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最新专利技术
  • 太阳能电池的制备方法
    太阳能电池的制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511285151.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及太阳能电池的制备方法，其包括：在黄膜片的铜种子层上形成一层感光胶层；对感光胶层的非栅线区域进行第一曝光；对感光胶层的未曝光的栅线区域进行显影，以形成预镀凹槽；对非栅线区域进行第二曝光；电镀，以在预...
    2026-01-28
  • 异质结电池制造方法和异质结电池
    异质结电池制造方法和异质结电池_通威太阳能(成都)有限公司_202511495932.2
    本申请涉及一种异质结电池制造方法和异质结电池。所述方法包括：对基材进行加工处理，以使基材的入光面覆盖透明导电氧化层；透明导电氧化层包括栅线接触区域和非栅线接触区域；非栅线接触区域的透明导电氧化层的厚度，小于栅线接触区域的透明导电氧化层的厚度...
    2026-01-28
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件_天合光能股份有限公司_202511518436.4
    本发明涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件。本申请旨在解决如何提高太阳能电池对光线的利用率的问题。为此目的，本申请的太阳能电池的制备方法，通过采用沟槽代替传统网板印刷中的网孔设计，不仅能够确保浆料的均...
    2026-01-28
  • 一种基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器及其制备方法
    一种基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器及其制备方法_长春理工大学_202511528997.2
    本申请提供一种基于拓扑表面态驱动的快速响应短波红外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器领域。快速响应短波红外光电探测器的制备方法包括：采用磁控溅射沉积技术，在基底的表面沉积非晶Bi22M33层，得到复合结构，M为Se或Te；将复合结构置于...
    2026-01-28
  • 一种抗辐照太阳电池
    一种抗辐照太阳电池_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511925671.3
    一种抗辐照太阳电池，包括第一电池，第一电池包括：第一P型基区和第一N型发射区，二者构成第一PN结；量子阱，位于第一P型基区之内，且位置远离第一P型基区与第一N型发射区之间所形成的第一PN结界面；P型掺杂，掺杂在量子阱区域，其面掺杂浓度沿远离...
    2026-01-28
  • 一种电池片及光伏组件
    一种电池片及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511565982.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种电池片及光伏组件。电池片包括本体、边缘栅线和内部栅线，边缘栅线围成内侧区域，内部栅线位于内侧区域内，边缘栅线与本体的边缘之间的区域为外侧区域，外侧区域设置有连接栅线，连接栅线的一端与本体的边缘连接，...
    2026-01-28
  • 背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件
    背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511811553.X
    本申请涉及背接触太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件。该背接触太阳电池，包括硅衬底、掺杂类型相反的第一掺杂层和第二掺杂层以及两种极性的焊盘组。硅衬底具有背光面。第一掺杂层与第二掺杂层设置在背光面上。第一掺...
    2026-01-28
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202411800786.5
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池，包括：半导体衬底，包括相对设置的第一面和第二面；所述半导体衬底上设有多个钝化区和多个钝化接触区，所述多个钝化区和所述多个钝化接触区沿第一方向交替排布；所述第一方向垂直于所述半导体衬...
    2026-01-28
  • 光伏电池及光伏组件
    光伏电池及光伏组件_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202510998465.9
    本申请涉及光伏电池技术领域，具体涉及光伏电池及光伏组件。该光伏电池采用异质结结构，核心在于太阳能电池片的正面和背面分别设有TCO膜作为透明导电膜层，并位于最外层。正面透明导电膜层外设置含第一量子点的第一转光层，背面设有含第二量子点的第二转光...
    2026-01-28
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511254573.1
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池，包括硅衬底，以及依次层叠设置于硅衬底的表面上的钝化层、本征硅层以及掺杂硅层；钝化层由钝化剂和硅衬底的表面反应得到，钝化剂包括具有如下通式的化合物中的一种或多种：；其中，R11选自羟基和取...
    2026-01-28
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511308026.7
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法，包括：半导体基底、第一极性结构、第二极性结构及混合钝化结构，其中半导体基底包括具有相邻接设置的第一区及第二区的第一面；第一、二极性结构分别位于第一、二区；混合钝化结构包括位于第一区且包括覆盖于第一极性结...
