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  • 本发明提供了一种双车架接车电泳滑橇装置,包括电泳滑撬本体、定位单元以及支撑单元,定位单元设置在电泳滑撬本体上,支撑单元设置在电泳滑撬本体上,车架设置在定位单元及支撑单元上,通过定位单元及支撑单元实现底盘车架的双承载,能够实现双层车架上件时自...
  • 本发明公开了一种基于冷态介质约束的弯月面电沉积方法和电沉积实验系统,所述方法包括步骤:在喷嘴外部冷态介质槽内加入与电解液互不相溶且绝缘的粘度可调的冷态介质;通过制冷装置将冷态介质调节至目标温度,对电解液内阳极与喷嘴下侧阴极基底通电,电解液经...
  • 本发明涉及放射源制备技术领域,提供一种用于制备镍‑63放射源的电沉积装置,包括:底座、电镀槽、紧固板和一对紧固机构;电镀槽与底座卡接;紧固板套接于电镀槽外;一对紧固机构位于紧固板的两侧;紧固机构包括:压柄、传动件、紧固组件和固定座,固定座与...
  • 本申请提供了一种电路板印刷用电镀装置及方法。该装置包括加工柜、容料件和载具。加工柜通过摆动驱动组件可在竖放状态与平放状态之间切换;容料件和载具分别滑动设置于加工柜的背板和正面面板上,分别用于容纳阳极金属块和固定待加工工件。在竖放状态下,便于...
  • 本发明涉及电镀技术领域,具体是一种基于脉冲电流的汽车制动管内壁防腐电镀设备,包括电镀箱、继电器和摆板,电镀箱两侧内壁对称固定设置有电棒,两个电棒均与继电器电性连接,电镀箱上设置有切换组件,切换组件与继电器相配合,电镀箱上设置有扇摆组件,扇摆...
  • 本申请公开了一种夹具装置及电镀设备,夹具装置包括夹具底座、弹性机构、第一转轴、按压件和导电夹持机构,按压件的一端通过第一转轴与夹具底座转动连接,按压件的另一端通过弹性机构与夹具底座连接。导电夹持机构包括第一夹持组件和第二夹持组件,第一夹持组...
  • 本发明公开了一种电镀夹具,包括支撑杆、导电杆、第一夹持件、第二夹持件以及调节组件,导电杆设于支撑杆,第一夹持件和第二夹持件分别转动连接于支撑杆的两端,沿支撑杆的长度方向,导电杆位于第一夹持件和第二夹持件之间,第一夹持件和第二夹持件之间设有第...
  • 本公开提供铝箔及其制备方法,制备方法包括:对铝箔进行电化学腐蚀;在电化学腐蚀之后,依次在第一清洗液、第二清洗液和第三清洗液中对铝箔进行清洗,其中,第一清洗液、第二清洗液和第三清洗液均包括柠檬酸和磷酸氢二钠,第一清洗液中的柠檬酸的浓度大于第二...
  • 本申请提供一种3D多孔铜箔蚀刻用导电辊及其使用方法,包括导电辊、输电组件、导电靴极组件和绝缘筒,导电辊包括芯轴,芯轴两端套设输绝缘筒,绝缘筒外部套设有输电组件,输电组件与导电靴极组件通过摩擦导电连接;所述芯轴中段套设有铜筒,铜筒两端和芯轴之...
  • 本发明公开了一种溶液法生长混卤杂化钙钛矿MAPbBr3‑n3‑nClnn单晶的制备方法及应用,涉及钙钛矿晶体生长技术领域。所述方法包括将溶质溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液;其中,所述溶质包括MABr、PbBr22和PbCl22;将前驱体溶...
  • 本发明公开了一种二维TbOCl单晶材料的制备方法及其在场效应晶体管中的应用。本发明将助熔剂和TbCl·7H22O粉末按预设比例混合得到前驱体;将所述前驱体在温度为400‑800℃、惰性气体氛围的条件下保温,然后在自然冷却到室温,得到二维Tb...
  • 本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种助熔剂法氮化镓单晶生长用籽晶接种监测装置。包括反应釜体,顶部设有可上下移动的封装壳层,封装壳层内放置有凸型籽晶,凸型籽晶的凸起部分穿出封装壳层并朝向单晶生长熔液,靠近凸起部分的凹面覆盖有共面电极,...
  • 本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种助熔剂法生长氮化镓单晶的对流频差调控装置。包括:生长腔体,内设有反应釜体,反应釜体内设有籽晶和单晶生长熔液,反应釜体的底壁为扇形凹凸结构,均布对称设有至少2个超声对流驱动单元,每个超声对流驱动单元...
  • 本发明涉及凝固实验技术领域,具体为一种梯度控温凝固实验装置,包括装置底座,装置底座的内侧表面滑动连接有用于加热和升降的加热箱,加热箱的底部表面设置有控制材料吸附加热与脱离冷却的吸附底座,吸附底座的外侧表面设置有调节加热温度的控温转筒,控温转...
  • 本发明涉及单晶高温合金精密铸造技术领域,具体为一种控制厚大单晶高温合金铸件雀斑缺陷的方法。所述方法包括:在蜡模制备阶段,使用熔点低于零件蜡料的低熔点蜡料,在零件蜡模表面间隔涂覆适当厚度的蜡料制作补贴结构,补贴结构的宽度为2~3mm,厚度为1...
  • 本申请公开了一种碘化铅的合成方法,所述方法包括:S1:动态平衡化学气相输运合成高纯PbI22多晶原料,在抽至高真空并密封的双温区石英安瓿中,将位于第一温区的高纯碘单质在100‑110℃下升华产生碘蒸气,并使其持续输运至第二温区,与在410‑...
  • 本发明属于单晶炉技术领域,具体的说是一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,包括炉座;所述炉座上固接有炉体;所述炉座上靠近炉体的一侧安装有提升机构;所述炉体的内壁底部固接有坩埚加热组件;所述炉体的内壁顶部固接有环形板;所述环形板的内部开设有流通槽;...
  • 本发明提供了一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用,涉及半导体材料制造技术领域。具体而言,当坩埚内颗粒硅的装料量≤200kg时:先在坩埚底部装入小料,而后在所述小料的上部中间处装入颗粒硅,再在所述颗粒硅与坩埚壁之间填充块状硅,最后在所述颗粒硅...
  • 本发明公开了一种具备水冷下轴升降旋转机构的单晶炉,包括坩埚轴和石墨托杆,所述坩埚轴和石墨托杆内部中空,所述水冷下轴升降旋转机构包括水冷芯管、水冷旋转接头和升降驱动装置,所述水冷芯管设置于坩埚轴和石墨托杆内部,坩埚轴和石墨托杆通过连接件固定连...
  • 本申请公开了一种单晶炉用加热器及单晶炉,属于单晶制造技术领域。所述单晶炉用加热器包括加热圈,所述加热圈包括第一加热部和第二加热部,所述第一加热部和所述第二加热部相对间隔设置,所述第一加热部和所述第二加热部围合形成环状结构的所述加热圈;支撑脚...
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