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  • 一种工艺处理设备及方法。工艺处理设备用于对光伏组件进行工艺处理,光伏组件具有光活性层。工艺处理设备包括:用于容置光伏组件的工艺腔室;执行单元,用于向工艺腔室内的光伏组件执行工艺处理;光照单元,包括至少一个光源,至少一个光源的部分或全部设于工...
  • 本发明公开了一种具有超疏水保护层的钙钛矿发光薄膜及其制备方法,所述薄膜由CsPbBr33发光层和‑氨丙基三乙氧基硅烷改性二氧化硅/聚氨酯复合保护层构成;其制备方法包括:先通过硅烷偶联剂对纳米二氧化硅进行疏水改性,再制备CsPbBr33前驱体...
  • 本发明公开了一种钙钛矿层的制备方法,针对现有技术在高湿度环境下钙钛矿结晶质量差、碘化铅残留严重及相分离等问题,本发明向碘化铅前驱体溶液中添加0.5‑30mM的二碳酸二叔丁酯BOC,经涂覆和退火处理,使BOC分解并在钙钛矿结晶过程中形成气相屏...
  • 本发明公开了一种基于氯仿乙基苯混合溶剂体系的有机光伏器件及其制备方法,属于有机光伏器件技术领域。该方法通过将电子给体材料与非富勒烯受体材料共同溶解于氯仿(CF)与乙基苯(EB)构成的混合溶剂中,配制出稳定的共混溶液,并采用旋涂法制备高质量的...
  • 本发明涉及了一种聚磷酸盐界面和离子液体添加剂协同修饰的钙钛矿材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用。三聚磷酸钾埋底界面产生的离子交换反应和七氟丁酸丁胺离子液体添加剂的缺陷钝化作用,能够协同提高钙钛矿薄膜生长质量,进而明显提升钙钛矿太阳能电池...
  • 本发明公开了一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法及设备,涉及电池生产技术领域,一种制备钙钛矿太阳能电池组件的方法,包括:S1、采用磁控溅射在透明玻璃上镀FTO薄膜,形成透明导电玻璃,FTO薄膜作为FTO电极;S2、采用激光刻划,将透明导电玻璃...
  • 本申请公开了一种显示面板的制作方法、掩膜版和显示面板,所述显示面板的制作方法包括步骤:提供一衬底基板;将发光材料粒子与气凝胶聚合物前驱体形成多个带电气凝胶粒子;将多个所述带电性气凝胶粒子发射进入掩膜版内部的多个通道;多个所述带电性气凝胶粒子...
  • 本申请公开了一种显示面板的制作方法、掩膜版和显示面板,显示面板的制作方法包括步骤:将多个红色带第一电性的气凝胶粒子、多个绿色带第一电性的气凝胶粒子和多个蓝色带第一电性的气凝胶粒子分别发射进入掩膜版的多个第一容纳空间、多个第二容纳空间和多个第...
  • 本申请公开了一种显示面板的制作方法、掩膜版和显示面板,所述显示面板的制作方法包括步骤:提供一衬底基板;控制蒸发源朝向所述衬底基板发射发光材料粒子;在所述发光材料粒子穿过掩膜版的开孔时,通过掩膜版控制发光材料粒子的出射速度,提升至少一个开孔的...
  • 本申请涉及钙钛矿太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种基于直流电脉冲的钙钛矿薄膜退火方法和装置,所述方法包括:确定退火层以及加热层,在所述加热层的两端,分别粘贴引流条;其中,所述退火层与所述加热层为钙钛矿太阳能薄膜电池的不同结构层;通过所述引...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,公开一种可折叠钙钛矿组件的制备方法,在制备时,首先将柔性衬底贴于刚性基底上,并在柔性衬底上沉积电池材质,以制得电池结构,之后根据设计方案清理折叠区域的电池材质,以将电池结构划分为多个电池部件,清理电池部件边缘区...
  • 本发明涉及光伏太阳能电池技术领域,公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及应用,所述钙钛矿薄膜是使用钙钛矿前驱体溶液采用一步旋涂法或两步沉积法制备,所述钙钛矿前驱体溶液包括2, 4‑噁唑烷二酮、合成ABX33晶体结构钙钛矿材料的原料、和溶剂。本发明...
  • 本发明涉及新能源材料与柔性器件技术领域,具体是一种基于GOMxene柔性光热器件的制备方法与应用, 该器件依次层叠光热层(GO与MXene质量比1 : 1~1 : 3)、Bi22Te33基热电层、PVA/BNNS复合水凝胶柔性基底层、碳布电...
  • 本发明公开了一种压电复合材料制备方法,包括:选取钛酸铅锆纳米粉体,配制成浓度为15wt%的聚合物溶液;将钛酸铅锆粉体分散于聚偏氟乙烯溶液中;采用流延工艺将浆料制成厚度约200μm的薄膜,得到复合薄膜坯体;在惰性气氛下与150℃保温1h,促进...
  • 本发明涉及一种装置,其具有:电陶瓷的构件(1),该电陶瓷的构件带有第一区域(2)和第二区域(3);浇注料(11),其至少部分包围电陶瓷的构件(1);和套筒形的壳体(15),其至少部分包围浇注料(11),其中,该壳体(15)在包围在电陶瓷的构...
  • 本发明公开了一种二维非对称铁电隧道结及其设计方法和系统,涉及半导体技术领域,二维非对称铁电隧道结包括:由Al22Se33/Cu22Se1‑x1‑xSxx(x=0.05‑0.15)异质结构成的左电极,由Al22Se33/Cu22Se1‑y1‑...
  • 本发明提供了一种二维稀土双钙钛矿材料在制备忆阻器中的应用,涉及忆阻器技术领域,所述二维稀土双钙钛矿材料的化学通式为(R3HQ)44CeRb(NO33)88;其中,所述(R3HQ)44CeRb(NO33)88为单斜晶系,极性点群为PP211;...
  • 本发明提供了一种基于氧等离子体修饰单壁碳纳米管薄膜的全光控人工突触器件及其制备方法,属于神经形态计算与微电子器件技术领域。所述器件采用Si/SiO22为衬底,Au为平面电极,单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜为光电忆阻层。本发明通过氧等离子体处...
  • 本发明公开一种离子阱芯片结构及制造方法,所述结构包括半导体芯片、布线层以及离子阱的电极,所述离子阱的电极通过布线层与半导体芯片电连接。本发明将半导体芯片和离子阱集成在一起形成一个整体,大大缩小了离子阱量子计算系统体积,降低功耗,缩短信号传输...
  • 本申请实施例公开了一种重构晶圆的方法及重构晶圆。重构晶圆的方法包括:提供第一晶圆,第二晶圆。将第二晶圆键合于第一晶圆上。在第二晶圆内,形成多个凹槽;其中,凹槽贯穿第二晶圆,且暴露出第一晶圆。通过混合键合工艺,将芯粒键合于凹槽内的第一晶圆上。...
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