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最新专利技术
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510194585.3
    本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一间隙子、一第二间隙子、一第三间隙子、一第四间隙子、一电容器接触件、一隔离元件以及一着陆垫。该第一间隙子及该第二间隙子位在该基底上方且沿着一第一方向延伸。该第三间隙子及该第四间隙子位在该...
    2026-02-13
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510993081.8
    本申请案涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括绝缘材料及存储器单元的竖直交替层级。存储器单元个别地包括晶体管，晶体管具有水平介于第一与第二源极/漏极区之间的沟道区及操作性地接近沟道区的栅极。存储器单元包括电容器...
    2026-02-13
  • 半导体装置
    半导体装置_美光科技公司_202510993910.2
    本申请涉及半导体装置。一种设备包含：衬底；第一区，其在所述衬底上；第二区，其在所述衬底上；至少一个第一晶体管，其包含设置在所述第一区中的第一栅极结构；至少一个第二晶体管，其包含设置在所述第二区中的第二栅极结构；三棱柱形侧壁，其在所述第二栅极...
    2026-02-13
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511000570.5
    半导体器件可以包括：在基板上的晶体管；在晶体管上的第一布线结构；在第一布线结构上的第一接合焊盘结构；第二布线结构，在第一布线结构上的并且在水平方向上与第一接合焊盘结构至少部分地重叠；第二接合焊盘结构，在第二布线结构上且与第二布线结构间隔开，...
    2026-02-13
  • 半导体器件的制备方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制备方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511300217.9
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；执行至少一次刻蚀工艺步，以沿着堆叠结构的侧壁横向刻蚀第一材料层或第二材料层...
    2026-02-13
  • 一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法
    一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511384668.5
    本发明提供一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：在基底上形成电容器结构，电容器结构所在区域划分为阵列区和有源区；电容器结构至少包括沿第一方向叠摞设置的层叠结构，且层叠结构的阵列区布置有多个并列间隔排布...
    2026-02-13
  • 电容刻蚀方法
    电容刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511384694.8
    本发明提供了一种电容刻蚀方法，涉及半导体加工技术领域，以解决电容孔刻蚀精度不高的问题。电容刻蚀方法包括：硬掩模层沉积，在基底上沉积第一硬掩模层，第一硬掩模层为钨碳基硬掩模层；光刻图案化，在第一硬掩模层上形成预设图案；硬掩模层刻蚀，图案传递至...
    2026-02-13
  • 存储器件和制造存储器单元的方法
    存储器件和制造存储器单元的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413152.9
    存储器件包括沟道层。该存储器件包括位于沟道层的第一侧上的栅极结构，其中栅极结构具有面向沟道层的顶表面。该存储器件包括位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上的漏极结构，其中漏极结构具有与沟道层接触的第一底表面。第一底表面在第一横向方向上与栅极结构...
    2026-02-13
  • 存储器器件、以及制造存储器单元的方法
    存储器器件、以及制造存储器单元的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413286.0
    一种存储器器件包括沟道层。存储器器件包括栅极结构，位于沟道层第一侧上，其中，栅极结构具有面向沟道层的顶面。存储器器件包括漏极结构，位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上，其中，漏极结构具有面向沟道层的第一底面。存储器器件包括源极结构，位于沟道层...
    2026-02-13
  • 具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法
    具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511526074.3
    在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延...
    2026-02-13
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511583171.6
    一种存储器，包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构和位于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铪锆(HZO)所制成的第一介电层、位于第一介电层上方，且由氧化铝所制成的阻挡层，以及位于阻挡层...
    2026-02-13
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511586783.0
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过改变相邻位线结构之间间隔的宽度，使得形成在不同相邻位线结构之间的连接垫结构在水平方向上的宽度不同，进而使得部分第二隔离结构发生位置偏移，以达到让部分相邻连接垫结构连通的目的。
    2026-02-13
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511649860.2
    本发明公开了半导体器件，包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上，其中，覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。...
    2026-02-13
  • 集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法
    集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法_美光科技公司_202510943301.6
    本申请案涉及集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法。集成电路系统包括堆叠，其包括从阵列区延伸到阶梯区中的竖直交替绝缘层级及导电层级。所述阶梯区包括梯级梯段，所述梯级包括踏面，其中所述踏面中的个别者包括目标导电层级。导电通路从所述个别踏面中...
    2026-02-13
  • 具有堆叠结构的半导体器件
    具有堆叠结构的半导体器件_长江存储科技有限责任公司_202410985300.3
    本公开内容涉及用于管理具有堆叠结构的半导体器件的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括控制半导体结构和阵列半导体结构。阵列半导体结构沿着第一方向堆叠并且耦合到控制半导体结构。阵列半导体结构至少包括第一阵列半导体结构和第二阵列半导体结构。...
    2026-02-13
  • 一种发光晶体管
    一种发光晶体管_北京大学深圳研究生院_202511938035.4
    本发明涉及场效应发光晶体管技术，具体涉及一种发光晶体管，包括衬底、栅极、栅介质层、浮栅层、隧穿介质层、沟道层、源电极、发光功能层和漏电极。与传统发光晶体管相比，本发明通过引入浮栅层和隧穿介质层实现电荷存储功能。在将发光晶体管应用于像素电路时...
    2026-02-13
  • 存储器件及其制备方法
    存储器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410986579.7
    本公开提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构和多个连接结构。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第...
    2026-02-13
  • 存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路
    存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路_上海闪易半导体有限公司_202511555770.7
    本申请提供一种存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路，该存储单元包括：由两个双向对称分布的分栅NOR Flash单元组成的对称位线胞，两个分栅NOR Flash单元共享选择栅，可以提升存储单元的线性度。在基于该存储单元的存储阵列中集成填充...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410993599.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件，包括：衬底、第一电容结构、第二电容结构和导电柱组件。第一电容结构和第二电容结构分别设置于衬底两面，第一电容结构和第二电容结构均至少部分埋入于衬底内。导电柱组件贯穿衬底，两端分别...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410993633.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：多个功能区，阵列排布；多个密封区，每个密封区环绕一个功能区；多个切割区，每个切割区位于相邻密封区之间；密封区的键合焊盘包括沿功能区指向切割区的方向依次设置的键合密封环和散热...
    2026-02-13
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