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  • 本发明提供了一种无引线封装结构的切割方法及其相关装置,涉及半导体制造技术领域,切割方法用于切割无引线封装结构,芯片包括两个第一边和至少两个第二边,第一边上设有触点,切割方法包括:对待切割的无引线封装结构进行图像识别,确定边框的内轮廓和第一边...
  • 本发明提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括:提供一基板,其中基板具有第一表面以及相对第一表面的第二表面;形成通孔贯穿基板,其中通孔的侧壁连接第一表面与第二表面;形成第一导电层在基板上且延伸至通孔中;形成第二导电层在第一导电层...
  • 本申请公开了一种中介板及其形成方法、封装结构及其形成方法,其中中介板的形成方法,包括:提供载板,载板包括多个第一区域和位于相邻的第一区域之间的分割区域;在载板上形成临时键合层;在临时键合层上形成无机介质层以及在每一个第一区域上的无机介质层中...
  • 本申请公开了一种半导体封装结构及其形成方法,其中形成方法,包括:提供玻璃基板,包括相对的第一表面和第二表面,玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构;在玻璃基板的第一表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一再布线金属层,第一再布线金属层与...
  • 本申请实施例提供一种封装基板加工方法及封装基板,包括:在封装基板上加工槽孔,槽孔的孔壁与封装基板的表面垂直;通过激光镭射在封装基板上加工X型通孔,X型通孔的孔壁与封装基板表面的夹角大于90度;以与封装基板表面垂直的方向进行金属靶材溅射,使封...
  • 本发明提出了一种共烧陶瓷制备有机封装陶瓷基板的制作方法,涉及半导体技术领域。一种共烧陶瓷制备有机封装陶瓷基板的制作方法,包括如下步骤:S110、陶瓷浆料和金属导体浆料制备;S210、生瓷片制备;S310、电路成型;S410、多层叠合;S51...
  • 本发明公开了一种非等径硅微孔转接板的制备方法,属于半导体封装技术领域。包括如下步骤:减薄硅片,在硅片背面制备二氧化硅层;在硅片正面涂覆光刻胶,利用光刻工艺得到图案化图形,图案化图形为不同直径的圆,通过刻蚀工艺,将涂覆光刻胶的硅片进行刻蚀,得...
  • 本发明公开了一种九端子芯片框架及封装方法,涉及芯片设计技术领域,所述芯片框架包括:矩形框架本体,包括1.1mm×1.1mm尺寸或1.0mm×1.0mm尺寸;九个相互绝缘的端子,包括一个中心端子及八个环绕分布的边缘端子;其中,所述端子按3×3...
  • 本发明提出一种功率模块,通过在封装体两面分别设置散热板,并将功率芯片倒装设置在两个散热板上,使得两个散热板能够分摊功率芯片的热量,两个散热板能够同时与外界进行换热,极大地提高了功率模块的散热能力,同时,功率芯片倒装能够取消内引线的设置;而设...
  • 本公开提供了一种具有三维集成结构的光电转换芯片及其制备方法,该光电转换芯片包括:光芯片层、再布线层、硅通孔转接层和电芯片层;光芯片层包括光电探测器芯片和电光调制器芯片;电芯片层包括衰减器芯片和放大器芯片;再布线层和硅通孔转接层将光电探测器芯...
  • 本申请提供一种芯片、芯片封装结构及电子设备,芯片包括:衬底、以及位于衬底之上的多个互连结构,互连结构包括沿着第一方向,依次堆叠设置的第一导电结构、互连孔和第二导电结构,多个互连结构被划分为至少一个第一互连结构和至少一个第二互连结构,第一互连...
  • 一种半导体封装件可包括:第一再分布结构;子半导体封装件,在第一再分布结构上,其中,子半导体封装件可包括:第二再分布结构,桥接裸片,在第二再分布结构上,第一模制材料,在第二再分布结构上被构造为覆盖桥接裸片,第三再分布结构,在第一模制材料上,并...
  • 一种集成电路、芯片封装结构、射频装置、射频模组、雷达及电子设备,可以有效减少封装后的厚度,有利于减少馈线损耗。所述集成电路结构包括:集成电路和位于集成电路第一表面的连接结构,其中,所述连接结构至少包括金属地层和馈线层,所述金属地层与所述馈线...
  • 本公开涉及有效支持用于高数据速率应用的信号路由的衬底封装。一种装置,包括具有第一侧面和第二侧面的衬底,其中第一侧面与第二侧面相对。该装置还包括被定位在衬底第二侧面上并且电耦合到衬底的管芯。该装置包括被定位在衬底第一侧面上的信号路由部件。信号...
  • 本申请公开一种多芯片封装结构及封装方法,该多芯片封装结构包括:第一芯片、第二芯片和基板;所述基板包括相对的第一表面和第二表面;所述第一芯片与所述基板的第一表面电性连接;所述第二芯片与所述基板的第二表面电性连接,所述第一芯片在第二芯片所在平面...
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有第一金属层;依次位于所述层间介质层表面的第一阻挡层和第一介质层;依次位于所述第一介质层表面的第二阻挡层和第二介质层,...
  • 本申请实施例涉及信号处理技术领域,公开了一种电子元件封装结构、雷达传感器及电子设备,其中电子元件封装结构包括:依次设置的至少一个重布线层、介质层和寄生天线层;所述电子元件通过至少一个所述重布线层将射频信号耦合至所述寄生天线层;和/或,所述寄...
  • 本申请提供一种封装体结构及其制备方法、电子设备。封装体结构包括玻璃基板、芯片和导电层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面、及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,第一侧面为凸面。芯片连接于玻璃基板的第一表面,芯片包括第二侧面,芯片的第二...
  • 提供了一种具有减少的寄生电容的再分布结构。该再分布结构可以包括通孔层和在与通孔层垂直的第一方向上设置在通孔层上的布线层,布线层包括金属板和被配置为在第一方向上穿透金属板的第一绝缘图案。第一绝缘图案的外侧表面可以从金属板的侧表面暴露。
  • 本发明提供一种封装结构及其形成方法,在所述封装结构中,所述桥接芯片的背面与所述底部重布线层的正面通过第一键合结构连接,所述第一键合结构为有机与无机混合键合结构或者有机混合键合结构,和/或所述桥接芯片的正面与所述顶部重布线层的背面通过第二键合...
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