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最新专利技术
  • 基于角分辨散射测量实现光存储的方法及装置
    基于角分辨散射测量实现光存储的方法及装置_海南大学_202511416739.5
    本申请提供了一种基于角分辨散射测量实现光存储的方法及装置，该方法包括：构建多个存储介质的样本结构，所述存储介质包括层叠的衬底、覆盖层以及识别层；每个所述样本结构中的覆盖层在厚度方向以及水平方向被刻蚀为不同的图案，所述图案在厚度方向的刻蚀深度...
    2026-03-01
  • 录音方法、装置、电子设备及介质
    录音方法、装置、电子设备及介质_北京小米移动软件有限公司_202410940294.X
    本公开是关于一种录音方法、装置、电子设备及介质。录音方法包括获取目标模式，目标模式用于表征当前进行录音的录音模式，基于目标模式，获取与目标模式对应的目标配置信息，目标配置信息用于表征录制音频数据时的配置参数，基于目标配置信息，录制目标音频数...
    2026-03-01
  • 磁盘装置
    磁盘装置_株式会社东芝_202411443541.1
    本发明的实施方式涉及磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备：外壳，将基座、设置有第1贯通孔的内罩以及外罩按基座、内罩、外罩的顺序组合且气密封闭而成；磁盘，容纳于外壳内；第1干燥剂单元，以与基座分离且相对的方式设置于内罩；以及第2干燥剂单元，设置于...
    2026-03-01
  • 一种内存散热组件以及液冷散热模组
    一种内存散热组件以及液冷散热模组_新华三技术有限公司_202511371226.7
    本说明书提供一种内存散热组件以及液冷散热模组，涉及热交换领域。一种内存散热组件，包括：第一散热板，在水平方向上的两侧形成有第一导热部；第二散热板，在水平方向上的两侧形成有与第一导热部贴合的第二导热部，在第一散热板和第二散热板之间形成有散热腔...
    2026-03-01
  • 一种存储器及电子设备
    一种存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410931967.5
    本申请提供了一种存储器及电子设备，存储器中的存储阵列包括在垂直方向上堆叠设置的多个存储层，每个存储层包括呈阵列排布的多个存储单元、在水平方向延伸的多条位线、数据选择器和至少一条引出线。在存储层中，多个存储单元与一条位线电连接，多条位线与数据...
    2026-03-01
  • 电子装置、包括电子装置的电子系统和电子装置的操作方法
    电子装置、包括电子装置的电子系统和电子装置的操作方法_三星电子株式会社_202510140225.5
    提供了一种电子装置、包括电子装置的电子系统和电子装置的操作方法。一种电子装置，所述电子装置与包括易失性存储器和非易失性存储器的存储装置通信，所述电子装置包括：监测电路，被配置为在数据被存储在易失性存储器中时识别电子装置的状态信息；以及操作控...
    2026-03-01
  • 读出放大器及其操作方法、存储器及存储器系统
    读出放大器及其操作方法、存储器及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511423441.7
    本公开实施例提供一种读出放大器，包括：预充电单元、读出单元、第一开关单元和第二开关单元；预充电单元，耦接存储单元的第一位线和存储单元的第二位线；读出单元，包括第一节点、第二节点、第三节点以及第四节点；其中，电源电压端耦接至第一节点，电源电压...
    2026-03-01
  • 一种NOR存储器电荷状态检测电路
    一种NOR存储器电荷状态检测电路_恒烁半导体(合肥)股份有限公司_202511657478.6
    本发明公开了一种NOR存储器电荷状态检测电路，涉及NOR存储器技术领域，包括微控制模块，控制电源模块为存储器模块中连接的晶体管提供检测电能，并为晶体管提供一个缓慢升压的驱动电能，控制晶体管的导通状态，电流检测模块对存储器模块进行电流采样，由...
    2026-03-01
  • NORD闪存的版图结构
    NORD闪存的版图结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511393975.X
    本发明提供了一种NORD闪存的版图结构，包括：多行间隔设置的字线，字线通过接触孔连接第一金属层；多行间隔的第一控制线和多行间隔的第二控制线，每行字线对应一行第一控制线和一行第二控制线，每行字线的一侧为第一控制线，另一侧为第二控制线；每相邻两...
    2026-03-01
  • 铁电存储器及其读取方法和读取电路
    铁电存储器及其读取方法和读取电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429888.5
    本发明提供铁电存储器及其读取方法和读取电路，在铁电存储器的读取方法中，对位线和感测放大器输出端充电至预充电电压；将与待读取铁电电容连接的板线的电压从预充电电压降至0V，待读取铁电电容极化改变并引起位线上的电流变化；感测放大器输出端的电容上的...
