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最新专利技术
  • 一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法
    一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法_无锡伟测半导体科技有限公司_202511822030.5
    本申请涉及一种晶圆盒内晶圆姿态检测方法，应用在晶圆加工领域，包括获取待测晶圆盒的晶圆盒清晰图像，所述晶圆盒清晰图像为待测晶圆盒内包含若干晶圆的图像；提取所述晶圆盒清晰图像中所有晶圆的轮廓信息，并根据轮廓信息计算每个晶圆的轮廓面积值；将每个晶...
    2026-03-25
  • 一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法
    一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法_苏州晶禧半导体科技有限公司_202511882554.3
    本发明涉及晶圆检测技术领域，具体是涉及一种半导体晶圆双面同步检测设备及检测方法，包括机架、视觉检测装置和推进机构；机架内设有用于承载晶圆的支撑盘，支撑盘上开设有用于观测晶圆的缺口；视觉检测装置从支撑盘的缺口处对晶圆的上下表面同时进行检测；推...
    2026-03-25
  • 一种测晶设备
    一种测晶设备_深圳市智立方自动化设备股份有限公司_202511889872.2
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种测晶设备，包括搬运装置、上料装置、检测装置、合格品回收装置和缺陷品回收装置；机台上沿搬运装置的搬运方向依次设置有上料区、测试区、合格品下料区和缺陷品下料区；搬运装置设于机台的中间位置处；上料装置用于在上料...
    2026-03-25
  • 锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液
    锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液_广东晶智光电科技有限公司_202511908673.1
    本发明公开了一种锑化铟<100>向晶片的位错检测方法及位错腐蚀液，涉及半导体材料缺陷检测技术领域；位错腐蚀液由氢氟酸、双氧水和去离子水按体积比1：(1.2~1.8)：(4~5)混合得到，将该位错腐蚀液用于锑化铟<100>向晶片的腐蚀，可显现...
    2026-03-25
  • 硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质
    硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质_西安芯晖检测技术有限公司_202511922098.0
    本公开提供了一种硅晶圆的厚度补偿方法、装置及存储介质。其厚度补偿方法采集当前时刻下待测点位的厚度测量值以及温度测量值，并根据当前时刻的温度测量值与上一时刻的温度测量值计算获得温度变化速率，以消除环境温度变化对测厚精度的影响。通过温度补偿神经...
    2026-03-25
  • 一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构
    一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构_浙江创芯集成电路有限公司_202511931241.2
    本申请涉及芯片技术领域，公开了一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构，其中，所述方法包括：在衬底上的选定区域形成金属硅化物层；在形成有所述金属硅化物层的所述衬底上形成待测叠层，其中，所述待测叠层形成于所述金属硅化物层之上，且包括外延层...
    2026-03-25
  • 用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer
    用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer_北京芯东来半导体科技有限公司_202610117788.7
    本申请提供一种用于wafer制备的方法，涉及半导体技术领域，方法包括：获取待评估平整度的wafer，将所述待评估平整度的wafer划分为多个测量场，对各测量场，以测量场中心为测量区域的中心，按预设区域划定方式划定测量区域，通过调焦调平分系统...
    2026-03-25
  • 表面检测设备及检测系统
    表面检测设备及检测系统_苏州赛腾精密电子股份有限公司_202610170019.3
    本发明公开了一种表面检测设备及检测系统，包括：夹持装置，包括夹持机构和驱动夹持机构升降的Z轴模组，夹持机构包括多个沿晶圆的周向等间隔分布的夹持单元；第一检测装置，位于夹持装置下方，其包括视觉机构和能够驱动视觉机构沿X轴方向移经夹持装置的第一...
    2026-03-25
  • 一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统
    一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统_苏州中熙精密电机有限公司_202610188952.3
    本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统，所述方法包括以下步骤：根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光，并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整；对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀...
    2026-03-25
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411355764.2
    本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。通过光刻制作工艺在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括第一开口与第二开口。第一开口包括第一倾斜侧壁。使用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行蚀刻制作工艺，而在基底...
    2026-03-25
  • 一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法
    一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法_拓维光电材料(滁州)有限公司_202511918594.9
    本发明公开一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法，属于OLED显示面板制造领域；方法包括：在基板的A、B两面涂布光刻胶，并使用具有双同心圆环图形的光罩，分别在A、B两面进行压膜、曝光、显影，在目标开口区域外围形成双环形金属区域；...
    2026-03-25
  • 一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用
    一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511840065.1
    本发明提供一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：选取若干个第一半导体晶片，并对第一半导体晶片进行修饰，得到第二半导体晶片；其中，第一半导体晶片的晶体取向误差小于设定误差值，第二半导体晶片的表面粗糙度小于设定粗糙度；...
    2026-03-25
  • 一种半导体衬底缺陷修复方法
    一种半导体衬底缺陷修复方法_北京燕东微电子科技有限公司_202511881951.9
    本发明公开了一种半导体衬底界面缺陷的修复方法及低缺陷密度外延层的制备方法。将半导体衬底置于反应腔中，依次进行富硅环境处理与富氧环境处理以修复衬底表面的晶格缺陷。其中，富硅环境处理是向反应腔内通入氢气和含硅源气体，在高温下利用硅原子迁移填补缺...
    2026-03-25
  • 一种芯片-电容器集成组件及其制造方法
    一种芯片-电容器集成组件及其制造方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411288062.7
    本公开涉及一种芯片‑电容器集成组件及其制造方法，该方法包括：在第一刻蚀停止层表面进行第一CVD处理，形成IMD介电层；在IMD介电层表面进行光刻处理以形成芯片图案和电容器图案，得到第一产物；对第一产物进行干刻处理，以在IMD介电层和第一刻蚀...
    2026-03-25
  • 制造半导体元件的方法
    制造半导体元件的方法_南亚科技股份有限公司_202411582360.7
    一种制造半导体元件的方法包括在第一温度下形成第一金属材料衬于沟槽。沟槽位于半导体基材中。方法还包括在第二温度下形成第二金属材料衬于第一金属材料。第二温度高于第一温度。方法还包括对第一金属材料与第二金属材料执行退火工艺。可以更有效地形成具有较...
    2026-03-25
  • 双层原位处理的介电膜
    双层原位处理的介电膜_德州仪器公司_202511189581.2
    本申请涉及双层原位处理的介电膜。本文中公开了一种半导体装置(100)。所述半导体装置包含：第一导电特征(116)，其安置在衬底(102)上方；及氮化硅碳(SiCN)层(130)，其安置在所述第一导电特征上方，其中所述SiCN层具有大于约30...
    2026-03-25
  • 一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置
    一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置_上海新微技术研发中心有限公司_202511915306.4
    本发明提供了一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置，涉及硅通孔的缺陷修复技术领域。本发明先将硅基晶圆放置在载物台上，硅基晶圆具有至少一个目标硅通孔，目标硅通孔为未贯通的缺陷孔，然后获取目标硅通孔的位置信息，之后根据位置信息，控制加液机构移动...
    2026-03-25
  • 一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质
    一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质_粤芯半导体技术股份有限公司_202610195369.5
    本申请提供了一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在后段铝金属介质层上，依次生成图形转移牺牲层、旋涂型抗反射层以及光刻胶层；利用等离子体刻蚀工艺，对旋涂型抗反射层、图形转移牺牲层以及介质层上进...
    2026-03-25
  • 包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装
    包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511876821.6
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘...
    2026-03-25
  • 包括贯通电极的半导体芯片
    包括贯通电极的半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202511876830.5
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时...
    2026-03-25
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