    2026-01-28
  • 背接触太阳电池及其制备方法
    背接触太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511362452.9
    本申请涉及一种背接触太阳电池及其制备方法。本申请的背接触太阳电池，包括硅衬底，硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域和第二区域；第一区域内设置有第一钝化接触结构，第二区域内设置有第二钝化接触结构；背接触太阳电池还包括位...
    2026-01-28
  • 微型复合气密光电组件
    微型复合气密光电组件_江苏奥雷光电有限公司_202511377185.2
    本发明一种微型复合气密光电组件，包括：基底：使用硅电路板作为基底，硅电路板提供高密度电路互连、集成焊接面，通过半导体制造和/或微纳加工，形成用于驱动、调控以及检测光信号的基础平台；中间结构体：使用陶瓷环作为中间结构体，陶瓷环一方面起到机械定...
    2026-01-28
  • 叠层电池及其制备方法、光伏组件
    叠层电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510950356.X
    本申请涉及一种叠层电池及其制备方法、光伏组件。上述叠层电池包括底电池、顶电池和设置在底电池和顶电池之间的复合层；其中，底电池包括硅基底，硅基底朝向顶电池的一侧具有第一绒面结构，第一绒面结构包括多个第一圆角化金字塔结构，各第一圆角化金字塔结构...
    2026-01-28
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511305260.4
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管制备方法包括：制作外延结构；在外延结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层的一侧具有缺口，第一掩膜层在外延结构上的投影为第一投影区域，且第一投影区域具有与第一掩膜层对应的缺口，第一投影区域的外轮廓...
    2026-01-28
  • 一种LED光电玻璃的制备方法
    一种LED光电玻璃的制备方法_西安南玻节能玻璃科技有限公司_202511601476.5
    本发明公开了一种LED光电玻璃的制备方法，属于LED光电玻璃制备技术领域。本发明采用两段式层压机进行生产。通过使用两层钢化玻璃、两层PVB胶片层将LED芯片“保护”起来。在满足幕墙要求的同时又展现出其电子显示作用。较以往的LED幕墙制作方法...
    2026-01-28
  • 蓝绿双波的发光二极管及其制备方法
    蓝绿双波的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511227922.0
    本公开提供了一种蓝绿双波的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：绿光发光层、保护层、n型层、蓝光发光层、p型层、n电极和p电极；所述绿光发光层、所述保护层、所述n型层、所述蓝光发光层和所述p型层依次层叠，所述p型...
    2026-01-28
  • 一种发光器件及发光装置
    一种发光器件及发光装置_江苏博睿光电股份有限公司_202511276503.6
    本申请公开了一种发光器件及发光装置，属于光电器件领域。本申请的发光器件包括第一发光体和第二发光体，第一发光体发出的光能激发第二发光体发光；第一发光体的发射峰波长为380~460 nm；第二发光体的发射峰波长为485~510 nm；第一发光体...
    2026-01-28
  • 一种LED器件及其制作方法与显示装置
    一种LED器件及其制作方法与显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410866586.3
    本申请实施例提供一种LED器件及其制作方法与显示装置，该LED器件包括：LED芯片、阻挡坝、色转层和封装层，LED芯片包括发光本体和位于发光本体一侧的第一电极和第二电极：阻挡坝与第一电极和第二电极同侧设置，且位于第一电极和第二电极之间，阻挡...
    2026-01-28
  • 一种降低MicroLED显示屏IR Drop占用的排线方法
    一种降低MicroLED显示屏IR Drop占用的排线方法_无锡华耀芯光显示科技有限公司_202511316552.8
    本发明涉及MicroLED微显示技术领域，具体提供了一种降低MicroLED显示屏IR Drop占用的排线方法，包括划分像素组，每个像素组共用一个阴极Bump，设置网状结构走线，形成闭合导电网络，键合像素组的阴极Bump与驱动芯片网状结构走...
    2026-01-28
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