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最新专利技术
  • 一种智慧型物联网空开
    一种智慧型物联网空开_深圳市智瑞芯科技有限公司_202610031869.5
    本发明涉及物联网空开技术领域，尤其涉及一种智慧型物联网空开。本发明包括空开主体、以及空开主体底部连接的预安装板；空开主体的底部一侧开设有卡槽，空开主体的底部内侧设置有第一弹簧，且第一弹簧的另一端连接有锁杆，锁杆的一端外环面套设有第一辅助滑板...
    2026-04-02
  • 一种漏电保护单元和断路器系统
    一种漏电保护单元和断路器系统_施耐德电气工业公司_202411099566.4
    本发明公开了一种漏电保护单元和断路器系统，漏电保护单元包括：壳体；接线孔，在第一方向上贯穿壳体；电流互感器，围绕接线孔布置；PCBA板，配置为响应于电流互感器的漏电信号生成触发信号；触发件，配置为响应于触发信号而移动；其中，漏电保护单元还包...
    2026-04-02
  • 断路器的数字控制
    断路器的数字控制_施耐德电气美国股份有限公司_202511116532.6
    一种系统包括断路器和开关模块，该开关模块具有用于将开关模块电连接到电路的第一模块端子和与断路器的第一端子电串联连接的第二模块端子。开关模块的开关设备电串联连接在第一模块端子和第二模块端子之间，并且被配置为在ON状态和OFF状态之间切换，ON...
    2026-04-02
  • 一种断路器对中散热结构及使用该结构的充气柜
    一种断路器对中散热结构及使用该结构的充气柜_河南平高电气股份有限公司_202511986177.8
    本发明涉及一种断路器对中散热结构及使用该结构的充气柜，属于开关技术领域，包括：绝缘筒、中间触头、静支架、接地支架、隔离静触头、接地静触头及动触头，中间触头的底端伸入绝缘筒内且其顶部设有的中间滑孔；静支架和接地支架分别固定在绝缘筒的外筒壁上侧...
    2026-04-02
  • 一种断路器以及供电系统
    一种断路器以及供电系统_浙江天正电气股份有限公司_202511922442.6
    本申请公开一种断路器以及供电系统，其包括包括外壳，外壳内设有，至少一相主线路导体，每相主线路导均包括在电路上呈串联关系的主触头组件以及辅触头组件；主触头组件，包括主动触头以及至少一个主静触头；辅触头组件，包括辅动触头以及至少一个辅静触头；操...
    2026-04-02
  • 一种集成断路器
    一种集成断路器_浙江天正电气股份有限公司_202511922443.0
    本申请公开一种集成断路器，其中，至少三相主线路导体，三相主线路导体均包括主触头组件、辅触头组件；主操作机构，用于控制主触头组件的接通和分离；辅触头组件，辅触头组件包括辅动触头以及至少一个辅静触头；辅操作机构，包括电机、传动齿轮组以及输出件；...
    2026-04-02
  • 断路器的快速脱扣系统、断路器
    断路器的快速脱扣系统、断路器_上海电器股份有限公司人民电器厂_202512044805.7
    本发明涉及一种断路器的快速脱扣系统、断路器，属于断路器技术领域。该快速脱扣系统包括设置于断路器内部的底座以及固定于底座的静触桥，铰接于断路器内部的动触桥，还包括同时与动触桥配合转轴和快速脱扣装置，所述快速脱扣装置也配合于动触桥配合转轴的上方...
    2026-04-02
  • 一种断路器
    一种断路器_南皓维电力科技有限公司_202610005239.0
    本发明公开了一种断路器，涉及断路器技术领域，包括外壳，铁块和双金属片，双金属片的上方设置有补偿片，补偿片根据温度而发生形变；补偿片的上方设置有延时组件，当断路器进行合闸时，补偿片向上弯曲带动固定板对铁块施加向上的作用力；补偿片的下侧设置有防...
    2026-04-02
  • 一种断路器动触头系统和机构连接结构
    一种断路器动触头系统和机构连接结构_上海良信电器股份有限公司_202411109352.0
    一种断路器动触头系统和机构连接结构，它包括触头支撑和连杆，所述连杆一端从所述触头支撑上的开槽口中伸入触头支撑内侧，所述连杆从所述触头支撑上的开槽口中伸入触头支撑内侧的一端通过安装轴可转动的安装在触头支撑内侧，所述连杆位于触头支撑外侧的一端通...
    2026-04-02
  • 一种断路器
    一种断路器_德力西电气有限公司_202512008367.9
    本申请提供一种断路器，涉及低压电气技术领域。断路器包括手柄、机构体、动触头、储能结构、设在机构体和动触头之间的第一弹性件。机构体能绕一轴线转动，动触头与机构体铰接，铰接位置位于机构体转动轴线朝向静触头的一侧。手柄与机构体通过连接件连接，手柄...
