P‑well区和漂移区，源极区域通过P‑well区和漂移区与漏极区域接通，且源极区域、P‑well区、漂移区和漏极区域依次排列形成导电区；埋氧层和衬底层，埋氧层设置在导电区的底部，衬底层...
    2026-04-12
  • 一种结型场效应管及其制作方法
    一种结型场效应管及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610209966.9
    本发明提供一种结型场效应管及其制作方法，结型场效应管包括设置在衬底中的漂移区，漂移区中设置有高压阱区，衬底上设置有氧化层，氧化层具有第一开口、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口之间的氧化层上设有栅极，在第一开口和第三开口处均设有第一重掺...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411776977.2
    本发明的实施方式一般来说涉及半导体装置，包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、第二导电型的多个第五半导体区域、第二导电型的多个第六半导体区...
    2026-04-12
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