Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597372.1
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构包括衬底，衬底上表面内凹形成具有第一深度的深沟槽；衬底的上表面还内凹形成具有第二深度的环形槽，环形槽围合于深沟槽的外周，且第一深度大于第二深度；深沟槽内部填充隔...
    2026-02-12
  • 一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法
    一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法_北京遥测技术研究所_202511320069.7
    本发明提供一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法，TSV结构包括从外至内依次连接的电荷阻挡层、电荷缓冲层、绝缘层、种子层和导电层。本发明设计了电荷缓冲层和电荷阻挡层的存在，当在导电材料中施加电流时，泄露的电流通过量子隧穿效应穿过绝缘层进...
    2026-02-12
  • 芯片及其制作方法、电子设备
    芯片及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411027135.7
    本申请提供一种芯片及其制作方法、电子设备，涉及芯片领域，该芯片通过采用一种“上小下大”的金属接触孔，能够增大背部硅通孔与金属接触孔底部的准时工艺窗口。该芯片包括衬底、第一金属走线层、第二金属走线层、金属接触孔、背部硅通孔。衬底上设置有介质层...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411466067.4
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一晶片。第一晶片包括第一互连层、设置在第一互连层上的第一导电层、覆盖第一导电层的第一介电层以及嵌入第一介电层中并延伸到第一导电层中的第一接合垫。制造半导体结构的方法包括以下操作。形成第一...
    2026-02-12
  • 裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件
    裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511604046.9
    提供了裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件。所述裸片单元包括：第一裸片，具有在第一方向上彼此相对的第一有源表面和第一无源表面；接合件，在与第一方向垂直的第二方向上与第一裸片叠置并与第一裸片电绝缘；接合层，在接合件上，在第二方向上与第一裸片叠...
    2026-02-12
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411681224.3
    本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：通过交替地层叠第一材料层和第二材料层来形成层叠物；形成延伸穿过层叠物的分离牺牲层；形成延伸穿过层叠物和分离牺牲层的沟道结构；形成延伸穿过层叠物的狭缝；通过经由...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411040468.3
    一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；第一器件层，位于所述第一基底的第一面上；导热层，位于所述第一基底的第二面上，所述导热层具有至少一个裸露在外的导热侧壁；第二基底，位于所述导热层背向所...
    2026-02-12
  • 一种散热结构、形成方法及封装结构
    一种散热结构、形成方法及封装结构_海光云芯集成电路设计(上海)有限公司_202411289957.2
    本申请实施例提供了一种散热结构、形成方法及封装结构，其中，散热结构的形成方法，包括：提供散热盖，所述散热盖包括基底和环绕在所述基底边缘的侧壁，所述侧壁突出于所述基底；其中，所述散热盖的基底包括固定区和环绕所述固定区的阻挡区；在所述阻挡区形成...
    2026-02-12
  • 一种封装结构、形成方法及集成电路结构
    一种封装结构、形成方法及集成电路结构_成都海光集成电路设计有限公司_202510177163.5
    本申请实施例提供了一种封装结构、形成方法及集成电路结构，其中，封装结构的形成方法，包括：提供初始封装结构，所述初始封装结构包括基板和位于基板上的第一芯片；在所述第一芯片上设置多个相互邻接的导热片，所述导热片与所述第一芯片之间填充有助焊剂，且...
    2026-02-12
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511600773.8
    提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一封装件，包括第一基底和第一芯片；以及第二封装件，在第一封装件上并且包括第二基底、在第二基底的第一表面的中心区域中的第二芯片和在第二基底的第二表面的边缘区域中并且连接到第一基底的多个内...
    2026-02-12
  • 一种大板级扇出型堆叠封装结构及其制作方法
    一种大板级扇出型堆叠封装结构及其制作方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511601506.2
    本发明公开了一种大板级扇出型堆叠封装结构及其制作方法，该封装结构包括：集成电路芯片，埋设于第一塑封体内；第一重布线层，设于第一塑封体的一侧，并与集成电路芯片电性连接；功率器件，通过导电粘接层设置于第一重布线层上；第二塑封体，包封功率器件，其...