    2026-04-02
  • 一种碳纳米管-二维钙钛矿异质结冷阴极
    一种碳纳米管-二维钙钛矿异质结冷阴极_中科盈德极石(杭州)科技有限公司_202511573646.3
    本发明涉及先进半导体电子器件技术领域，且公开了一种碳纳米管‑二维钙钛矿异质结冷阴极，异质结冷阴极的原料及其重量占比为：碳纳米管5%～15%；二维钙钛矿前驱体溶液20%～30%；银纳米线10%～20%；聚偏氟乙烯粘合剂3%～6%；导电高分子粘...
    2026-04-02
  • 一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置
    一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置_温州市承泰电子有限公司_202510649541.5
    一种X射线管阴阳极封装精密封中工艺及工装装置，通过第一工装夹具将封底玻壳和阳极组件进行封接，得到第一封接组件；通过第二工装夹具将管体中心孔和第一封接组件进行同轴对接，并做可松紧的固定连接；将第二工装夹具连同固定的第一封接组件、管体，一并放置...
    2026-04-02
  • 一种X射线管的管芯组件
    一种X射线管的管芯组件_微睿科技(苏州)有限公司_202511613955.9
    本发明公开了一种X射线管的管芯组件，包括阴极组件、阳极组件、管壳、排气灯丝和吸气件，阴极组件包括阴极底板以及固定在阴极底板上的工作灯丝，工作灯丝用于发射第一电子；阳极组件包括可旋转的阳极靶盘，阳极靶盘包括接收第一电子轰击并产生X射线的环形靶...
    2026-04-02
  • 一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备
    一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备_北京华易氢元科技有限公司_202511601698.7
    本发明公开了一种多元合金电极等离子体表面改性处理设备，具体涉及等离子体表面改性处理领域，该装置包括真空腔体，真空腔体的外侧设置有箱门，真空腔体的外侧设置有充气机构、真空机构和废气处理机构，真空腔体的内部安装有检测机构、通电机构和限制机构，限...
    2026-04-02
  • 一种离子注入机的故障脉冲补偿系统及补偿方法
    一种离子注入机的故障脉冲补偿系统及补偿方法_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511391605.2
    本发明公开了一种离子注入机的故障脉冲补偿系统，包括扫描电机模块、编码处理模块、IO控制模块和逻辑电路模块；扫描电机模块，用于驱动晶圆靶台运动并反馈位置信号；编码处理模块，用于处理位置信号并生成控制逻辑；IO控制模块，用于区分电源故障信号；逻...
    2026-04-02
  • 离子注入机
    离子注入机_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610056657.2
    本申请提供了一种离子注入机，属于半导体领域，其包括离子源，用于产生阳离子及电子；离子萃取模块，用于从离子源中萃取出阳离子并产生离子束；第一电子萃取模块，用于从离子源中萃取出电子并产生电子束；中和腔室，用于接收离子束和电子束，并利用电子束中和...
    2026-04-02
  • 用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺
    用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺_上海原子启智半导体设备有限公司_202511035125.2
    本发明公开了一种用于半导体制造的具备优化气流控制的增强型原子层刻蚀工艺，以改进气体流量控制。该工艺引入了一种在表面改性和溅射步骤中保持恒定惰性气体流量的方法，显著缩短了气体交换时间，并提高了周期效率。通过预先设定的MFCs和阀门的固定设定值...
    2026-04-02
  • 补偿由多馈电系统中的匹配电路引起的参数差异
    补偿由多馈电系统中的匹配电路引起的参数差异_ASMIP私人控股有限公司_202511101627.0
    在一个实施例中，本公开涉及一种用于向具有多个功率信号输入的等离子体室提供能量的系统。电源将输出信号传输到匹配电路。每个匹配电路提供不同的匹配位置。存储器对于每个匹配电路的每个匹配位置并且对于每个输出信号存储匹配电路的输出处的输出信号的参数(...
    2026-04-02
  • 等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备
    等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511538080.0
    本发明公开了一种等离子体刻蚀腔室、清洁方法及半导体工艺设备。等离子体刻蚀腔室包括腔室本体、基片台、金属板和压边件。压边件包括第一端部，第一端部抵接金属板背离基片台的一侧，第一端部沿金属板背离基片台的一侧延伸的表面被配置为第一区域。其中，金属...
    2026-04-02
  • 金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺
    金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺_上海稷以科技有限公司_202511688842.5
    本发明提出了一种金属栅高介电常数层材料DPN设备及工艺，该设备包括：腔体和设置在腔体上的谐振线圈，腔体上设有进气口，谐振线圈连接RF射频发生器，RF射频发生器输出具有占空比的射频功率。本发明可尽量避免氮原子穿透高介电常数层进入下层器件区域。
    2026-04-02
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