    2026-03-01
  • 存储器装置及其刷新方法
    存储器装置及其刷新方法_华邦电子股份有限公司_202511427525.8
    本发明提供一种存储器装置及其刷新方法。所述存储器装置包括存储器阵列以及存储器控制电路。存储器控制电路包括刷新地址缓冲器。刷新地址缓冲器计数存取指令的次数以产生第一计数值，计数刷新指令的次数以产生第二计数值，并在所述第一计数值等于所述第二计数...
    2026-03-01
  • 存储器装置和存储器装置的刷新方法
    存储器装置和存储器装置的刷新方法_三星电子株式会社_202510200991.6
    提供一种存储器装置和存储器装置的刷新方法。所述存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个子阵列块，其中，所述多个子阵列块包括多条字线和多条位线；命令解码器，被配置为对从存储器控制器接收的命令进行解码并且生成刷新命令以控制刷新操作；以及刷新控...
    2026-03-01
  • 半导体存储装置及其刷新控制方法
    半导体存储装置及其刷新控制方法_华邦电子股份有限公司_202510908194.3
    本发明提供一种半导体存储装置及其刷新控制方法，以抑制不必要电力消耗。半导体存储装置包括：具有多个区段的存储单元阵列，每个区段具有多条普通字线和多条冗余字线；以及，行冗余电路，被配置为在刷新操作期间活化这些普通字线中的不具缺陷者及这些冗余字线...
    2026-03-01
  • 一种交叉点阵存储阵列的操作方法
    一种交叉点阵存储阵列的操作方法_北京超弦存储器研究院_202511465369.4
    本发明提供一种交叉点阵存储阵列的操作方法，属于半导体存储器领域。本发明交叉点阵存储阵列中存储单元为金属‑铁电介质层‑金属的铁电电容，所述铁电电容的两端电极板分别与字线和位线相连，且为功函数不同的金属，该铁电电容具有较大正/负极化翻转矫顽电压...
    2026-03-01
  • 数据传输电路及存储器
    数据传输电路及存储器_长鑫闵科存储技术(上海)有限公司_202511404092.4
    本公开提供一种数据传输电路及存储器。数据传输电路包括第一驱动电路，第一驱动电路包括：上拉电路；控制电路，控制电路接收第一使能信号和第一数据信号，控制电路的输出端与上拉电路电连接，控制电路用于根据第一使能信号和第一数据信号，控制上拉电路以输出...
    2026-03-01
  • 一种基于DRAM的高带宽存储模块
    一种基于DRAM的高带宽存储模块_芯动微电子科技(武汉)有限公司_202511882416.5
    本发明公开了一种基于DRAM的高带宽存储模块。存储模块包括基板、转换模块和DRAM模块裸片；DRAM模块裸片与基板的第一面形成导电连接，基板的第一面再与转换模块形成导电连接；转换模块用于对DRAM模块裸片与外界的往来信号进行处理，以提高DR...
    2026-03-01
  • 一种基于SRAM的双行读取电路及方法
    一种基于SRAM的双行读取电路及方法_安徽大学_202511742271.9
    本发明公开了一种基于SRAM的双行读取电路及方法。该电路包括位于阵列奇数行的多个第一单元、位于阵列偶数行的多个第二单元以及外围检测电路。每个第一单元包括交叉耦合连接的第一反相器、第二反相器以及NMOS管N1、N2、N5、N6，每个第二单元包...
    2026-03-01
  • 一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统
    一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统_北京宽温微电子科技有限公司_202511882191.3
    本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统，涉及寄存器技术领域，该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，当处于读数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号，关闭写辅助电路，驱动读辅助电...
    2026-03-01
  • 电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法
    电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510135815.9
    提供了一种电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法。所述电阻式存储装置包括存储单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括电阻式存储器单元和复位晶体管，复位晶体管中的每个结合到源极线中的相应一条，并且源极线中的每条在相应一对相...
    2026-03-01
  • 一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法
    一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法_南方科技大学_202511334292.7
    本发明公开了一种非线性抵消读出的RRAM存内计算电路、芯片及方法，RRAM电荷域非线性抵消电路包括：模拟存储模块、电压生成模块、存内计算模块；其中，所述电压生成模块用于输出斜坡电压信号；存内计算模块用于根据所述源线电压信号和字线打开时间进行...
    2026-03-01
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