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最新专利技术
  • 一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构
    一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构_长江存储科技有限责任公司_202411118415.9
    本发明涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆堆叠结构的形成方法和晶圆堆叠结构。形成方法包括：对N个晶圆依次堆叠形成晶圆堆叠结构；对自底部至顶部的任意第i个晶圆，其与第i‑1个晶圆的堆叠包括以下步骤：对第i个晶圆的部分厚度，自边缘向内修边，使...
    2026-03-15
  • 碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺
    碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺_杭州海乾半导体有限公司_202511123474.X
    本发明公开了一种碳化硅晶圆及碳化硅外延片腐蚀处理工艺，包括步骤：S1、吊装工具在初始工位完成对工件的夹持操作；S2、吊装工具将工件从载片室输运至腐蚀处理工位，进行腐蚀处理；S3、吊装工具将完成腐蚀处理的工件输运至第一清洗工位，进行第一次清洗...
    2026-03-15
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品_株式会社国际电气_202510781796.7
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品。其课题在于提供能够使将衬底表面的特定材料选择性地除去时的处理时间大幅缩短的技术。将包括下述工序的循环进行规定次数：准备进行了下述工序(a)和工序(b)的衬底的工序，其中，(a)...
    2026-03-15
  • 热交换模块及包括它的基板处理装置
    热交换模块及包括它的基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962476.1
    本发明涉及热交换模块及包括它的基板处理装置，更详细地说，涉及高压用热交换模块及包括它的基板处理装置。本发明作为与形成高温及高压工艺条件的加热空间(S2)的高压容器时常连通的热交换模块，包括：主体部(500)，在内部形成热交换空间(S4)；流...
    2026-03-15
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962480.8
    本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及执行高压工艺的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，包括：加热器部(200)，在内部形成加热空间(S2)；处理容器(300)，包括内部设置所述加热器部(200)且侧面形成开口(301)的容器部(3...
    2026-03-15
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510962489.9
    本发明涉及一种基板处理装置，涉及执行高压工艺的基板处理装置，包括：内管(100)，在内部形成以上下方向层叠多个基板来进行处理的处理空间(S1)；加热部(200)，包围所述内管(100)的至少一部分，在与所述内管(100)之间形成加热空间(S...
    2026-03-15
  • 一种浅沟槽的形成方法及半导体结构
    一种浅沟槽的形成方法及半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511821763.7
    本申请公开了一种浅沟槽的形成方法及半导体结构，包括提供初始半导体结构；初始半导体结构包括基底、电连结构、第一隔离层和第二隔离层，电连结构嵌设于基底，第一隔离层位于电连结构和基底之间，第二隔离层层叠于电连结构、第一隔离层和基底表面；图案化刻蚀...
    2026-03-15
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411178202.5
    本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，通过提供基底结构，所述基底结构包括依次层叠的背衬底、缓冲层和顶硅层；在所述基底结构中形成第二沟槽，通过所述第二沟槽刻蚀去除所述缓冲层以在所述背衬底和所述顶硅层之间形成空腔；在所述空腔中填充埋氧化层以形...
    2026-03-15
  • 浅沟槽隔离结构的制备方法
    浅沟槽隔离结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411180985.0
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，基于前驱体在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的吸附活化能的差异，实现在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的选择性沉积，以形成可填充氧化硅介电层中的孔隙的氧化硅填充层；本发明可有效填充氧化硅介电层中的孔隙，解决浅...
    2026-03-15
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_LX半导体科技有限公司_202511201106.2
    本说明书公开了一种包括双沟槽的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括在基板上设置有多个第一半导体元件的第一区域、在基板上设置有多个第二半导体元件的第二区域、设置在第一区域与第二区域之间的基板中的隔离区域、形成在第一区域和第二区域的基板中的浅...
    2026-03-15
  • 第零层层间膜的制造方法
    第零层层间膜的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411147063.X
    本发明公开了一种第零层层间膜的制造方法，包括：步骤一、提供完成了接触刻蚀停止层形成工艺的半导体衬底。步骤二、采用HARP工艺进行第一次沉积工艺形成第一氧化层将间隔区无空洞完全填充。步骤三、采用第一次化学机械研磨工艺对第一氧化层进行研磨并停止...
    2026-03-15
  • 互连结构的形成方法
    互连结构的形成方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411166219.9
    本发明提供一种互连结构的形成方法，先在第一牺牲层与第一介电层中形成第一凹槽；在第一凹槽中和第一牺牲层上形成第一金属互连层，第一凹槽中的第一金属互连层与第一牺牲层上的第一金属互连层相互分离，如此，可以将第一牺牲层及第一牺牲层上的第一金属互连层...
    2026-03-15
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511667429.0
    本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供基体，其中，基体包括半导体衬底和形成在半导体衬底的第一表面上的栅极结构，半导体衬底中形成有引出区和浅沟槽隔离结构，引出区包括第一引出区和第二引出区中的至少之一，第一引出区位于栅极结构与...
    2026-03-15
  • 一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质
    一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质_宁波芯健半导体有限公司_202511744753.8
    本申请涉及一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质，涉及芯片加工领域，其方法包括：在晶圆上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层的铜柱位置形成第一开口；通过电镀工艺，在第一开口内形成第一层铜柱；去除第一光刻胶层；在晶圆上形成塑封层，使塑...
    2026-03-15
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511904260.6
    一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供表面有介质层的衬底，第一区域衬底上的介质层内有第一金属层，第二区域衬底上的介质层内有第二金属层，第一金属层顶面的介质层厚度大于第二金属层顶面的介质层厚度；通过图形化工艺在介质层...
    2026-03-15
  • 芯片封装单元、堆叠封装及电子设备
    芯片封装单元、堆叠封装及电子设备_华为技术有限公司_202411124565.0
    本申请提供一种芯片封装单元、堆叠封装及电子设备，涉及芯片领域。该芯片封装单元中包括堆叠设置的第一芯片和第二芯片、重布线层、垂直互连结构；垂直互连结构设置在第一芯片和第二芯片的侧面，重布线层设置在一个芯片的有源面一侧、并与有源面连接；或者，重...
    2026-03-15
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511821527.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上堆叠的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；第一通孔结构，填充所述SOI衬底中的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述SOI衬底，所述第一通孔结构包括衬垫结构和金属层，所述衬...
    2026-03-15
  • 一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法
    一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130212.4
    本发明涉及一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，包括：提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构、第一易结合层和/或第二易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔；将多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片；采用第...
    2026-03-15
  • 一种长距离跨度空气桥制程方法
    一种长距离跨度空气桥制程方法_福建省福联集成电路有限公司_202511531490.2
    本发明涉及一种长距离跨度空气桥制程方法，所述制程方法包括在衬底材料上沉积第一光阻层，并进行曝光/显影，采用湿法蚀刻衬底材料，在衬底材料上形成第一台面，去除第一光阻层；按照同样操作，继续涂布第二光阻层至第n台面；在第n台面的外侧涂布第n+1光...
    2026-03-15
  • 具有电容器结构的导电结构及其制备方法
    具有电容器结构的导电结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510183764.7
    本申请公开一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一电极层、一中间介电层及一第二电极层。该第二支撑层配置于该第一支撑层上，并与该第一支撑层间隔开。该第一电极层包括一第一部分。该第一部分包括一第一区域及一第二区...
    2026-03-15
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