Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511599108.1
    本申请公开了一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备，所述传片腔室内设置有第一连接管和第一运动装置；所述传片腔室的下游端设有传片口；所述第一运动装置用于带动所述第一连接管移动；所述第一连接管移动至第一目标位置，所述第一连接管用于将反应腔室的出...
    2026-03-23
  • 一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用
    一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用_苏州信越半导体有限公司_202511682288.X
    本发明提供一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用，所述分子束外延装置包括生长室；所述生长室内设置有载台；所述载台由下至上依次设置有第一台阶和第二台阶；所述第一台阶上放置有衬底，且所述衬底的背面朝向所述第二台阶；所述第二台阶上放置有遮...
    2026-03-23
  • 一种自动传片MOCVD设备
    一种自动传片MOCVD设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712530.3
    本发明公开了一种自动传片MOCVD设备，包括：反应腔体以及设置在反应腔体内的石墨基座，石墨基座上均布有多个石墨小盘，石墨小盘用于承载晶圆，所述石墨基座与反应腔体外部的旋转驱动部件连接，以实现石墨基座带动石墨小盘在反应腔体内旋转；反应腔体与石...
    2026-03-23
  • 一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统
    一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统_季华实验室_202511996304.2
    本申请涉及分子束外延技术领域，具体提供了一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统，方法包括步骤：S1、按照预设温度变化速率对待净化坩埚进行升温，直至待净化坩埚的温度达到第一预设峰值温度；S2、将待净化坩埚的温度保持在第一预设峰值温度...
    2026-03-23
  • 铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用
    铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用_南昌大学_202511895120.7
    本发明公开了铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用，涉及光电子半导体材料技术领域。铅盐单晶敏化薄膜的制备方法包括以下步骤：S1、在基底上生长铅盐薄膜；S2、将所述铅盐薄膜进行氧气高温预敏化处理，形成氧掺杂铅盐薄膜；S3、将所述氧...
    2026-03-23
  • 进气连接装置以及外延设备
    进气连接装置以及外延设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202411009386.2
    本申请公开了一种进气连接装置以及外延设备，该进气连接装置包括连接本体和连接板，连接本体内开设有进气通道、进气槽和进气口，进气槽连通进气通道与进气口，进气通道还用于与外部气源连通；连接板覆盖于进气槽的槽口并与连接本体连接，连接板形成有凸台结构...
    2026-03-23
  • 一种碳化硅外延生长方法
    一种碳化硅外延生长方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511414335.2
    本申请公开一种碳化硅外延生长方法，其基于碳化硅外延设备，该方法包括：在刻蚀阶段利用加热器将反应腔加热至第一预设温度，并利用喷淋部件向反应腔内通入一定流量的氢气，以刻蚀所述衬底的表面；在缓冲层生长阶段，利用加热器将反应腔的温度维持在第二预设温...
    2026-03-23
  • 一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α-Ga2O3的工艺方法
    一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α-Ga2O3的工艺方法_北京铭镓半导体有限公司_202511498803.9
    本发明公开了一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α‑Ga22O33的工艺方法，包括以下步骤：对(0006)取向的蓝宝石衬底进行清洗干燥。通过HVPE方法在蓝宝石衬底上外延生长(003)取向的纯相α‑Ga22O33外延膜。本发明中可以在(...
    2026-03-23
  • 一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法
    一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法_苏州衡巍光电科技有限公司_202511590326.9
    本发明公开一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法，属于化合物半导体材料合成技术领域。该方法包括以下步骤：步骤一、将砷化镓衬底晶圆放置在晶体反应炉内部的支架上，对晶体反应炉抽真空；步骤二、将氩气输送至晶体反应炉，置换空气；步骤三、将锑烷输送...
    2026-03-23
  • 一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质
    一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511846074.1
    本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定初始金刚石衬底，并对初始金刚石衬底进行酸洗处理，得到第一金刚石衬底；对第一金刚石衬底进行超声清洗处理，得到第二金刚石衬底，并基于915MHz‑M...
    2026-03-23
  • 纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备
    纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备_锦州天泰金属粉末加工有限公司_202511314397.6
    本申请涉及纳米级光路用铜锰多晶体技术领域，特别是涉及纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备，通过采用高纯的铜锰合金，并保持高频电磁搅拌，可有效减少杂质引入，避免成分偏析，使锰元素在铜基体中均匀分布，通过精确控制区域熔炼的加热温度、保温时...
