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最新专利技术
  • 一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用
    一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用_广州新视界光电科技有限公司_202511394477.7
    本发明公开了一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电器件封装技术领域。本发明通过优化原子层沉积(ALD)与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)成膜的薄膜结构与工艺，使制备的薄膜水蒸气透过率(WVTR)显著降低，进一步引入氧化物...
    2026-03-19
  • 空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿
    空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿_朗姆研究公司_202511399308.2
    一种用于在晶片的下侧表面上沉积膜的等离子体加工室，包括喷头基座。喷头基座包括第一分区和第二分区。上分离器翅片设置在喷头基座的顶表面上方，并且下分离器翅片设置在喷头基座的顶表面下方并与上分离器翅片对齐。第一分区被配置用于将第一膜沉积到晶片的下...
    2026-03-19
  • 一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法
    一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法_西安近代化学研究所_202511464659.7
    本发明提供了一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法，该方法包括X个晶态氧化铝薄膜生长周期；每个晶态氧化铝薄膜生长周期包括执行x次氧化铝原子层沉积工艺及y次原位激光退火工艺。的氧化铝原子层沉积工艺的反应室温度为100℃～250℃。晶态氧...
    2026-03-19
  • 改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备
    改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备_重庆芯联微电子有限公司_202511465627.9
    本发明提供一种改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备，通过在ALD设备的反应腔内设置射频电极，可对半导体基底表面进行等离子体预处理，以降低半导体基底的表面能，提升前驱体吸附均匀性；将单次脉冲拆分为多次子脉冲，且在子脉冲间隔时进行吹扫处理，...
    2026-03-19
  • 一种CVD炉的工艺气体导入管结构
    一种CVD炉的工艺气体导入管结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511613492.6
    本发明涉及一种CVD炉的工艺气体导入管结构。其包括一用于安装在炉体上的连接管，连接管呈T形管，连接管包括用于对接气体进口的对接管部以及导向套部，对接管部与导向套部相互垂直且相互导通；还包括一接头管，接头管滑动设置在导向套部的内部，导向套部的...
    2026-03-19
  • 一种硅碳负极回转式CVD包覆设备
    一种硅碳负极回转式CVD包覆设备_深圳禹龙智能装备有限公司_202511664273.0
    本发明涉及一种硅碳负极回转式CVD包覆设备，包括机座、提升装置、炉管组件、驱动装置、加热系统；所述提升装置设置在所述机座上；所述机座上铰接有支撑装置；所述支撑装置的两端分别设置有第一密封接头与第二密封接头；所述炉管组件旋转在所述支撑装置上；...
    2026-03-19
  • 一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器
    一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器_西安微电子技术研究所_202511711349.0
    本发明公开了一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器，旨在解决传统进气口气流紊乱、副产物易被携带污染薄膜的问题。该转角器包括特气管，特气管在其全长五分之二处弯转形成90°~110°弯转角，安装后出口段端口超越法兰...
    2026-03-19
  • 一种正面进料的PEALD镀膜系统
    一种正面进料的PEALD镀膜系统_厦门韫茂科技有限公司_202511788605.6
    本发明提供了一种正面进料的PEALD镀膜系统，涉及半导体设备技术领域。包括：工艺腔室组件、连接在所述工艺腔室组件上的等离子体组件、进气组件、真空组件，所述工艺腔室组件至少包括两个工艺腔室；两个所述工艺腔室的背面侧设置有等离子体通道以连接所述...
    2026-03-19
  • 一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法
    一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法_东南大学_202511800153.9
    本发明公开了一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法。其中设备包括：多源供给系统，为原子层沉积提供两种或多种以上的前驱体源；多源同腔沉积腔体，配以加热器对所述多源同腔沉积腔体进行加热和为二维异质薄膜制造提供沉积反应室，磁力操作机械手可对所...
    2026-03-19
  • ALD设备
    ALD设备_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511933225.7
    本发明公开了一种ALD设备，包括反应壳体、控制器和多条结构和尺寸相同的供气管路，反应壳体内部形成有反应腔室，反应腔室的顶部设置有匀流板；供气管路分为多条主管路和至少一备用管路，主管路的数量与反应工艺所需前驱体数量相同，每条供气管路内均设置有...
    2026-03-19
  • 基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法
    基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法_中核光电科技(上海)有限公司_202610038312.4
    本发明是关于一种基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法。其包括，通过在基板上循环交替沉积含金属卤化物源层和含有机铵源层，制得钙钛矿前驱体薄膜层，后处理，得到钙钛矿吸光层；所述循环交替沉积步骤包括：1)在所述基板上沉积所述含金属卤化物源层...