    2026-02-12
  • 基于声子输运调控的芯片散热装置及方法
    基于声子输运调控的芯片散热装置及方法_元启芯(山东)半导体技术有限公司_202511580403.2
    本发明提供一种基于声子输运调控的芯片散热装置及方法，涉及芯片散热技术领域，包括：智能动态调控系统，与待散热芯片表面热耦合的多层异质声子调控结构，所述多层异质声子调控结构包括：石墨烯面内热扩散层，碳纳米管垂直传导层，量子点声子调制层和二维材料...
    2026-02-12
  • 具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法
    具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511531851.3
    本发明公开了一种具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法。该半导体器件的衬底层的背侧包括具有多个平行设置的微流道的流道区和环绕在流道区外侧的非流道区；衬底层远离半导体器件功能层一侧设置有歧管结构；歧管结构与衬底层之间设置有第一键...
    2026-02-12
  • 一种MOSFET的微流道散热结构
    一种MOSFET的微流道散热结构_优拓创新技术(深圳)有限公司_202511592135.6
    本发明涉及电子元件散热技术领域，具体涉及一种MOSFET的微流道散热结构，包括底座、压接片和换热站。MOSFET设置于底座上，且其本体上设置有散热片，引脚上设置有散热套。压接片通过压接杆压接在散热片上。散热片上开设有第一流道，散热套上开设有...
    2026-02-12
  • 一种均温液冷装置
    一种均温液冷装置_江苏神州半导体科技有限公司_202511702611.5
    本发明属于散热器技术领域，具体涉及一种均温液冷装置。包括散热主体，其表面设置有散热位，散热主体两端分别设置有进口和出口，散热主体内部设置有连通进口和出口的流道总成；流道总成包括主流道，其第一端与进口连通，主流道从第一端往另一端的宽度逐步变窄...
    2026-02-12
  • 一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法
    一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法_威海新佳电子有限公司_202511672573.3
    本发明公开了一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法，一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块包括从下至上依次层叠设置的第一散热底板、下DBC基板、第一半导体芯片、温度检测DBC基板、第二半导体芯片、上DBC基板以及第二散...
    2026-02-12
  • 一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法
    一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法_华南理工大学_202511463727.8
    本发明涉及一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法，该三维散热器包括上壳板和下壳板。上壳板通过机加工一体成形，顶面具有密布的空心散热针柱，相邻针柱间形成冷却介质流道，底面具有液体工质定向输运结构；下壳板通过机加工形成空腔，空腔内设...
    2026-02-12
  • 用于小面积芯片散热的3D蒸汽室
    用于小面积芯片散热的3D蒸汽室_深圳市飞荣达科技股份有限公司_202511485195.8
    本发明公开了一种用于小面积芯片散热的3D蒸汽室，包括上盖板、下盖板，上盖板与下盖板密封连接，形成密闭腔体；密闭腔体分为非热源区域以及与小面积芯片对应的热源区域，热源区域设有若干铜柱，热源区域的下盖板上设有若干微针，密闭腔体内的下盖板表面上设...
    2026-02-12
  • 一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构
    一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构_北一半导体科技(广东)有限公司_202511567752.0
    本发明公开一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构，涉及xxxx领域。该低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构，包括封装外壳、AMB氮化硅陶瓷基板、多层复合母排、SiCMOSFET芯片、寄生电感循环检测单元、数据处...
    2026-02-12
  • 多维金属-绝缘体-金属电容器
    多维金属-绝缘体-金属电容器_美光科技公司_202511040712.0
    本公开涉及多维金属‑绝缘体‑金属电容器。本文中所描述的实施例涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施例中，一种集成组合件包含装置区。所述装置区包含电容器结构，所述电容器结构包含水平安置的第一导电螺旋结构及水平安置的第二导电螺旋结构。...
    2026-02-12
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证