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最新专利技术
  • 用于激光产生等离子体辐射源的模块
    用于激光产生等离子体辐射源的模块_ASML荷兰有限公司_202480050725.3
    一种用于激光产生等离子体辐射源的模块，包括：第一光学器件；第二光学器件；以及反向束监测设备。所述第一光学器件被布置成接收具有第一波长的第一辐射束和具有第二波长的第二辐射束，并且引导所述第一辐射束和所述第二辐射束以形成沿公共光学路径朝向所述第...
    2026-03-11
  • 柔性电路板和显示装置
    柔性电路板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008531.2
    一种柔性电路板和显示装置。该柔性电路板包括基材层和第一导电层；基材层包括第一焊盘区、第二焊盘区和传输线区；第一导电层位于基材层的第一侧，且包括第一焊盘结构、第二焊盘结构和沿第一方向延伸的多条信号传输线；第一焊盘结构位于第一焊盘区，第二焊盘结...
    2026-03-11
  • 包括多个层的盖板和包括盖板的电子装置
    包括多个层的盖板和包括盖板的电子装置_三星电子株式会社_202480050437.8
    示例性盖板包括：底板；第一层，设置在底板上并且包括用于折射光的至少一个折射层；第二层，设置在第一层上并且包括硅；第三层，设置在第二层上，并且相对于具有指定波长范围的激光具有等于或小于阈值的反射率；以及多个图案，形成在底板、第一层、第二层和第...
    2026-03-11
  • 现场设备
    现场设备_恩德斯豪斯欧洲两合公司_202480050900.9
    本发明涉及一种用于确定并且/或者监视过程变量的过程和自动化技术的现场设备(1)。壳体(2)包括两个腔室(3)，所述两个腔室(3)通过分隔件(4)彼此分隔开，并且在每个腔室中布置有相关的电子单元(5)。所述分隔件(4)包括具有恒定内径的通孔(...
    2026-03-11
  • 电子控制装置
    电子控制装置_安斯泰莫株式会社_202380100693.9
    一种电子控制装置，具备：液冷单元、安装在液冷单元的一侧和另一侧的第一电路基板和第二电路基板、以及电连接第一电路基板和第二电路基板的片状传输构件。液冷单元具有用于插通所述片状传输构件的贯通孔。
    2026-03-11
  • 辐射屏蔽
    辐射屏蔽_宇宙防护公司_202480050690.3
    一种装置，包括：电子组件，其包括至少一个电路；屏蔽材料，其耦合到所述电子组件，形成位于至少一个电路上方或部分地围绕所述至少一个电路的保护屏蔽。保护屏蔽包括由复合材料形成的一个或多个层。至少一层所述层设置在电子组件上，以形成保护电子组件免受辐...
    2026-03-11
  • 竖直半导体功率器件和用于制造该器件的方法
    竖直半导体功率器件和用于制造该器件的方法_日立能源有限公司_202380100980.X
    公开了一种半导体器件(100)，该半导体器件包括：半导体本体(1)，其具有第一导电类型的至少一个接触区(11)、第二导电类型的至少一个基极区(12)、第一导电类型的漂移区(14)、以及第二导电类型的深阱(16)，其中，基极区(12)具有沿第...
    2026-03-11
  • 集成电路(IC)平台中的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管集成
    集成电路(IC)平台中的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管集成_高通股份有限公司_202480049479.X
    描述了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括P型基板。该IC器件还包括位于P型基板上的N型掩埋层。P型基板包括位于N型掩埋层中的非均匀掺杂层。非均匀掺杂层靠近第一基板区。IC器件还包括位于第一基板区上的第一横向扩散金属氧化物半导体(LDM...
    2026-03-11
  • 包括超晶格隔离层的互补场效应晶体管(CFET)器件及相关方法
    包括超晶格隔离层的互补场效应晶体管(CFET)器件及相关方法_阿托梅拉公司_202480050254.6
    一种半导体器件包括多个互补场效应晶体管(CFET)。每个CFET(100)包括以垂直关系堆叠的n沟道场效应晶体管(NFET，101)和p沟道场效应晶体管(PFET，102)，NFET和PFET中的每一个包括在其间限定相应沟道(105n、10...