    2026-03-23
  • 一种具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺
    一种具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺_洛阳轴承研究所有限公司_202511412020.4
    本发明涉及精密加工技术领域，特别是涉及具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺。所述聚晶金刚石球主要由金刚石微粉、金属粘结相通过高温高压烧结而成，使得所述聚晶金刚石材料具有高硬度、高热导率、低磨损率等优异性能，广泛应用于工业、电子等领域。由于...
    2026-03-23
  • 具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法
    具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511304565.3
    本发明涉及一种具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法，所属晶圆加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在a坩埚中将固体硅料和掺杂剂一起全部融化成液体。第二步：在b坩埚中采用坩埚缓慢降低埚位，实现坩埚底部一部分液体从最底部缓慢凝固成固...
    2026-03-23
  • 一种自动加掺设备及其加掺方法
    一种自动加掺设备及其加掺方法_青海高景太阳能科技有限公司_202511390704.9
    本发明公开了一种自动加掺设备及其加掺方法。自动加掺设备包括仓室，仓室上设置有加掺口和第一开口，第一开口可与单晶炉连通，仓室中设置有隔离部，第一驱动机构可驱动隔离部打开/关闭于第一开口处，第二驱动机构可驱动储料部依次伸入仓室中和伸出第一开口外...
    2026-03-23
  • 一种薄膜沉积的控制方法、沉积方法及硅片
    一种薄膜沉积的控制方法、沉积方法及硅片_天津中环领先材料技术有限公司_202511587320.6
    本申请公开了一种薄膜沉积的控制方法、沉积方法及硅片，属于半导体制造技术领域。其中，薄膜沉积的控制方法包括：通过进气管向硅片表面输送反应气体，进气管包括由高至低且间隔设置的第一进气管、第二进气管、第三进气管、第四进气管和第五进气管；其中，第一...
    2026-03-23
  • 一种高性能氢氧化镁晶须的制备方法及应用
    一种高性能氢氧化镁晶须的制备方法及应用_江西理工大学_202511317648.6
    本发明提供一种高性能氢氧化镁晶须的制备方法及应用，涉及二次资源利用技术领域。该方法首先将六水氯化镁、硝酸铈和硝酸钇配置成混合溶液A，将溶液A和氨水进行沉淀反应，反应结束后添加硅烷改性剂进行水热反应，将反应结束后得到的白色沉淀物过滤洗涤，真空...
    2026-03-23
  • 一种二羟基二氟化三硼酸二氯化三铯非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种二羟基二氟化三硼酸二氯化三铯非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511617521.6
    本发明提供一种二羟基二氟化三硼酸二氯化三铯非线性光学晶体的制备方法及用途，该晶体化学式为Cs33B33O33(OH)22F22Cl22，属于六方晶系，空间群为，单胞参数为aa=bb=16.0308(3)±0.02 Å, cc=4.2954(...
    2026-03-23
  • 一种高电压单晶尖晶石镍锰酸锂正极材料制备方法
    一种高电压单晶尖晶石镍锰酸锂正极材料制备方法_安徽鑫钠新材料科技有限公司_202511706817.5
    本发明涉及正极材料制备技术领域，且公开了一种高电压单晶尖晶石镍锰酸锂正极材料制备方法，具体为多种元素同时对高电压单晶尖晶石镍锰酸锂正极材料进行掺杂改性，其分子式为：1‑n[Li(Ni1‑x1‑xMxx)0.50.5(Mn1‑y1‑yAyy)...
    2026-03-23
  • 鼓泡器
    鼓泡器_拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司_202511587440.6
    本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种鼓泡器。所述鼓泡器包括罐体、进气管以及中空引导件，罐体设有容腔，容腔包括第一部以及位于第一部下方的第二部，第一部用于容置气体或蒸气，第二部用于容置液态前驱物。进气管设于罐体，并具有伸入第二部内的进气...
    2026-03-23
  • 一种碲化镉晶体制备用冷却装置及其使用方法
    一种碲化镉晶体制备用冷却装置及其使用方法_福莱特光能有限公司_202511355438.6
    本发明公开了一种碲化镉晶体制备用冷却装置及其使用方法，属于碲化镉晶体制备技术领域，包括：储纳组件，用于储纳需要冷却的碲化镉晶体；保温桶，设置在储纳组件的外周，储纳组件通过转轴与保温桶转动连接，保温桶的内壁安装有为转轴提供动力的正反电机，转轴...
    2026-03-23
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证