Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明公开了芯片封装体及其批量制备方法,其中,芯片封装体的批量制备方法包括:对临时载板的目标侧上的多个预设位置上形成多个导电凸台;在临时载板的目标侧压合介电层,并在介电层上制备多个导通孔以及在介电层远离临时载板的一侧形成引线层;对引线层进行...
  • 本申请提供了一种新型低成本小型化TRSiP封装结构,涉及无线通信设备领域,所述结构包括:上层陶瓷介质板、下层陶瓷介质板、射频电路和金属围框;所述上层陶瓷介质板的上表面设置有第一金属焊盘,所述下层陶瓷介质板的上表面设置有第二金属焊盘;其中,所...
  • 本申请实施例提供一种具有精细化RDL的玻璃基板结构及其加工方法,涉及半导体封装技术领域。所述玻璃基板结构包括玻璃基转接板和玻璃基板。其中,玻璃基转接板和玻璃基板之间通过金属聚合物混合键合。玻璃基转接板的转接板介质层与璃基板的基板介质层,通过...
  • 本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法,包括:第一基板,第一基板第一区域和第二区域形成有第一键合结构;第一晶粒,包括第一衬底、形成于第一衬底的第一有源器件和第二键合结构,并通过第二键合结构键合至第一区域的第一键合结构;第二晶粒,包括第...
  • 根据本公开的实施例的半导体封装件包括:第一再分布衬底;第一再分布衬底上的半导体芯片和连接支承结构,其中,半导体芯片是逻辑芯片或存储器芯片;以及第一再分布衬底上方的模制膜。连接支承结构与半导体芯片水平地间隔开并且与半导体芯片水平地重叠。连接支...
  • 本发明涉及天线封装及其制造方法。该天线封装包含经图案化天线结构和囊封物。所述经图案化天线结构包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面。所述囊封物安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,公开了一种用于垂直结构芯片的板级封装结构,其特征在于,包括:芯板,设有若干个相连的芯片封装单元,每个芯片封装单元内设有基岛和连接焊盘,基岛和连接焊盘的底下分别设置有贯穿所述芯板的第一导通柱和第二导通柱;所述基岛的...
  • 本发明涉及芯片制造技术领域,公开了一种用于平面结构芯片的板级封装结构及其制造方法,包括:芯板,顶面设有若干个芯片封装单元,每个芯片封装单元内设有一个用于贴装封装芯片的芯片固定位;封装芯片,安装于所述芯片固定位上,与所述芯片固定位电连接;第一...
  • 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制备方法,涉及半导体器件封装技术领域,包括壳体和GaN基芯片,所述壳体的顶部设置有第一安装槽,且GaN基芯片安装在第一安装槽内,所述壳体上设置有多个引脚和焊盘。该种GaN基半导体器件及其制备方法,在进行...
  • 本公开涉及带有具有用插入式管芯焊盘填充的中心开口的引线框架的集成电路封装。一种集成电路封装包括引线框架,该引线框架具有界定中心腔体的引线。引线框架的引线具有上表面,该上表面有具有第一表面粗糙度的表面纹理或终饰。插入式管芯焊盘被安置在中心腔体...
  • 本发明属于半导体材料加工设备技术领域,公开了一种热盘升降机构及解键合装置。该解键合装置包括两个相对设置的加热盘和热盘升降机构,待解键合体位于两个加热盘之间,其中一个加热盘远离待解键合体的一侧固定于热盘升降机构。该热盘升降机构包括主支撑架,在...
  • 本公开实施例提供一种芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法,其中,芯片结构制备方法包括:提供芯片本体;分别在芯片本体功能面的功能区域和非功能区域形成阵列排布的多个功能凸块和多个支撑凸块;其中,沿第一方向上,相邻两个支撑凸块之间的间距...
  • 本申请实施例提出了植球方法及装置,应用于植球技术领域,其中植球方法应用于植球装置,植球装置包括精密萃盘、第一钢网模块和第二钢网模块,方法包括:将萃盘上的多个芯片放入所述精密萃盘;通过所述第一钢网模块和助焊剂喷雾机,使助焊剂附着于所述芯片的金...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,特别属于一种大、小两芯片的紧凑型封装结构的制备方法。在载板表面制作出线路、电容焊盘、贴装位、基板焊盘;在基板焊盘上形成高铜柱,对结构模塑封装形成塑封体,对塑封体减薄直至暴露出高铜柱的横截面,在该横截面上电镀形成镍...
  • 本申请提供了一种半导体封装结构及其制造方法,该制造方法包括:在半导体管芯上形成种子金属层,种子金属层与半导体管芯上的接合焊盘电性接触;在种子金属层上形成重布线层;形成图案化的绝缘层,图案化的绝缘层具有形成至少一个第一开口和至少一个第二开口;...
  • 本发明涉及微电子封装技术领域,尤其涉及一种功率芯片封装用键合结构及键合方法。该键合结构包括:键合衬底、键合层、功率芯片,其中:所述键合层位于所述键合衬底和所述功率芯片中间;所述键合层是通过交替沉积的高温金属和低熔点钎料的等温扩散形成;所述键...
  • 本发明提供了一种提升纳米银烧结可靠性的半导体器件制备方法,所述方法包括:S1、制备目标半导体芯片2;S2、提供一承载框架1,通过纳米银焊膏3将所述目标半导体芯片2封装在所述承载框架1上,以得到第一半成品;S3、对所述目标半成屏进行纳米银烧结...
  • 本发明公开了一种新型FCQFN产品封装结构及制作方法,包括:步骤一:准备承载板,在所述承载板上涂覆解离膜,所述承载板上方设置芯片,所述芯片的上方设置金属接点;步骤二:在所述芯片的外围设置塑封层;步骤三:将承载板去除;步骤四:在芯片的金属接点...
  • 本发明提供一种封装方法、封装结构及包封模具,半导体结构的散热板的防溢料区与包封模具顶壁内表面之间为过盈配合,使得在合模步骤中在扣合压力的作用下包封模具顶壁内表面会挤压防溢料区,使其变形,从而将散热板的散热区与半导体结构的待包封区域隔离,在塑...
  • 本公开实施例提供一种扇出型系统级封装方法及封装结构,该方法包括:在临时载盘上形成至少一层重布线层;在重布线层的第一表面形成多个导电柱;将多个第一芯片贴装于重布线层的第一表面;形成包裹导电柱和第一芯片的第一塑封层;对第一塑封层进行切割,之后去...
技术分类