    2026-03-11
  • 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
    阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法_京东方科技集团股份有限公司_202280001789.5
    提供一种阵列基板。阵列基板包括位于接合引脚区域的多个接合引脚。多个接合引脚中的各个接合引脚为堆叠结构，该堆叠结构包括依次设置在衬底基板上的N个金属子层，所述N个金属子层中的第一金属子层位于所述N个金属子层中的第N个金属子层靠近所述衬底基板的...
    2026-03-11
  • 阵列基板和显示装置
    阵列基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008284.6
    一种阵列基板，包括显示区域和缺口区域。显示区域包括通过所述缺口区域彼此间隔开的第一显示子区域和第二显示子区域。缺口区域包括静电放电区域。阵列基板包括多条数据线和多条扫描信号线。多条数据线至少部分延伸至所述静电放电区域中。多条扫描信号线跨过所...
    2026-03-11
  • 显示基板、显示面板和显示装置
    显示基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008462.5
    本公开实施例提供一种显示基板、显示面板和显示装置。所述显示基板包括：衬底基板；多个栅线组；多条数据线；所述多条数据线包括：沿所述第一方向交替排布的第一类数据线以及第二类数据线；多个晶体管，同一所述子晶体管组中的所述晶体管连接于同一所述栅线，...
    2026-03-11
  • 成像装置、电子设备和成像装置的制造方法
    成像装置、电子设备和成像装置的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480050284.7
    根据本发明实施方案的成像装置包括：具有多个像素的像素区域；作为所述像素区域的周围的区域的外周区域；和设置在所述外周区域中的补强构件。
    2026-03-11
  • 探测基板及其制作方法、探测器、成像系统
    探测基板及其制作方法、探测器、成像系统_京东方科技集团股份有限公司_202380009190.0
    一种探测基板及其制作方法、探测器、成像系统。该探测基板包括：衬底基板包括：衬底基板(BS)，包括像素设置区(R0)；以及位于像素设置区(R0)的多个像素单元(PXU)，多个像素单元(PXU)包括标记像素(MPX)，在标记像素(MPX)中设有...
    2026-03-11
  • 半导体封装和半导体封装的制造方法
    半导体封装和半导体封装的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480049333.5
    本发明提供半导体封装和半导体封装的制造方法。在WLCSP中，在低高度化的同时提高光学特性。半导体封装包括微透镜层、滤色器层、半导体基板、密封树脂和玻璃基板。在该半导体封装中，在微透镜层上层叠有折射率不同的多个折射率膜。在半导体基板上层叠有微...
    2026-03-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380009729.2
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括：基板、多个像素单元和第一金属连接件。通过在基板上设置阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包含有层叠设置的多个发光结构，且与这个像素单元对应的第一金属连接件与像素单元中的...
    2026-03-11
  • 半导体器件和用于制造半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造半导体器件的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480049220.5
    一种半导体器件(1)具有带有安装面(6)的壳体(5)，嵌入到壳体(5)中的引线框架(2)，所述引线框架具有至少两个电接触焊盘(7, 8)，和至少一个设置在壳体(5)中且与接触焊盘(7, 8)电连接的半导体芯片(13)。引线框架(2)具有焊料...
    2026-03-11
  • 发光装置及图像显示设备
    发光装置及图像显示设备_索尼半导体解决方案公司_202480050203.3
    根据本公开的一个实施方式的发光装置包括：基板；第一发光元件和第二发光元件，彼此相邻地设置在基板上；以及嵌入层，嵌入第一发光元件与第二发光元件之间的至少一个区段中，并且具有比基板的热导率高的热导率。
    2026-03-11
  • 钙钛矿材料及其用途
    钙钛矿材料及其用途_维多利亚联结有限公司_202480044198.5
    本发明涉及一种包含钙钛矿和单线态裂分化合物的杂化材料。该杂化材料包括钙钛矿层，在该钙钛矿层中，该单线态裂分化合物占据该钙钛矿结构的层间空间。该杂化材料(例如，在光伏电池中)可以用作半导体。还公开了用于制备该杂化材料和包括该杂化材料的部件(诸...
    2026-03-11
  • 发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备
    发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备_纳晶科技股份有限公司_202380100967.4
    公开了发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一基板，其上具有多个底电极区，多个底电极区包括分别对应于第一、第二和第三子像素的第一底电极区、第二底电极区以及第三底电极区，第一底电极区和第二底电极区在第一方向上相邻地设...
    2026-03-11
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