    2026-03-19
  • 一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法
    一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法_国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司_202511498466.3
    本发明公开了一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法，属于化学气相沉积技术领域，解决了基体在化学气相沉积碳化硅涂层过程中，基体支撑处无法涂覆涂层造成基体裸露的问题；其具体包括支撑座，支撑座上活动连接有若干根支撑杆，若干根支撑杆上支撑有待沉...
    2026-03-19
  • 一种大面积传动载板顶升装置及方法
    一种大面积传动载板顶升装置及方法_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511743708.0
    本发明涉及异质结PECVD设备技术领域，具体为一种大面积传动载板顶升装置。为了解决现有的传动载板顶升装置存在缺陷的问题，故提供了一种新的大面积传动载板顶升装置，包括加热板、四个分区顶升板，四个分区顶升板分别位于加热板下方，四个分区顶升板与加...
    2026-03-19
  • 一种静电吸附盘
    一种静电吸附盘_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511970026.3
    本发明提供了一种静电吸附盘，包括：本体，包括一体成型的吸附区和法兰区，其中，所述吸附区中设有至少一个电极，所述法兰区环绕于所述吸附区的外围，其外表面为绝缘材质；以及聚焦环，安装于所述法兰区之上，并环绕所述吸附区，其中，所述聚焦环由绝缘材料制...
    2026-03-19
  • 射频引入组件、承载舟支撑装置及半导体工艺设备
    射频引入组件、承载舟支撑装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411066998.5
    本申请公开了一种射频引入组件、承载舟支撑装置及半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。射频引入组件用于向晶片承载舟引入射频功率，射频引入组件包括电极环套和第一引入组件，电极环套用于套设于支撑件上，支撑件用于支撑晶片承载舟，且电极环套与第一引...
    2026-03-19
  • 一种挤压模具表面耐磨涂层及其制备方法和应用
    一种挤压模具表面耐磨涂层及其制备方法和应用_江苏江顺精密科技集团股份有限公司_202610047734.8
    本发明公开一种挤压模具表面耐磨涂层及其制备方法和应用，该耐磨涂层包括中间过渡层和耐磨覆盖层，所述中间过渡层由TiC、Ti(CN)、以及TiN三种成分由内向外渐变分布复合而成；并且该中间过渡层中总碳氮比为0＜C/N＜1，表面具有参差的TiN成...
    2026-03-19
  • 一种快速升温快速冷却的CVD加热器及其制备方法
    一种快速升温快速冷却的CVD加热器及其制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511406586.6
    本发明公开一种快速升温快速冷却的CVD加热器及其制备方法，CVD加热器安装于CVD设备真空腔底部进行使用，包括有金属座、水冷盘以及陶瓷发热盘；该水冷盘贴合固定于金属座的下表面，该陶瓷发热盘贴合固定于金属座的上表面，该陶瓷发热盘具有陶瓷绝缘层...
    2026-03-19
  • 一种具有微纳结构与类液特性的复合疏液涂层的制备方法
    一种具有微纳结构与类液特性的复合疏液涂层的制备方法_宁波聚膜新材料科技有限公司_202511690210.2
    本发明公开了一种具有微纳结构与类液特性的复合涂层制备方法，属于表面功能涂层技术领域。该方法在同一真空腔体内，采用等离子体增强化学气相沉积工艺连续执行以下步骤：首先，以四甲基环四硅氧烷为第一前驱体，在基底表面沉积形成具有纳米结构的粗糙层；随后...
    2026-03-19
  • 气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备
    气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411081815.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种气路控制方法、气路控制装置及半导体工艺设备。该气路控制方法包括：获取作业模式的选择指令；启用与作业模式相对应的气路互锁条件，控制气路系统执行与作业模式相对应的任务。该气路控制装置包括：模式选择工具...
    2026-03-19
  • 一种掩膜结构形成方法
    一种掩膜结构形成方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202510293724.8
    本发明的一种掩膜结构的形成方法属于等离子体沉积技术领域，为了解决掩膜结构侧壁在刻蚀时出现形貌缺陷的技术问题，本发明的形成方法包括提供一基片，所述基片上具有多层堆叠的待刻蚀层；通入反应气体，在第一条件下形成等离子体状态，以在所述待刻蚀层上沉积...
    2026-03-19
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